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公开(公告)号：CN115172514B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202210760569.2
申请日：2022-06-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光电材料及薄膜太阳能电池制备领域，公开了一种提升硒化镉薄膜质量的原位气封退火方法，该方法是以快速热蒸发方法制备得到的硒化镉薄膜为处理对象，在保护性气体的气氛环境、且气氛环境的压强在50～500Torr的条件下，于450～600℃温度对该硒化镉薄膜进行原位退火，由此得到的退火后的硒化镉薄膜相较于处理前的硒化镉薄膜，孔洞数量更少，且粗糙度也更小。本发明通过在特定温度及特定环境气氛条件下对硒化镉薄膜进行原位热退火处理，能够解决现有的基于快速热蒸发法制备的硒化镉薄膜质量不佳的技术问题。
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公开(公告)号：CN113594289B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202110764868.9
申请日：2021-07-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/032 , H01L31/18 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C14/35
Abstract: 本发明属于微电子及光电子技术领域，公开了一种PbS同质结器件及其制备方法，其中的PbS同质结器件包括衬底以及位于该衬底上的N型PbS薄膜(3)、P型PbS薄膜(5)，N型PbS薄膜(3)与衬底的上表面接触；P型PbS薄膜(5)与N型PbS薄膜(3)紧密连接，该P型PbS薄膜(5)是通过对N型PbS薄膜(3)部分掺杂得到的，由此形成PbS同质PN结。本发明通过对器件的材料组成、结构及对应的器件制备方法的整体工艺流程设计等进行改进，利用N型PbS薄膜和P型PbS薄膜形成PbS同质PN结，得到一种新型的基于PbS的同质结器件，尤其可作为探测红外波段的光电探测器。
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公开(公告)号：CN113594289A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110764868.9
申请日：2021-07-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/032 , H01L31/18 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C14/35
Abstract: 本发明属于微电子及光电子技术领域，公开了一种PbS同质结器件及其制备方法，其中的PbS同质结器件包括衬底以及位于该衬底上的N型PbS薄膜(3)、P型PbS薄膜(5)，N型PbS薄膜(3)与衬底的上表面接触；P型PbS薄膜(5)与N型PbS薄膜(3)紧密连接，该P型PbS薄膜(5)是通过对N型PbS薄膜(3)部分掺杂得到的，由此形成PbS同质PN结。本发明通过对器件的材料组成、结构及对应的器件制备方法的整体工艺流程设计等进行改进，利用N型PbS薄膜和P型PbS薄膜形成PbS同质PN结，得到一种新型的基于PbS的同质结器件，尤其可作为探测红外波段的光电探测器。
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公开(公告)号：CN118782679A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410837676.X
申请日：2024-06-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/101
Abstract: 本发明涉及一种光电探测器的全背面无开孔钝化方法，属于光电子器件技术领域。该方法以本征硅做为处理对象，在本征硅两端用离子注入制备P型区和N型区，形成PIN结构，在PIN结构的N型掺杂面沉积全背面钝化隧穿功能层，全背面钝化隧穿功能层的材料为氧化物或氮化物；在全背面钝化隧穿功能层上沉积N型多晶硅，并在保护性气氛条件下退火，N型多晶硅与全背面钝化隧穿功能层共同形成无开孔背面钝化层。该方法不仅提供了一种无需开孔的背面钝化技术，有效降低器件的暗电流，同时在背面形成异质结促进多子的传输，提升了PIN光电探测器的性能。
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公开(公告)号：CN117117021A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311058897.9
申请日：2023-08-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/073 , H01L31/18 , H01L31/0296
Abstract: 本发明提供了一种光伏器件的界面优化方法，包括：形成CdSe层作为吸光层；在CdSe层表面形成ZnTe作为空穴传输层，以形成CdSe/ZnTe异质结；对CdSe/ZnTe异质结的CdSe层与ZnTe层同时进行退火，以在CdSe/ZnTe异质结的界面生成第一过渡层；第一过渡层表征了在进行退火时，CdSe层与ZnTe层中的粒子在CdSe/ZnTe异质结的界面扩散、反应形成的结构层；对ZnTe层进行掺杂。本发明提供的技术方案解决了光伏器件中CdSe/ZnTe异质结的界面缺陷的问题，在提高CdSe吸光层与ZnTe空穴传输层的薄膜结晶度的同时，实现CdSe吸光层与ZnTe空穴传输层之间界面的良好过渡，降低了界面态，优化了界面接触，提升了器件效率；改善了载流子传输，从而实现了对ZnTe空穴传输层的电学性质的调控，提升了光伏器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115188838A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210746781.3
申请日：2022-06-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0224 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/24 , C23C14/35 , H01L31/0725 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于太阳能电池领域，公开了一种硒化镉/晶硅串联集成太阳能电池及其制备方法，该串联集成太阳能电池包括硒化镉太阳能电池顶电池和晶硅太阳能电池底电池，顶电池和底电池通过中间隧穿层串联连接；该中间隧穿层为低功函的透明导电氧化物层(TCO)，厚度不超过100nm。本发明通过利用中间隧穿层将硒化镉顶电池和晶硅底电池串联集成，相应得到的串联集成太阳能电池理论光电转换效率高达～45％，能够更高效的利用太阳光谱，减少能量损失。并且，本发明中的串联集成太阳能电池能够兼容现有成熟的技术工艺，发电成本低，有利于生产技术的推广应用。
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公开(公告)号：CN115172514A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210760569.2
申请日：2022-06-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光电材料及薄膜太阳能电池制备领域，公开了一种提升硒化镉薄膜质量的原位气封退火方法，该方法是以快速热蒸发方法制备得到的硒化镉薄膜为处理对象，在保护性气体的气氛环境、且气氛环境的压强在50～500Torr的条件下，于450～600℃温度对该硒化镉薄膜进行原位退火，由此得到的退火后的硒化镉薄膜相较于处理前的硒化镉薄膜，孔洞数量更少，且粗糙度也更小。本发明通过在特定温度及特定环境气氛条件下对硒化镉薄膜进行原位热退火处理，能够解决现有的基于快速热蒸发法制备的硒化镉薄膜质量不佳的技术问题。
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公开(公告)号：CN118610235A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410846320.2
申请日：2024-06-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/267 , H01L31/0336 , H01L31/18 , H01L21/428
Abstract: 本发明涉及一种Cu掺杂的P型MoS2同质PN结器件、制备方法，属于半导体薄膜材料技术领域。本发明同质PN结器件包括硅衬底、SiO2氧化层、Cu掺杂的P型MoS2薄膜和N型MoS2薄膜。制备方法为：将硫源和钼源加入到溶剂中，再加入铜盐，得到前驱体溶液，采用激光辐照前驱体溶液制备Cu掺杂P型MoS2薄膜与衬底上表面接触，再制备N型MoS2薄膜与P型MoS2薄膜接触，由此形成MoS2同质PN结。本发明实现了薄膜生长与掺杂一步完成，使用该方法制备的P型MoS2薄膜均匀性良好、结晶度得到良好提升；实现了无需转移制备PN结，采用同质结构，界面态少。
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公开(公告)号：CN116525698A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310387185.5
申请日：2023-04-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种室内光伏器件及其制备方法，属于光电材料及薄膜太阳能电池制备领域。本发明室内光伏器件从下至上依次为导电玻璃、电子传输层、光吸收层、空穴传输层、导电电极和金属栅电极；光吸收层为镉硫硒三元化合物薄膜。本发明中镉硫硒三元化合物薄膜结合了CdS和CdSe的性质，具有良好的电性能，通过控制S与Se的元素比例实现带隙的连续调节(1.80eV‑1.90eV)，在可见光区域具有高吸收系数，满足室内光源光谱需求，提高能量转化效率。本发明有力地推动了镉硫硒三元化合物薄膜在室内光伏领域的发展，并且在物联网领域的应用中表现出巨大的发展前景。
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公开(公告)号：CN115295667A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210842993.1
申请日：2022-07-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体薄膜退火处理技术领域，公开了一种热压后退火改善硒化镉薄膜质量的方法，该方法是以硒化镉薄膜为处理对象，在保护性气体的气氛环境下，将硒化镉薄膜直接与导热基底贴合，同时对所述硒化镉薄膜施加压力，在保持压力条件下进行加热退火；由此得到的退火后的硒化镉薄膜相较于处理前的硒化镉薄膜，晶粒尺寸更大、且薄膜孔隙率更小。本发明通过在退火过程中对薄膜进行额外加压，配合加热热火对硒化镉薄膜进行后处理，能够改善当前硒化镉薄膜多孔与高粗糙度问题。
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