-
公开(公告)号：CN110544660B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201810873260.8
申请日：2018-08-02
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 一种模块化晶圆传输系统和半导体设备，模块化晶圆传输系统包括相互独立的装载台模块、前端模块、过渡腔室模块和传输腔室模块，其中：装载台模块与前端模块相连接；前端模块与传输腔室模块之间以及各传输腔室模块之间通过过渡腔室模块相连接。本发明可以通过过渡腔室模块将多个传输腔室模块相连接，从而增加单台设备可集成的工艺模块数量，进而实现晶圆前后道工艺在单台设备中连续传输。
-
公开(公告)号：CN110349910B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201810305925.5
申请日：2018-04-08
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种腔室盖、工艺腔室和半导体处理设备。腔室盖用于透光，包括盖本体和吸收层，盖本体具有受光表面，吸收层设置在受光表面的预定区域，用于吸收照射至所述预定区域的部分光，以使预定区域的透光率满足预定值。通过在受光表面上的预定区域所设置的吸收层，改变腔室盖在预定区域的透光率，可以使得晶圆各位置处的介电常数和硬度基本相同，提高片内均匀性，改善晶圆的性能。同时，本发明的腔室盖，结构简单，并不需要为了提高片内均匀性所引入复杂的光路设计的结构，因此，可以有效降低制作成本，提高经济效益。
-
公开(公告)号：CN110484897A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201810456369.1
申请日：2018-05-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供了一种晶片用调温装置，包括：加热体、冷却体以及调温件，其中，所述加热体包括第一导热面，所述冷却体包括第二导热面，所述第一导热面和所述第二导热面相对设置，且二者具有间隙；所述调温件位于所述第一导热面和所述第二导热面之间，且所述调温件分别与所述第一导热面和所述第二导热面接触；通过调节所述调温件分别与所述第一导热面和所述第二导热面接触的接触量能调节所述加热体向所述冷却体的传热功率。本发明该提供了一种半导体设备，所述调温装置可以适应不同的工艺温度、降低设备成本并且隔热效果良好。
-
公开(公告)号：CN110484897B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201810456369.1
申请日：2018-05-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供了一种晶片用调温装置，包括：加热体、冷却体以及调温件，其中，所述加热体包括第一导热面，所述冷却体包括第二导热面，所述第一导热面和所述第二导热面相对设置，且二者具有间隙；所述调温件位于所述第一导热面和所述第二导热面之间，且所述调温件分别与所述第一导热面和所述第二导热面接触；通过调节所述调温件分别与所述第一导热面和所述第二导热面接触的接触量能调节所述加热体向所述冷却体的传热功率。本发明该提供了一种半导体设备，所述调温装置可以适应不同的工艺温度、降低设备成本并且隔热效果良好。
-
公开(公告)号：CN110289226A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201810226568.3
申请日：2018-03-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种工艺腔室和半导体处理设备。所述工艺腔室包括腔室本体和LED灯源，LED灯源用于朝向腔室本体内的待处理工件发出光线，所述LED灯源包括灯罩和在所述灯罩内设置的至少一个LED芯片，每个所述LED芯片均能够发出预定波长的光线。本发明的工艺腔室，采用至少一个LED芯片作为发光单元，可以使得LED芯片在灯罩内灵活排布，其次，LED芯片的发光效率较高、发热量小、寿命较高，因此维护成本较低。此外，当待处理工件为待处理介质层时，合理选用所需要的预定波长，可以提高对Low-k材料中C-SI，C-H，H-O等键的裂解作用，从而形成SI-O-SI键，可以有效降低介电常数K值，并且可以有效增加Low-k的机械强度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108231526A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201611153582.2
申请日：2016-12-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
CPC classification number: H01J37/3411 , C23C14/34 , H01J37/3441 , H01L21/6719
Abstract: 本发明公开了一种腔室及半导体设备。该腔室包括腔体、设置在腔体底部的基座、套置在腔体内壁的屏蔽环、叠置在屏蔽环下表面边缘区域的遮蔽环，且遮蔽环位于基座边缘区域上方，该腔室还包括环绕基座外周壁设置的导通装置，并且基座外周壁接地。在工艺时，基座带动导通装置上升，当基座顶起遮蔽环时，遮蔽环与屏蔽环之间形成间隙，导通装置将屏蔽环与基座外周壁进行电连接导通。本发明的半导体设备包含本发明的腔室。本发明的腔室和半导体设备通过导通装置使得工艺时产生等离子的区域和基座下方腔室被接地回路完全阻隔，阻止了甚高频从屏蔽环与遮蔽环之间的间隙泄露至基座下方，防止了基座下方启辉。
-
公开(公告)号：CN108231526B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201611153582.2
申请日：2016-12-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种腔室及半导体设备。该腔室包括腔体、设置在腔体底部的基座、套置在腔体内壁的屏蔽环、叠置在屏蔽环下表面边缘区域的遮蔽环，且遮蔽环位于基座边缘区域上方，该腔室还包括环绕基座外周壁设置的导通装置，并且基座外周壁接地。在工艺时，基座带动导通装置上升，当基座顶起遮蔽环时，遮蔽环与屏蔽环之间形成间隙，导通装置将屏蔽环与基座外周壁进行电连接导通。本发明的半导体设备包含本发明的腔室。本发明的腔室和半导体设备通过导通装置使得工艺时产生等离子的区域和基座下方腔室被接地回路完全阻隔，阻止了甚高频从屏蔽环与遮蔽环之间的间隙泄露至基座下方，防止了基座下方启辉。
-
公开(公告)号：CN108231525B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201611153550.2
申请日：2016-12-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种腔室及半导体设备。该腔室包括腔体、设置在腔体底部的基座、套置在腔体内壁的屏蔽环、叠置在屏蔽环下表面边缘区域的遮蔽环，且遮蔽环位于基座边缘区域上方，该腔室还包括屏蔽装置，其中，屏蔽装置环绕基座设置、且位于屏蔽环下方，用于密封屏蔽环和遮蔽环之间的间隙，间隙在基座上升顶起遮蔽环后形成。本发明的半导体设备包含本发明的腔室。本发明的腔室和半导体设备通过屏蔽装置阻止了在工艺时甚高频从屏蔽环与遮蔽环之间的间隙泄露，防止了基座下方启辉，在不同靶基距进行工艺时充分利用了甚高频，提高了溅射薄膜的质量。
-
公开(公告)号：CN110349910A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201810305925.5
申请日：2018-04-08
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种腔室盖、工艺腔室和半导体处理设备。腔室盖用于透光，包括盖本体和吸收层，盖本体具有受光表面，吸收层设置在受光表面的预定区域，用于吸收照射至所述预定区域的部分光，以使预定区域的透光率满足预定值。通过在受光表面上的预定区域所设置的吸收层，改变腔室盖在预定区域的透光率，可以使得晶圆各位置处的介电常数和硬度基本相同，提高片内均匀性，改善晶圆的性能。同时，本发明的腔室盖，结构简单，并不需要为了提高片内均匀性所引入复杂的光路设计的结构，因此，可以有效降低制作成本，提高经济效益。
-
公开(公告)号：CN110544660A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201810873260.8
申请日：2018-08-02
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 一种模块化晶圆传输系统和半导体设备，模块化晶圆传输系统包括相互独立的装载台模块、前端模块、过渡腔室模块和传输腔室模块，其中：装载台模块与前端模块相连接；前端模块与传输腔室模块之间以及各传输腔室模块之间通过过渡腔室模块相连接。本发明可以通过过渡腔室模块将多个传输腔室模块相连接，从而增加单台设备可集成的工艺模块数量，进而实现晶圆前后道工艺在单台设备中连续传输。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.025 seconds)
