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公开(公告)号：CN119816189A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411951916.5
申请日：2024-12-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微电子及压电电子学技术领域，涉及一种具有压电效应的异质结双极型晶体管器件及其制备方法，其包括基底、绝缘层、发射区、集电区及金属电极；所述基底为凸形结构，记所述基底中间凸起部分为基区，两端未凸起部分为衬底；所述基底的两端的衬底上均覆盖所述绝缘层，所述发射区与所述集电区分别位于所述基底两端的绝缘层上；所述金属电极包括第一金属电极、第二金属电极、第三金属电极；所述第一金属电极、第二金属电极、第三金属电极分别设置在所述集电区、发射区以及基区上，且相互之间不接触，所述发射区、集电区的材料均为N型ZnO，所述基底为硅，达到提高其压电效应的稳定性和可调控性的技术效果。
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公开(公告)号：CN119091130B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411585011.0
申请日：2024-11-07
Applicant: 华中科技大学同济医学院附属协和医院
Abstract: 本发明涉及图像处理技术领域，具体涉及一种跌倒预防管理用老年病患跌倒检测方法，包括：获取目标老年病患病房图像中的扶手区域、凳子区域和地板区域内的水渍区域；获取每个老年病患的跌倒环境影响因子；根据跌倒环境影响因子和凳子区域，以及老年病患的运动方向夹角，获取每个老年病患的跌倒环境影响程度；根据运动方向夹角，以及不同老年病患病房图像中每个老年病患的偏离情况，获取每个老年病患的跌倒可能影响因子；根据跌倒可能影响因子和跌倒环境影响程度，获取每个老年病患的跌倒可能性；根据跌倒可能性对目标老年病患病房图像中每个老年病患进行跌倒检测。本发明提高了预测老年病患发生跌倒的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114016138A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111273889.7
申请日：2021-10-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: C30B29/54 , C30B7/14 , C30B7/08 , C07C279/02 , C07C257/14 , C07C257/12 , C07C211/07 , C07C211/04
Abstract: 本发明属于二维钙钛矿单晶材料领域，公开了一种高质量二维或准二维层状钙钛矿单晶材料及其制备，其通式为(L)2(A)n‑1BnX3n+1，其中，L为正丙基胺根离子(C3H7NH3+)、异丙基胺根离子(C3H7NH3+)、正丁基胺根离子(C4H9NH3+)、正戊基胺根离子(C5H11NH3+)、正己基胺根离子(C6H13NH3+)、苯甲基胺根离子(C6H5CH2NH3+)、苯乙基胺根离子(C6H5CH2CH2NH3+)中的至少一种。本发明通过对二维或准二维钙钛矿单晶材料的内部组成及细节结构进行改进，引入特定的L这一有机间隔离子，能够大大扩充ABX3型钙钛矿材料中A位离子的种类选择范围，克服容忍因子t的限制，大大丰富有机‑无机杂化钙钛矿材料的种类。
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公开(公告)号：CN118782679A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410837676.X
申请日：2024-06-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/101
Abstract: 本发明涉及一种光电探测器的全背面无开孔钝化方法，属于光电子器件技术领域。该方法以本征硅做为处理对象，在本征硅两端用离子注入制备P型区和N型区，形成PIN结构，在PIN结构的N型掺杂面沉积全背面钝化隧穿功能层，全背面钝化隧穿功能层的材料为氧化物或氮化物；在全背面钝化隧穿功能层上沉积N型多晶硅，并在保护性气氛条件下退火，N型多晶硅与全背面钝化隧穿功能层共同形成无开孔背面钝化层。该方法不仅提供了一种无需开孔的背面钝化技术，有效降低器件的暗电流，同时在背面形成异质结促进多子的传输，提升了PIN光电探测器的性能。
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公开(公告)号：CN114016138B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202111273889.7
申请日：2021-10-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: C30B29/54 , C30B7/14 , C30B7/08 , C07C279/02 , C07C257/14 , C07C257/12 , C07C211/07 , C07C211/04
Abstract: 本发明属于二维钙钛矿单晶材料领域，公开了一种高质量二维或准二维层状钙钛矿单晶材料及其制备，其通式为(L)2(A)n‑1BnX3n+1，其中，L为正丙基胺根离子(C3H7NH3+)、异丙基胺根离子(C3H7NH3+)、正丁基胺根离子(C4H9NH3+)、正戊基胺根离子(C5H11NH3+)、正己基胺根离子(C6H13NH3+)、苯甲基胺根离子(C6H5CH2NH3+)、苯乙基胺根离子(C6H5CH2CH2NH3+)中的至少一种。本发明通过对二维或准二维钙钛矿单晶材料的内部组成及细节结构进行改进，引入特定的L这一有机间隔离子，能够大大扩充ABX3型钙钛矿材料中A位离子的种类选择范围，克服容忍因子t的限制，大大丰富有机‑无机杂化钙钛矿材料的种类。
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公开(公告)号：CN119091130A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411585011.0
申请日：2024-11-07
Applicant: 华中科技大学同济医学院附属协和医院
Abstract: 本发明涉及图像处理技术领域，具体涉及一种跌倒预防管理用老年病患跌倒检测方法，包括：获取目标老年病患病房图像中的扶手区域、凳子区域和地板区域内的水渍区域；获取每个老年病患的跌倒环境影响因子；根据跌倒环境影响因子和凳子区域，以及老年病患的运动方向夹角，获取每个老年病患的跌倒环境影响程度；根据运动方向夹角，以及不同老年病患病房图像中每个老年病患的偏离情况，获取每个老年病患的跌倒可能影响因子；根据跌倒可能影响因子和跌倒环境影响程度，获取每个老年病患的跌倒可能性；根据跌倒可能性对目标老年病患病房图像中每个老年病患进行跌倒检测。本发明提高了预测老年病患发生跌倒的准确性。
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公开(公告)号：CN118610235A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410846320.2
申请日：2024-06-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/267 , H01L31/0336 , H01L31/18 , H01L21/428
Abstract: 本发明涉及一种Cu掺杂的P型MoS2同质PN结器件、制备方法，属于半导体薄膜材料技术领域。本发明同质PN结器件包括硅衬底、SiO2氧化层、Cu掺杂的P型MoS2薄膜和N型MoS2薄膜。制备方法为：将硫源和钼源加入到溶剂中，再加入铜盐，得到前驱体溶液，采用激光辐照前驱体溶液制备Cu掺杂P型MoS2薄膜与衬底上表面接触，再制备N型MoS2薄膜与P型MoS2薄膜接触，由此形成MoS2同质PN结。本发明实现了薄膜生长与掺杂一步完成，使用该方法制备的P型MoS2薄膜均匀性良好、结晶度得到良好提升；实现了无需转移制备PN结，采用同质结构，界面态少。
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