公开(公告)号：CN113594289B

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202110764868.9

申请日：2021-07-07

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  许庭玮 ,  肖永红 ,  陈铎 ,  张茂发 ,  周宇飞 ,  包晓庆

IPC: H01L31/103 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  C23C14/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/18 ,  C23C14/24 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明属于微电子及光电子技术领域，公开了一种PbS同质结器件及其制备方法，其中的PbS同质结器件包括衬底以及位于该衬底上的N型PbS薄膜(3)、P型PbS薄膜(5)，N型PbS薄膜(3)与衬底的上表面接触；P型PbS薄膜(5)与N型PbS薄膜(3)紧密连接，该P型PbS薄膜(5)是通过对N型PbS薄膜(3)部分掺杂得到的，由此形成PbS同质PN结。本发明通过对器件的材料组成、结构及对应的器件制备方法的整体工艺流程设计等进行改进，利用N型PbS薄膜和P型PbS薄膜形成PbS同质PN结，得到一种新型的基于PbS的同质结器件，尤其可作为探测红外波段的光电探测器。

公开(公告)号：CN113594289A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110764868.9

申请日：2021-07-07

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  许庭玮 ,  肖永红 ,  陈铎 ,  张茂发 ,  周宇飞 ,  包晓庆

IPC: H01L31/103 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  C23C14/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/18 ,  C23C14/24 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明属于微电子及光电子技术领域，公开了一种PbS同质结器件及其制备方法，其中的PbS同质结器件包括衬底以及位于该衬底上的N型PbS薄膜(3)、P型PbS薄膜(5)，N型PbS薄膜(3)与衬底的上表面接触；P型PbS薄膜(5)与N型PbS薄膜(3)紧密连接，该P型PbS薄膜(5)是通过对N型PbS薄膜(3)部分掺杂得到的，由此形成PbS同质PN结。本发明通过对器件的材料组成、结构及对应的器件制备方法的整体工艺流程设计等进行改进，利用N型PbS薄膜和P型PbS薄膜形成PbS同质PN结，得到一种新型的基于PbS的同质结器件，尤其可作为探测红外波段的光电探测器。

公开(公告)号：CN118782679A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410837676.X

申请日：2024-06-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  邓怀成 ,  许庭玮 ,  包晓庆 ,  胡世娇 ,  彭煜 ,  张文豪 ,  甘卓成 ,  文郅淇

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/101

Abstract: 本发明涉及一种光电探测器的全背面无开孔钝化方法，属于光电子器件技术领域。该方法以本征硅做为处理对象，在本征硅两端用离子注入制备P型区和N型区，形成PIN结构，在PIN结构的N型掺杂面沉积全背面钝化隧穿功能层，全背面钝化隧穿功能层的材料为氧化物或氮化物；在全背面钝化隧穿功能层上沉积N型多晶硅，并在保护性气氛条件下退火，N型多晶硅与全背面钝化隧穿功能层共同形成无开孔背面钝化层。该方法不仅提供了一种无需开孔的背面钝化技术，有效降低器件的暗电流，同时在背面形成异质结促进多子的传输，提升了PIN光电探测器的性能。

公开(公告)号：CN117117021A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311058897.9

申请日：2023-08-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  包晓庆 ,  许庭玮 ,  邓怀成 ,  彭煜 ,  胡世娇 ,  李康华 ,  陈超

IPC: H01L31/073 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0296

Abstract: 本发明提供了一种光伏器件的界面优化方法，包括：形成CdSe层作为吸光层；在CdSe层表面形成ZnTe作为空穴传输层，以形成CdSe/ZnTe异质结；对CdSe/ZnTe异质结的CdSe层与ZnTe层同时进行退火，以在CdSe/ZnTe异质结的界面生成第一过渡层；第一过渡层表征了在进行退火时，CdSe层与ZnTe层中的粒子在CdSe/ZnTe异质结的界面扩散、反应形成的结构层；对ZnTe层进行掺杂。本发明提供的技术方案解决了光伏器件中CdSe/ZnTe异质结的界面缺陷的问题，在提高CdSe吸光层与ZnTe空穴传输层的薄膜结晶度的同时，实现CdSe吸光层与ZnTe空穴传输层之间界面的良好过渡，降低了界面态，优化了界面接触，提升了器件效率；改善了载流子传输，从而实现了对ZnTe空穴传输层的电学性质的调控，提升了光伏器件的性能。

公开(公告)号：CN118610235A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410846320.2

申请日：2024-06-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  胡世娇 ,  许庭玮 ,  包晓庆 ,  彭煜 ,  邓怀成 ,  甘卓成 ,  文郅淇 ,  张文豪

IPC: H01L29/267 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18 ,  H01L21/428

Abstract: 本发明涉及一种Cu掺杂的P型MoS2同质PN结器件、制备方法，属于半导体薄膜材料技术领域。本发明同质PN结器件包括硅衬底、SiO2氧化层、Cu掺杂的P型MoS2薄膜和N型MoS2薄膜。制备方法为：将硫源和钼源加入到溶剂中，再加入铜盐，得到前驱体溶液，采用激光辐照前驱体溶液制备Cu掺杂P型MoS2薄膜与衬底上表面接触，再制备N型MoS2薄膜与P型MoS2薄膜接触，由此形成MoS2同质PN结。本发明实现了薄膜生长与掺杂一步完成，使用该方法制备的P型MoS2薄膜均匀性良好、结晶度得到良好提升；实现了无需转移制备PN结，采用同质结构，界面态少。

公开(公告)号：CN112687737A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011551737.4

申请日：2020-12-24

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  王士博 ,  王文照 ,  胡一说 ,  陆晶晶 ,  肖永红 ,  周宇飞 ,  王曦雅 ,  王君豪 ,  陈铎 ,  许庭玮

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种水平同质结双极性晶体管及其制备方法，属于微电子技术领域，包括：P型掺杂单晶硅、SiO2氧化层、N型MoS2薄膜、P型MoS2薄膜和电极层；其中，SiO2氧化层位于P型掺杂单晶硅的上表面；N型MoS2薄膜和P型MoS2薄膜均位于SiO2氧化层的上表面，且N型MoS2薄膜和P型MoS2薄膜横向连接；电极层分别位于N型MoS2薄膜和P型MoS2薄膜的上表面，各电极层之间不相互连接。N型MoS2薄膜和P型MoS2薄膜均以MoS2作为载流子，载流子迁移率高，界面态少，从而使得对应的水平同质结双极性晶体管放大系数高；另外，本发明所提供的水平同质结双极性晶体管可以设置极小尺寸的基区宽度，以及实现发射区载流子浓度远远大于基区载流子浓度，从而实现极高的共射极放大系数。