公开(公告)号：CN110534403B

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN201810514237.X

申请日：2018-05-25

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 王军 ,  董博宇 ,  李丽 ,  郭冰亮 ,  马怀超 ,  武学伟 ,  王桐 ,  徐宝岗 ,  刘绍辉 ,  张鹤南 ,  孙颖

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种在硅衬底上沉积氮化铝薄膜的方法，包括步骤S1、对待处理硅衬底进行预清洗，以去除待处理硅衬底表面的氧化层；步骤S2、将预清洗后的待处理硅衬底进行烘烤；步骤S3、对工艺腔室上的铝靶材进行预清洗，以去除铝靶材表面的氮化铝膜层；步骤S4、向工艺腔室内通入惰性气体，将惰性气体激发为等离子体后轰击预清洗后的铝靶材，以在预清洗后的待处理硅衬底表面沉积铝膜层，其中，惰性气体不与铝靶材发生反应；步骤S5、向工艺腔室内通入惰性气体和氮气，将惰性气体和氮气激发为等离子体后继续轰击铝靶材，以在步骤S4中获得的待处理硅衬底表面沉积氮化铝膜层。本发明还提供一种硅片，所述方法可以在硅衬底上制备高结晶质量的氮化铝膜层。

公开(公告)号：CN110534403A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201810514237.X

申请日：2018-05-25

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 王军 ,  董博宇 ,  李丽 ,  郭冰亮 ,  马怀超 ,  武学伟 ,  王桐 ,  徐宝岗 ,  刘绍辉 ,  张鹤南 ,  孙颖

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种在硅衬底上沉积氮化铝薄膜的方法，包括步骤S1、对待处理硅衬底进行预清洗，以去除待处理硅衬底表面的氧化层；步骤S2、将预清洗后的待处理硅衬底进行烘烤；步骤S3、对工艺腔室上的铝靶材进行预清洗，以去除铝靶材表面的氮化铝膜层；步骤S4、向工艺腔室内通入惰性气体，将惰性气体激发为等离子体后轰击预清洗后的铝靶材，以在预清洗后的待处理硅衬底表面沉积铝膜层，其中，惰性气体不与铝靶材发生反应；步骤S5、向工艺腔室内通入惰性气体和氮气，将惰性气体和氮气激发为等离子体后继续轰击铝靶材，以在步骤S4中获得的待处理硅衬底表面沉积氮化铝膜层。本发明还提供一种硅片，所述方法可以在硅衬底上制备高结晶质量的氮化铝膜层。

公开(公告)号：CN110344013A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910763676.9

申请日：2019-08-19

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 邓斌 ,  白志民 ,  李强 ,  耿宏伟 ,  孙颖 ,  韩立仁

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明提供一种溅射方法，包括以下步骤：S1，向反应腔室中通入工艺气体；S2，开启溅射电源，且将加载至靶材的溅射电源的输出功率调节至第一溅射功率值，以启辉形成等离子体；S3，将输出功率按第一预设规则提高至第二溅射功率值，以在基片上沉积薄膜；S4，将输出功率按第二预设规则逐渐降低至零；S5，判断薄膜的厚度是否达到目标厚度，若是，则进行步骤S6；若否，则返回步骤S2；S6，关闭溅射电源，及停止向反应腔室中通入工艺气体；其中，先进行步骤S4，后进行步骤S5；或者，先进行步骤S5，后进行步骤S4。本发明提供的溅射方法，可以避免产生微小打火现象，避免产生颗粒污染，从而可以保证薄膜性能，提高器件电性能和良率。

公开(公告)号：CN110344013B

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN201910763676.9

申请日：2019-08-19

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 邓斌 ,  白志民 ,  李强 ,  耿宏伟 ,  孙颖 ,  韩立仁

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明提供一种溅射方法，包括以下步骤：S1，向反应腔室中通入工艺气体；S2，开启溅射电源，且将加载至靶材的溅射电源的输出功率调节至第一溅射功率值，以启辉形成等离子体；S3，将输出功率按第一预设规则提高至第二溅射功率值，以在基片上沉积薄膜；S4，将输出功率按第二预设规则逐渐降低至零；S5，判断薄膜的厚度是否达到目标厚度，若是，则进行步骤S6；若否，则返回步骤S2；S6，关闭溅射电源，及停止向反应腔室中通入工艺气体；其中，先进行步骤S4，后进行步骤S5；或者，先进行步骤S5，后进行步骤S4。本发明提供的溅射方法，可以避免产生微小打火现象，避免产生颗粒污染，从而可以保证薄膜性能，提高器件电性能和良率。

公开(公告)号：CN119843228A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202510323611.8

申请日：2019-08-19

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 邓斌 ,  白志民 ,  李强 ,  耿宏伟 ,  孙颖 ,  韩立仁

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明提供一种溅射方法，包括以下步骤：S1，向反应腔室中通入工艺气体；S2，开启溅射电源，且将加载至靶材的溅射电源的输出功率调节至第一溅射功率值，以启辉形成等离子体；S3，将输出功率按第一预设规则提高至第二溅射功率值，以在基片上沉积薄膜；S4，将输出功率按第二预设规则逐渐降低至零；S5，判断薄膜的厚度是否达到目标厚度，若是，则进行步骤S6；若否，则返回步骤S2；S6，关闭溅射电源，及停止向反应腔室中通入工艺气体；其中，先进行步骤S4，后进行步骤S5；或者，先进行步骤S5，后进行步骤S4。本发明提供的溅射方法，可以避免产生微小打火现象，避免产生颗粒污染，从而可以保证薄膜性能，提高器件电性能和良率。