公开(公告)号：CN102403376A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110333029.8

申请日：2011-10-28

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  姜礼华 ,  张笑 ,  鲜映霞 ,  文国知 ,  肖容

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/077 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种含有硅量子点的n-i-p异质结太阳能电池及其制备方法，其特征在于：在N型单晶硅衬底和P型非晶硅层之间是含有直径为1～6nm的硅量子点的氮化硅薄膜层，所述太阳能电池含有的依次相叠的各层为：Ag/Al栅形电极（7）；ZnO:Al透明导电薄膜（6）；P型非晶硅层（5）；含有硅量子点的氮化硅薄膜层（4）；N型单晶硅基片（3）；ZnO:Al透明导电薄膜（2）；Al金属膜背电极（1）。此电池结构简单，光谱响应范围宽，开路电压高，光生电流大，制备步骤与现有的工艺相兼容。本发明为提高现有的硅基太阳电池转换效率提供了一种很好的解决方法。

公开(公告)号：CN102280500A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110199377.0

申请日：2011-09-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  姜礼华 ,  张笑 ,  文国知

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种基于异质结结构的硅量子点太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池自下而上包括银铝复合背电极、P型单晶硅基片、氮化硅薄膜层、N型非晶硅层、透明导电膜层和银电极。氮化硅薄膜层中含有直径为1～6nm的硅量子点；透明导电膜层为200～300nm的掺铝氧化锌透明导电薄膜。在制绒的P型晶体硅基片上制备一层含有硅量子点的氮化硅层，再沉积一层N型非晶硅层，接着再沉积一层掺铝氧化锌透明导电膜，最后在正反两面分别加上银电极和含有银铝复合电极的铝背表面场。此电池结构简单，光谱响应范围宽，开路电压高，光生电流大，制备步骤与现有的工艺相兼容。本发明为提高现有的硅基太阳电池转换效率提供了一种很好的解决方法。

公开(公告)号：CN102220568A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110139024.1

申请日：2011-05-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  姜礼华 ,  张笑

IPC: C23C16/34 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种含硅纳米粒子的氮化硅薄膜制备方法步骤为：①清洗P型单晶硅衬底；②采用等离子体增强化学气相沉积技术在衬底上制备富含硅的非化学计量比氮化硅薄膜；③以氮气为保护气体，把制备完毕的氮化硅薄膜置于石英炉内进行750～800℃高温退火，退火方式是石英管退火炉直接升温至750～850℃后保持8～12分钟，之后在无任何外加冷却措施的条件下通过石英管退火炉自身散热冷却至室温。非化学计量比的氮化硅薄膜经高温退火后，硅纳米粒子通过相分离过程镶嵌在氮化硅薄膜内。镶嵌在氮化硅薄膜内的硅纳米粒子最大特点是硅纳米粒子平均尺寸小、有序性高、量子限制效应强、制备工艺简单。

公开(公告)号：CN102280500B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201110199377.0

申请日：2011-09-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  姜礼华 ,  张笑 ,  文国知

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/077 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种基于异质结结构的硅量子点太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池自下而上包括银铝复合背电极、P型单晶硅基片、氮化硅薄膜层、N型非晶硅层、透明导电膜层和银电极。氮化硅薄膜层中含有直径为1～6nm的硅量子点；透明导电膜层为200～300nm的掺铝氧化锌透明导电薄膜。在制绒的P型晶体硅基片上制备一层含有硅量子点的氮化硅层，再沉积一层N型非晶硅层，接着再沉积一层掺铝氧化锌透明导电膜，最后在正反两面分别加上银电极和含有银铝复合电极的铝背表面场。此电池结构简单，光谱响应范围宽，开路电压高，光生电流大，制备步骤与现有的工艺相兼容。本发明为提高现有的硅基太阳电池转换效率提供了一种很好的解决方法。

公开(公告)号：CN102403376B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201110333029.8

申请日：2011-10-28

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  姜礼华 ,  张笑 ,  鲜映霞 ,  文国知 ,  肖容

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/077 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种含有硅量子点的n-i-p异质结太阳能电池及其制备方法，其特征在于：在N型单晶硅衬底和P型非晶硅层之间是含有直径为1～6nm的硅量子点的氮化硅薄膜层，所述太阳能电池含有的依次相叠的各层为：Ag/Al栅形电极（7）；第二ZnO:Al透明导电薄膜（6）；P型非晶硅层（5）；含有硅量子点的氮化硅薄膜层（4）；N型单晶硅基片（3）；第一ZnO:Al透明导电薄膜（2）；Al金属膜背电极（1）。此电池结构简单，光谱响应范围宽，开路电压高，光生电流大，制备步骤与现有的工艺相兼容。本发明为提高现有的硅基太阳电池转换效率提供了一种很好的解决方法。