公开(公告)号：CN119361480A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411498389.7

申请日：2024-10-24

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 杨延铭 ,  茅兴飞 ,  王伟 ,  李岩 ,  杨纪鹏 ,  程超杰 ,  王英杰 ,  廖凤英 ,  姚卫杰

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明公开一种半导体工艺腔室，所公开的半导体工艺腔包括腔室本体、基座和第一内衬，其中，所述基座设于所述腔室本体内，所述第一内衬活动地设于所述腔室本体内，所述第一内衬环绕所述基座设置，且位于所述基座与所述腔室本体之间；在所述半导体工艺腔室进行沉积工艺时，所述第一内衬移动至第一位置，所述第一内衬的至少部分高于所述基座的承载面；在所述半导体工艺腔室进行刻蚀工艺时，所述第一内衬移动至第二位置，所述第一内衬低于所述承载面或与所述承载面平齐。上述方案可以解决相关技术中的工艺腔室在进行刻蚀工艺的过程中，沉积在腔室内壁上的膜层容易掉落在晶圆上，而对晶圆造成污染的问题。

公开(公告)号：CN112331547B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202011155612.X

申请日：2020-10-26

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 王伟 ,  马恩泽

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备包括：工艺腔室、负载腔室及传输腔室；工艺腔室内设置有用于承载晶圆的基座,基座上设置有聚焦环；负载腔室内设置有多个子腔室，每个子腔室内均设置有支撑组件，支撑组件用于承载晶圆及聚焦环，至少一个子腔室内的支撑组件还用于承载聚焦环；多个工艺腔室及多个负载腔室环绕设置于传输腔室的外周，与传输腔室选择性连通，传输腔室内设置有机械手结构，机械手结构用于在负载腔室及工艺腔室之间传送晶圆或聚焦环。本申请实施例大幅减少了负载腔室的状态切换时间，从而大幅提高了传输腔室的传输效率以及半导体工艺设备可以挂接工艺腔室的数量，进而大幅提高了半导体工艺设备的生产效率。

公开(公告)号：CN108987237B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN201810864893.2

申请日：2018-08-01

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 王伟

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明实施例公开了一种反应腔室以及等离子体设备，反应腔室包括：腔室本体、内衬、支撑组件和升降驱动装置；内衬包括：第一内衬和第二内衬；第二内衬同轴外套或内套于第一内衬上，在第一内衬与第二内衬之间具有间隙，升降驱动装置用于驱动第二内衬上升或下降；在对晶圆进行工艺处理时，第一内衬和第二内衬的重叠部分的长度为预定长度，使得晶圆位于由第一内衬和第二内衬围成的工艺区域内。本发明的反应腔室以及等离子体设备，可以在工艺处理过程中将等离子体限定在一定的工艺区域内，同时能够保护腔室本体的内壁不被刻蚀，提高了工艺过程中的气流均匀性，能够保证工艺长时间稳定，使晶圆中心到边缘的刻蚀结果有较好的一致性，提高产品良率。

公开(公告)号：CN115394627A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202211032710.3

申请日：2022-08-26

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 戴庚霖 ,  茅兴飞 ,  李岩 ,  王松 ,  刘晓行 ,  王伟 ,  杨纪鹏 ,  杨延铭 ,  姚卫杰

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请提供了一种半导体工艺设备及其下电极装置，涉及半导体制造领域，其中设置了连接机构，连接机构中的射频转接件将射频传输件与卡盘电连接，射频通过射频传输件和射频转接件馈入卡盘中；连接机构中的第一转接线路将第一线缆输出的第一交流电信号导入卡盘中的第一加热元件，进而实现卡盘的加热功能。射频转接件与卡盘之间具有屏蔽腔，第一电路转接板设置在屏蔽腔中，避免了射频对第一电路转接板的干扰。本申请取消了陶瓷绝缘盘与卡盘之间的树脂转接盘，由第一电路转接板对转接电路进行支撑和固定。树脂转接盘所在空间由空气填充，空气的介电常数小于树脂的介电常数，可减小卡盘的对地电容。

公开(公告)号：CN114895728A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210480887.3

申请日：2022-05-05

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 沈浩 ,  王伟

IPC: G05D23/30 ,  H01J37/305 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种温控装置及半导体工艺设备，温控装置应用于半导体工艺设备，用于对介质窗的温度进行控制，温控装置包括换热结构、循环部件和温控组件，其中，换热结构设置于介质窗上，且在介质窗上的正投影呈渐开线状；循环部件与换热结构连通，用于向换热结构中输送换热介质，换热介质能够在换热结构和循环部件中循环并与介质窗进行热交换；温控组件设置于循环部件上，用于控制换热介质的温度。本发明提供的温控装置及半导体工艺设备，能够提高介质窗的温度均匀性，避免介质窗的损坏，并能够提高对介质窗的控温效率。

公开(公告)号：CN109994356B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201711476729.6

申请日：2017-12-29

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 王伟

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种反应腔室和半导体加工设备，反应腔室包括基座、射频连接件及射频源，射频连接件用于将射频源引入至所述基座，以为基座提供射频功率，还包括位于反应腔室内部的射频屏蔽件，射频屏蔽件具有容纳空间，射频连接件位于射频屏蔽件的容纳空间内，以对射频连接件进行电磁屏蔽。该反应腔室既能防止射频功率向外扩散，又能避免基座、设备通道内的线缆的电磁干扰，从而能够提高偏置射频的耦合效率。

公开(公告)号：CN110349910B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201810305925.5

申请日：2018-04-08

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 白志民 ,  李强 ,  耿宏伟 ,  彭文芳 ,  魏延宝 ,  丁培军 ,  王伟

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种腔室盖、工艺腔室和半导体处理设备。腔室盖用于透光，包括盖本体和吸收层，盖本体具有受光表面，吸收层设置在受光表面的预定区域，用于吸收照射至所述预定区域的部分光，以使预定区域的透光率满足预定值。通过在受光表面上的预定区域所设置的吸收层，改变腔室盖在预定区域的透光率，可以使得晶圆各位置处的介电常数和硬度基本相同，提高片内均匀性，改善晶圆的性能。同时，本发明的腔室盖，结构简单，并不需要为了提高片内均匀性所引入复杂的光路设计的结构，因此，可以有效降低制作成本，提高经济效益。

公开(公告)号：CN119943703A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202311458509.6

申请日：2023-11-03

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 李东芳 ,  王伟 ,  王喜健 ,  茅兴飞 ,  冯辉彩

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种半导体工艺腔室以及排液方法。其中，半导体工艺腔室包括设置于腔室主体外壁上的第一控温主体；第一控温主体中具有用于供热交换液流动的控温通道，且控温通道具有多条第一管段和第二管段，第一管段的两端分别与高于其端部的管段连接，第二管段位于控温通道的最底端且水平延伸；第一控温主体中还具有辅助排液通道，辅助排液通道与多条第一管段和第二管段连通；半导体工艺腔室还包括设置于辅助排液通道中开关组件；开关组件用于在第一状态时阻挡液体在辅助排液通道中流动；开关组件用于在第二状态时使多条第一管段中的液体通过辅助排液通道流入第二管段中，从而避免积液在低温环境下凝固而导致多条第一管段损坏。

公开(公告)号：CN111564399B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202010448855.6

申请日：2020-05-25

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 丁伟 ,  王伟

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备中的匀流机构及半导体工艺设备。该匀流机构设置于半导体工艺设备的工艺腔室内，用于对进入工艺腔室的工艺气体进行匀流，包括：环形本体及环形盖板；环形本体的顶面开设有沿周向延伸的凹槽，凹槽的底部开设有匀流道，环形本体的底面开设多个与匀流道连通的匀流孔；环形盖板的顶面上设置有进气通道，进气通道用于将工艺气体导入匀流道内，环形盖板可拆卸的盖合于环形本体的顶面，并且与环形本体的凹槽密封连接。本申请实施例的尺寸和公差精度易于保证，而且具有制造周期短及加工成本低等优点，各部件易于更换能避免整体报废的情况，显著地降低应用和维护成本，另外还提高匀流道内表面的质量及耐腐蚀性。

公开(公告)号：CN115421419A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202211058110.4

申请日：2022-08-31

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 张汉石 ,  沈浩 ,  王伟

IPC: G05B19/042

Abstract: 本申请公开了一种上电极搭头处理电路、开盖机构及半导体设备。上电极搭头处理电路包括第一控制开关和搭头检测电路。第一控制开关串接于第一供电支路与驱动装置之间；搭头检测电路在检测到上电极发生搭头现象时，控制第一控制开关闭合，以使第一供电支路向驱动装置供电，驱动装置带动上电极下降，使上电极回落到反应腔上。可见，本申请在开盖机构提升上电极时，可检测上电极是否发生搭头现象，并在上电极发生搭头现象时，将原有的上电极提升动作自动转换为上电极下降动作，使上电极回落到反应腔上，从而及时发现上电极发生搭头现象并处理，避免上电极的四个边角的悬垂量差距过大引发一系列问题，保证设备开盖过程的安全可靠。