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公开(公告)号：CN118922050B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202410960750.7
申请日：2024-07-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于相变材料的热释电探测器结构，包括：窄带吸收体腔结构，包括金属层、介质层和相变材料层；热释电探测器，位于窄带吸收体腔结构之下，热释电探测器包括钽酸锂单晶片；在光线射到窄带吸收腔体结构时，窄带吸收腔体结构用于吸收对应波长的光线，产生热释电效应，钽酸锂单晶片用于产生电流，以根据电流的大小获得光线的光强信息，并根据电流的大小改变相变材料层的状态，以调节窄带吸收体腔结构的吸收峰位来进行探测。本发明结构简单，对角度变化不敏感，可以选择性窄带探测的同时，实时调控选择性探测的范围，可以在物质识别、浓度检测等领域提供更为精确的定量结果，并且单个探测器就可以实现小范围内的光谱重现。
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公开(公告)号：CN117491304A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311409858.9
申请日：2023-10-27
IPC: G01N21/3504 , G01J5/35
Abstract: 本发明公开了一种面向气体传感的宽角域带通红外探测器，属于红外气体传感领域。探测器自下而上包括热释电探测器、带通吸收体和聚光透镜。热释电探测器由上下电极和钽酸锂薄膜组成，带通吸收体由背板，介质层，天线簇构成。聚光透镜由衬底，介质柱组成。本发明高效收集大角度入射光线并聚焦在于热电探测器上，通过调整圆盘半径和圆盘排列组合方式实现对特定目标通带内的电磁波高效吸收。大幅降低了红外探测器结构复杂度，赋予探测器带通响应的能力，同时提高了探测器探测率。同时，超材料聚光透镜大幅提升了探测器的聚光能力，相比于一般的探测器有着更高的灵敏度和探测效率。
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公开(公告)号：CN109273543B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201811268952.6
申请日：2018-10-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/103 , B82Y20/00
Abstract: 本发明公开了一种硫族化合物膜上涂覆纳米颗粒的晶体管及制备方法与应用，属于微电子及光电子技术领域。包括具有二氧化硅绝缘层的硅衬底、1T相过渡金属硫族化合物膜、2H相过渡金属硫族化合物膜、电极A、电极B和纳米颗粒层。本发明中1T‑WS2与2H‑WS2通过范德华力相连，使得光生载流子能够在交界面上分离，且1T‑WS2具有很高的电子迁移率，能够极大地提升光响应；另外，纳米颗粒的近场振荡、散射效应以及从纳米颗粒到WS2的载流子的注入效应能增加光电流、加快响应速率。这种光探测器不仅具有优异的响应特性，而且制备方法简单、成本较低，在光电领域具有非常好的应用前景。
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公开(公告)号：CN119757264A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411838515.9
申请日：2024-12-13
IPC: G01N21/3504 , G16C20/20 , G16C20/70 , G06F18/241 , G06N3/084 , G06N3/0985
Abstract: 本发明公开了一种NDIR混合气体检测方法及装置，属于气体检测技术领域；考虑到不同气体的吸收峰值波长均不相同，且气体的浓度会直接影响对应的吸收强度，本发明直接获取携带有不同波长下的光谱值信息的混合气体红外光谱，并通过训练了一种NDIR混合气体检测模型，来构建待检测混合气体的红外光谱与待检测混合气体中各组分气体的分类结果及浓度值的映射关系，从而实现NDIR混合气体的检测；本发明无需采用多路滤光片将混合气体分离为不同峰值吸收波长的气体，灵敏度较高，能够准确区分峰值吸收波长较为接近的不同组分的气体，能够准确地实现多组分气体检测。
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公开(公告)号：CN108899267B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201810648685.9
申请日：2018-06-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/02 , H01L31/0296
Abstract: 本发明属于半导体薄膜材料制备领域，更具体地，涉及一种金属掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法。将含有硫源、钼源和待掺杂金属元素的混合溶液涂覆在基片上，在真空条件下，采用激光照射涂覆有所述混合溶液的基片表面，制备得到金属掺杂的二硫化钼薄膜。本发明的制备方法可以实现硫化钼生长与掺杂一步完成。使用该方法制备金属掺杂的二硫化钼薄膜均匀性好，面积大，并且可以根据金属盐溶液的浓度调节掺杂浓度。通过改变激光辐射的功率、光斑大小和脉冲数目能够实现对晶体结晶形貌的控制。本发明制备方法容易操作，重复率高，制备时间短，效率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109273543A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811268952.6
申请日：2018-10-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/103 , B82Y20/00
Abstract: 本发明公开了一种硫族化合物膜上涂覆纳米颗粒的晶体管及制备方法与应用，属于微电子及光电子技术领域。包括具有二氧化硅绝缘层的硅衬底、1T相过渡金属硫族化合物膜、2H相过渡金属硫族化合物膜、电极A、电极B和纳米颗粒层。本发明中1T-WS2与2H-WS2通过范德华力相连，使得光生载流子能够在交界面上分离，且1T-WS2具有很高的电子迁移率，能够极大地提升光响应；另外，纳米颗粒的近场振荡、散射效应以及从纳米颗粒到WS2的载流子的注入效应能增加光电流、加快响应速率。这种光探测器不仅具有优异的响应特性，而且制备方法简单、成本较低，在光电领域具有非常好的应用前景。
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公开(公告)号：CN107403847B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710569811.7
申请日：2017-07-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/18 , H01L21/02
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3粉末作为钼源，硫粉作为硫源，通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度，制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼薄膜，对设备要求低，实验过程简单方便、重复性高。
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公开(公告)号：CN114199383B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202111404460.7
申请日：2021-11-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于等离激元复合微腔的热电堆窄带探测器及其制备方法，属于热红外探测领域。本发明采用介质材料作为微腔，共振主要存在于微腔中，解决了以往采用金属材料而带来的损耗问题，大大提升了吸收曲线的Q值，提升了探测效率，并且能够在近中红外波段范围内实现对特定波段的窄带热探测。将等离激元复合微腔与热电堆结合，通过调整等离激元复合微腔的尺寸大小，实现可调控的窄带吸收；同时结合现今热电堆的成熟工艺，采用标准的半导体加工工艺，可实现本发明中热电堆红外窄带探测器的规模化集成化生产，简化了热探测器工艺流程，大幅度降低制造成本。
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公开(公告)号：CN108091699B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201711358320.4
申请日：2017-12-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性衬底底栅结构的MoS2TFT器件及制备方法，该柔性衬底底栅结构的MoS2TFT器件包括：柔性衬底，底栅金属薄膜，氧化铝薄膜，反应源薄膜，源漏电极，二硫化钼薄膜采用激光照射方法合成，源漏电极材料为双层金属，采用电子束蒸发工艺制备而成，源漏电极材料与二硫化钼薄膜表面接触紧密，接触电阻小。本发明制备的柔性衬底底栅结构的MoS2TFT器件，工艺简单方便，并且在整个工艺流程中的制备温度低于150度，适合于制备柔性电子器件。此制备方法制备出的柔性底栅结构的MoS2TFT器件不仅结构简单、性能稳定，而且载流子迁移率高、开关比大。
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公开(公告)号：CN109616541A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811268681.4
申请日：2018-10-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了过渡金属硫族化合物横向同质结太阳能电池及其制备方法，属于半导体材料领域。包括绝缘衬底、电极A、电极B、n型过渡金属硫族化合物膜和p型过渡金属硫族化合物膜；所述电极A和电极B分别位于绝缘衬底两端；n型过渡金属硫族化合物膜和p型过渡金属硫族化合物膜由相同化合物组成，横向连接形成p-n结。本发明采用激光合成法制备n型过渡金属硫族化合物膜，横向同质p-n结有效降低了p-n结的晶格失配率，减小了界面缺陷；电极与薄膜功函数匹配，形成良好欧姆接触；电极与薄膜以范德瓦尔斯力结合，可有效避免电极制备工艺对薄膜的损害，以及由此引发的应力及金属扩散等问题发生，使薄膜应用于太阳能电池的转换效率得到提高。
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