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公开(公告)号：CN110344013A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910763676.9
申请日：2019-08-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种溅射方法，包括以下步骤：S1，向反应腔室中通入工艺气体；S2，开启溅射电源，且将加载至靶材的溅射电源的输出功率调节至第一溅射功率值，以启辉形成等离子体；S3，将输出功率按第一预设规则提高至第二溅射功率值，以在基片上沉积薄膜；S4，将输出功率按第二预设规则逐渐降低至零；S5，判断薄膜的厚度是否达到目标厚度，若是，则进行步骤S6；若否，则返回步骤S2；S6，关闭溅射电源，及停止向反应腔室中通入工艺气体；其中，先进行步骤S4，后进行步骤S5；或者，先进行步骤S5，后进行步骤S4。本发明提供的溅射方法，可以避免产生微小打火现象，避免产生颗粒污染，从而可以保证薄膜性能，提高器件电性能和良率。
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公开(公告)号：CN114220758B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202111432272.5
申请日：2021-11-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/683 , C23C14/50
Abstract: 本发明提供一种晶圆承载装置及工艺腔室，其中，晶圆承载装置包括基座、静电卡盘、驱动部件和多个顶升部件，静电卡盘设置在基座上，用于吸附并承载晶圆，且静电卡盘能够与基座可选择的吸附；驱动部件与多个顶升部件连接，用于驱动多个顶升部件升降，顶升部件用于在驱动部件的驱动下穿过基座，并与静电卡盘朝向基座的一面相抵，带动静电卡盘升降，使静电卡盘与基座分离或者贴合。本发明提供的晶圆承载装置及工艺腔室能够提高设备利用率及产能，并节省工艺组件，降低成本。
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公开(公告)号：CN110344013B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN201910763676.9
申请日：2019-08-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种溅射方法，包括以下步骤：S1，向反应腔室中通入工艺气体；S2，开启溅射电源，且将加载至靶材的溅射电源的输出功率调节至第一溅射功率值，以启辉形成等离子体；S3，将输出功率按第一预设规则提高至第二溅射功率值，以在基片上沉积薄膜；S4，将输出功率按第二预设规则逐渐降低至零；S5，判断薄膜的厚度是否达到目标厚度，若是，则进行步骤S6；若否，则返回步骤S2；S6，关闭溅射电源，及停止向反应腔室中通入工艺气体；其中，先进行步骤S4，后进行步骤S5；或者，先进行步骤S5，后进行步骤S4。本发明提供的溅射方法，可以避免产生微小打火现象，避免产生颗粒污染，从而可以保证薄膜性能，提高器件电性能和良率。
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公开(公告)号：CN119843228A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510323611.8
申请日：2019-08-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种溅射方法，包括以下步骤：S1，向反应腔室中通入工艺气体；S2，开启溅射电源，且将加载至靶材的溅射电源的输出功率调节至第一溅射功率值，以启辉形成等离子体；S3，将输出功率按第一预设规则提高至第二溅射功率值，以在基片上沉积薄膜；S4，将输出功率按第二预设规则逐渐降低至零；S5，判断薄膜的厚度是否达到目标厚度，若是，则进行步骤S6；若否，则返回步骤S2；S6，关闭溅射电源，及停止向反应腔室中通入工艺气体；其中，先进行步骤S4，后进行步骤S5；或者，先进行步骤S5，后进行步骤S4。本发明提供的溅射方法，可以避免产生微小打火现象，避免产生颗粒污染，从而可以保证薄膜性能，提高器件电性能和良率。
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公开(公告)号：CN113517211B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110413686.7
申请日：2021-04-16
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/02 , C23C14/35 , C23C14/50
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备及薄膜沉积方法，其中，半导体工艺设备包括工艺腔室、承载部件和冷却部件，承载部件可移动地设置在工艺腔室中，用于承载晶圆；冷却部件设置在工艺腔室中，并位于承载部件的下方，用于在承载部件移动至靠近冷却部件时，对承载部件进行冷却。本发明提供的半导体工艺设备及薄膜沉积方法，能够减少承载部件降温至满足工艺要求所需的时间，从而提高冷却效率，提升产能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114220758A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111432272.5
申请日：2021-11-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/683 , C23C14/50
Abstract: 本发明提供一种晶圆承载装置及工艺腔室，其中，晶圆承载装置包括基座、静电卡盘、驱动部件和多个顶升部件，静电卡盘设置在基座上，用于吸附并承载晶圆，且静电卡盘能够与基座可选择的吸附；驱动部件与多个顶升部件连接，用于驱动多个顶升部件升降，顶升部件用于在驱动部件的驱动下穿过基座，并与静电卡盘朝向基座的一面相抵，带动静电卡盘升降，使静电卡盘与基座分离或者贴合。本发明提供的晶圆承载装置及工艺腔室能够提高设备利用率及产能，并节省工艺组件，降低成本。
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公开(公告)号：CN111235535B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202010073789.9
申请日：2020-01-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供了一种溅射反应腔室的工艺组件及溅射反应腔室，其中，该工艺组件包括：内衬，内衬中设置有水道，内衬包括本体部和盖板部，本体部呈环状，盖板部由本体部的底部且沿本体部径向延伸，并与本体部一体成型设置，盖板部用于在进行工艺时固定晶圆；水道设置于盖板部和本体部中。通过改变工艺组件中内衬的结构，使盖板部与内衬的本体部形成一体化的内衬结构，同时在内衬中通水冷却，实现了对盖板部区域的有效冷却，进而扩大靠近晶圆的冷却区域，从而最大限度减少了晶圆上的热量积累，保证温度的稳定，减少工艺过程中气体和杂质的释放，进一步降低薄膜应力变化，控制晶须缺陷的产生，提升产品良率。
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公开(公告)号：CN113517211A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110413686.7
申请日：2021-04-16
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/02 , C23C14/35 , C23C14/50
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备及薄膜沉积方法，其中，半导体工艺设备包括工艺腔室、承载部件和冷却部件，承载部件可移动地设置在工艺腔室中，用于承载晶圆；冷却部件设置在工艺腔室中，并位于承载部件的下方，用于在承载部件移动至靠近冷却部件时，对承载部件进行冷却。本发明提供的半导体工艺设备及薄膜沉积方法，能够减少承载部件降温至满足工艺要求所需的时间，从而提高冷却效率，提升产能。
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公开(公告)号：CN111235535A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010073789.9
申请日：2020-01-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供了一种溅射反应腔室的工艺组件及溅射反应腔室，其中，该工艺组件包括：内衬，内衬中设置有水道，内衬包括本体部和盖板部，本体部呈环状，盖板部由本体部的底部且沿本体部径向延伸，并与本体部一体成型设置，盖板部用于在进行工艺时固定晶圆；水道设置于盖板部和本体部中。通过改变工艺组件中内衬的结构，使盖板部与内衬的本体部形成一体化的内衬结构，同时在内衬中通水冷却，实现了对盖板部区域的有效冷却，进而扩大靠近晶圆的冷却区域，从而最大限度减少了晶圆上的热量积累，保证温度的稳定，减少工艺过程中气体和杂质的释放，进一步降低薄膜应力变化，控制晶须缺陷的产生，提升产品良率。
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公开(公告)号：CN222524665U
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202420265263.4
申请日：2024-02-02
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本实用新型提供一种反应源供给装置，包括容纳部件、载气输送部件和匀流分散部件，容纳部件用于容纳液体反应源，并能够与半导体设备的反应腔室连通；载气输送部件包括载气输送主管和与载气输送主管分别连通的多个载气输送支管，载气输送主管用于分别向多个载气输送支管输送载气，每个载气输送支管均具有载气出口，载气出口位于容纳部件内，载气出口用于排出载气输送支管内的载气，匀流分散部件设置在载气出口，用于将经载气出口排出的载气匀流分散形成气泡。本实用新型提供的反应源供给装置，能够提高半导体反应的速率及产能，并能够减少颗粒物的产生。
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