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公开(公告)号：CN102403376A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110333029.8
申请日：2011-10-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/077 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种含有硅量子点的n-i-p异质结太阳能电池及其制备方法，其特征在于：在N型单晶硅衬底和P型非晶硅层之间是含有直径为1～6nm的硅量子点的氮化硅薄膜层，所述太阳能电池含有的依次相叠的各层为：Ag/Al栅形电极（7）；ZnO:Al透明导电薄膜（6）；P型非晶硅层（5）；含有硅量子点的氮化硅薄膜层（4）；N型单晶硅基片（3）；ZnO:Al透明导电薄膜（2）；Al金属膜背电极（1）。此电池结构简单，光谱响应范围宽，开路电压高，光生电流大，制备步骤与现有的工艺相兼容。本发明为提高现有的硅基太阳电池转换效率提供了一种很好的解决方法。
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公开(公告)号：CN102403378A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110365782.5
申请日：2011-11-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/075 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种具有量子点结构的柔性薄膜太阳能电池及其制备方法，依次在柔性衬底上制备SiN薄膜绝缘层、ZnO薄膜缓冲层、Al背电极、NIP型薄膜、AZO薄膜和Al前电极，其中NIP型薄膜中的N层为微晶硅薄膜，I层为含量子点氮化硅薄膜，P层为非晶碳化硅薄膜。本发明由于采用了含量子点结构的氮化硅薄膜做I层，可以有效的提高电池的光电转换效率，又由于采用ZnO薄膜缓冲层，使得电池的光电转换效率得到提高。该柔性电池具有极好的柔软性，可以任意卷曲。同时制备工艺简单，可实现规模生产。
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公开(公告)号：CN102280500A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110199377.0
申请日：2011-09-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于异质结结构的硅量子点太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池自下而上包括银铝复合背电极、P型单晶硅基片、氮化硅薄膜层、N型非晶硅层、透明导电膜层和银电极。氮化硅薄膜层中含有直径为1～6nm的硅量子点；透明导电膜层为200～300nm的掺铝氧化锌透明导电薄膜。在制绒的P型晶体硅基片上制备一层含有硅量子点的氮化硅层，再沉积一层N型非晶硅层，接着再沉积一层掺铝氧化锌透明导电膜，最后在正反两面分别加上银电极和含有银铝复合电极的铝背表面场。此电池结构简单，光谱响应范围宽，开路电压高，光生电流大，制备步骤与现有的工艺相兼容。本发明为提高现有的硅基太阳电池转换效率提供了一种很好的解决方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102403376B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110333029.8
申请日：2011-10-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/077 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种含有硅量子点的n-i-p异质结太阳能电池及其制备方法，其特征在于：在N型单晶硅衬底和P型非晶硅层之间是含有直径为1～6nm的硅量子点的氮化硅薄膜层，所述太阳能电池含有的依次相叠的各层为：Ag/Al栅形电极（7）；第二ZnO:Al透明导电薄膜（6）；P型非晶硅层（5）；含有硅量子点的氮化硅薄膜层（4）；N型单晶硅基片（3）；第一ZnO:Al透明导电薄膜（2）；Al金属膜背电极（1）。此电池结构简单，光谱响应范围宽，开路电压高，光生电流大，制备步骤与现有的工艺相兼容。本发明为提高现有的硅基太阳电池转换效率提供了一种很好的解决方法。
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公开(公告)号：CN103346168A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310248583.5
申请日：2013-06-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/788 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/8247
Abstract: 本发明公开了一种基于SiCx织构的硅量子点浮栅非易失性半导体存储器及其制备方法，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层；所述电荷存储层包括SiCx织构和横纵向均匀分布于SiCx织构中的硅量子点。本发明有效利用硅量子点-SiCx织构间的隧穿势垒，构成了控制栅氧化层-SiCx织构-Si量子点-SiCx织构-隧穿氧化层双阶梯势垒电荷存储结构；不仅可实现电荷的有效分立存储，增强电荷保持特性，还允许器件具有更薄的隧穿氧化层，加快了电荷的擦写速度，使存储器的综合性能得到全面提升，并为器件的尺寸进一步缩小提供了技术支持。
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公开(公告)号：CN102403378B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201110365782.5
申请日：2011-11-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/075 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种具有量子点结构的柔性薄膜太阳能电池及其制备方法，依次在柔性衬底上制备SiN薄膜绝缘层、ZnO薄膜缓冲层、Al背电极、NIP型薄膜、AZO薄膜和Al前电极，其中NIP型薄膜中的N层为微晶硅薄膜，I层为含量子点氮化硅薄膜，P层为非晶碳化硅薄膜。本发明由于采用了含量子点结构的氮化硅薄膜做I层，可以有效的提高电池的光电转换效率，又由于采用ZnO薄膜缓冲层，使得电池的光电转换效率得到提高。该柔性电池具有极好的柔软性，可以任意卷曲。同时制备工艺简单，可实现规模生产。
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公开(公告)号：CN102280500B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201110199377.0
申请日：2011-09-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/077 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于异质结结构的硅量子点太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池自下而上包括银铝复合背电极、P型单晶硅基片、氮化硅薄膜层、N型非晶硅层、透明导电膜层和银电极。氮化硅薄膜层中含有直径为1～6nm的硅量子点；透明导电膜层为200～300nm的掺铝氧化锌透明导电薄膜。在制绒的P型晶体硅基片上制备一层含有硅量子点的氮化硅层，再沉积一层N型非晶硅层，接着再沉积一层掺铝氧化锌透明导电膜，最后在正反两面分别加上银电极和含有银铝复合电极的铝背表面场。此电池结构简单，光谱响应范围宽，开路电压高，光生电流大，制备步骤与现有的工艺相兼容。本发明为提高现有的硅基太阳电池转换效率提供了一种很好的解决方法。
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公开(公告)号：CN103346168B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310248583.5
申请日：2013-06-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/788 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/8247
Abstract: 本发明公开了一种基于SiCx织构的硅量子点浮栅非易失性半导体存储器及其制备方法，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层；所述电荷存储层包括SiCx织构和横纵向均匀分布于SiCx织构中的硅量子点。本发明有效利用硅量子点-SiCx织构间的隧穿势垒，构成了控制栅氧化层-SiCx织构-Si量子点-SiCx织构-隧穿氧化层双阶梯势垒电荷存储结构；不仅可实现电荷的有效分立存储，增强电荷保持特性，还允许器件具有更薄的隧穿氧化层，加快了电荷的擦写速度，使存储器的综合性能得到全面提升，并为器件的尺寸进一步缩小提供了技术支持。
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