公开(公告)号：CN119816189A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411951916.5

申请日：2024-12-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  文郅淇 ,  彭煜 ,  胡元太 ,  杨万里 ,  张文豪 ,  甘卓成 ,  仇乐琪

IPC: H10N30/85 ,  H10N30/87 ,  H10N30/01

Abstract: 本发明属于微电子及压电电子学技术领域，涉及一种具有压电效应的异质结双极型晶体管器件及其制备方法，其包括基底、绝缘层、发射区、集电区及金属电极；所述基底为凸形结构，记所述基底中间凸起部分为基区，两端未凸起部分为衬底；所述基底的两端的衬底上均覆盖所述绝缘层，所述发射区与所述集电区分别位于所述基底两端的绝缘层上；所述金属电极包括第一金属电极、第二金属电极、第三金属电极；所述第一金属电极、第二金属电极、第三金属电极分别设置在所述集电区、发射区以及基区上，且相互之间不接触，所述发射区、集电区的材料均为N型ZnO，所述基底为硅，达到提高其压电效应的稳定性和可调控性的技术效果。