-
公开(公告)号：CN103346168B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310248583.5
申请日：2013-06-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/788 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/8247
Abstract: 本发明公开了一种基于SiCx织构的硅量子点浮栅非易失性半导体存储器及其制备方法，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层；所述电荷存储层包括SiCx织构和横纵向均匀分布于SiCx织构中的硅量子点。本发明有效利用硅量子点-SiCx织构间的隧穿势垒，构成了控制栅氧化层-SiCx织构-Si量子点-SiCx织构-隧穿氧化层双阶梯势垒电荷存储结构；不仅可实现电荷的有效分立存储，增强电荷保持特性，还允许器件具有更薄的隧穿氧化层，加快了电荷的擦写速度，使存储器的综合性能得到全面提升，并为器件的尺寸进一步缩小提供了技术支持。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103618037B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201310606319.4
申请日：2013-11-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含掺杂硅量子点的SiNx薄膜，透明导电薄膜AZO层以及Si3N4钝化层。还公开了该发光二极管的制备方法，利用掺杂硅量子点‑SiNx薄膜的电致发光特性，构成发光二极管的发光有源层；利用掺杂可以钝化量子点，同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的p‑n结增强电子空穴的辐射复合。此外，利用银纳米结构增加电致发光的强度，提高了发光器件的发光效率，且与传统的CMOS工艺兼容。
-
公开(公告)号：CN116028616A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211288538.8
申请日：2022-10-20
Applicant: 华中科技大学 , 中国平安财产保险股份有限公司
IPC: G06F16/335 , G06F16/332 , G06F16/35
Abstract: 本发明公开了一种基于个性扩展的对话生成方法，该方法包括以下步骤：1)根据用户查询和预定义个性信息进行对话个性扩展；2)基于先后验网络构建个性集合的重要性分布模型，获得个性重要性分布；3)根据基于后验网络预测的个性重要性分布，使用加权后的个性信息进行响应解码；4)响应推断，生成查询的对话文本。本发明提出的方法基于自然语言推断和先后验网络，能够更加准确地扩展出符合预定义个性的新个性信息，并且更加有效地学习到响应生成过程中个性集合的利用方式，从而提高对话生成的个性一致性。
-
公开(公告)号：CN103618037A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310606319.4
申请日：2013-11-25
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/005 , H01L33/025 , H01L33/26
Abstract: 本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含掺杂硅量子点的SiNx薄膜，透明导电薄膜AZO层以及Si3N4钝化层。还公开了该发光二极管的制备方法，利用掺杂硅量子点-SiNx薄膜的电致发光特性，构成发光二极管的发光有源层；利用掺杂可以钝化量子点，同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的p-n结增强电子空穴的辐射复合。此外，利用银纳米结构增加电致发光的强度，提高了发光器件的发光效率，且与传统的CMOS工艺兼容。
-
公开(公告)号：CN115982373A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211288281.6
申请日：2022-10-20
Applicant: 中国平安财产保险股份有限公司 , 华中科技大学
IPC: G06F16/36 , G06F16/2458 , G06F16/28 , G06F16/9535 , G06F18/214
Abstract: 本发明公开了一种结合多级交互式对比学习的知识图谱推荐方法，包括以下步骤：1)获取用户‑物品交互协同信息和知识图谱实体关系的知识信息；2)将不同阶的协同信息与知识信息结合，构成局部和非局部的异质图；3)基于构建的用户/物品局部和非局部图，对同一图中局部和非局部两部分信息进行交互和对比；4)局部图和非局部图进行图间的对比学习，利用局部图来提取非局部图中的知识信息；5)根据图内与图间交互式对比学习损失，使用多任务模型训练获得知识图谱推荐结果；6)基于图编码和图内与图间级交互式对比学习的用户和物品表示，预测用户对物品点击的可能性。本发明方法可以提升知识图谱推荐的准确率。
-
公开(公告)号：CN103346168A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310248583.5
申请日：2013-06-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/788 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/8247
Abstract: 本发明公开了一种基于SiCx织构的硅量子点浮栅非易失性半导体存储器及其制备方法，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层；所述电荷存储层包括SiCx织构和横纵向均匀分布于SiCx织构中的硅量子点。本发明有效利用硅量子点-SiCx织构间的隧穿势垒，构成了控制栅氧化层-SiCx织构-Si量子点-SiCx织构-隧穿氧化层双阶梯势垒电荷存储结构；不仅可实现电荷的有效分立存储，增强电荷保持特性，还允许器件具有更薄的隧穿氧化层，加快了电荷的擦写速度，使存储器的综合性能得到全面提升，并为器件的尺寸进一步缩小提供了技术支持。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.018 seconds)
