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公开(公告)号：CN110468377B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201810450381.1
申请日：2018-05-11
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
Abstract: 本发明提供一种腔室及半导体加工设备，在腔室内设置有工艺组件及用于在腔室空闲时烘烤工艺组件的加热装置，还包括温度监控装置，用于监测工艺组件的温度；根据工艺组件的温度，来调节加热装置的输出功率，以将工艺组件的温度维持在目标温度。本发明提供的腔室，其可以避免因工艺组件的温度波动大而造成的颗粒增加，从而可以延长工艺组件清洗周期，提高机台利用率。
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公开(公告)号：CN110468377A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201810450381.1
申请日：2018-05-11
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
Abstract: 本发明提供一种腔室及半导体加工设备，在腔室内设置有工艺组件及用于在腔室空闲时烘烤工艺组件的加热装置，还包括温度监控装置，用于监测工艺组件的温度；根据工艺组件的温度，来调节加热装置的输出功率，以将工艺组件的温度维持在目标温度。本发明提供的腔室，其可以避免因工艺组件的温度波动大而造成的颗粒增加，从而可以延长工艺组件清洗周期，提高机台利用率。
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公开(公告)号：CN117810772A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202211174813.3
申请日：2022-09-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01R13/648 , H01R13/6581 , H01L21/67 , C23C14/34
Abstract: 本申请公开了一种接地环组件及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种接地环组件，包括接地件、滑动件和弹性件，接地件用于与基座组件连接，滑动件沿第一方向可滑动地设置于接地件，弹性件连接滑动件与接地件，滑动件具有接触面；在接地环组件上升的情况下，接触面能够与屏蔽件接触，以使基座组件、接地件、滑动件及屏蔽件电导通，且接触面相对于屏蔽件可滑动。一种半导体工艺设备，包括上述接地环组件。本申请能够解决接地环境不良造成等离子体泄漏、打火现象等问题。
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公开(公告)号：CN113699495B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202110684599.5
申请日：2021-06-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射组件，包括固定盘、旋转驱动机构和设置在固定盘上的磁控管，旋转驱动机构用于驱动固定盘旋转，磁控管包括多个磁极，多个磁极沿多条互相嵌套的螺旋状曲线依次排列，沿任一螺旋状曲线排列的多个磁极的极性与沿相邻的螺旋状曲线排列的多个磁极的极性相反，且沿任一螺旋状曲线排列的多个磁极中位于曲线中心的至少一个磁极的极性与其他磁极的极性相反。本发明提供的技术方案提高了磁控管旋转产生的磁场的场强分布均匀性，进而提高了磁控溅射反应中薄膜沉积速率的均匀性。本发明还提供一种磁控溅射设备和磁控溅射方法。
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公开(公告)号：CN110544646A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201811020733.6
申请日：2018-09-03
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 一种加热基座、工艺腔室及退火方法，加热基座包括基座主体，基座主体的上表面设有多个凸台，基座主体的上表面设有匀流槽，基座主体内设有气体通道，气体通道的一端与匀流槽连通。保护气体可沿环形的匀流槽扩散到基座主体的整个上表面，从而在基座主体的上表面形成气体保护层，防止有机物进入基片与基座主体之间的缝隙，避免基座主体表面污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110344013B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN201910763676.9
申请日：2019-08-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种溅射方法，包括以下步骤：S1，向反应腔室中通入工艺气体；S2，开启溅射电源，且将加载至靶材的溅射电源的输出功率调节至第一溅射功率值，以启辉形成等离子体；S3，将输出功率按第一预设规则提高至第二溅射功率值，以在基片上沉积薄膜；S4，将输出功率按第二预设规则逐渐降低至零；S5，判断薄膜的厚度是否达到目标厚度，若是，则进行步骤S6；若否，则返回步骤S2；S6，关闭溅射电源，及停止向反应腔室中通入工艺气体；其中，先进行步骤S4，后进行步骤S5；或者，先进行步骤S5，后进行步骤S4。本发明提供的溅射方法，可以避免产生微小打火现象，避免产生颗粒污染，从而可以保证薄膜性能，提高器件电性能和良率。
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公开(公告)号：CN119843228A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510323611.8
申请日：2019-08-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种溅射方法，包括以下步骤：S1，向反应腔室中通入工艺气体；S2，开启溅射电源，且将加载至靶材的溅射电源的输出功率调节至第一溅射功率值，以启辉形成等离子体；S3，将输出功率按第一预设规则提高至第二溅射功率值，以在基片上沉积薄膜；S4，将输出功率按第二预设规则逐渐降低至零；S5，判断薄膜的厚度是否达到目标厚度，若是，则进行步骤S6；若否，则返回步骤S2；S6，关闭溅射电源，及停止向反应腔室中通入工艺气体；其中，先进行步骤S4，后进行步骤S5；或者，先进行步骤S5，后进行步骤S4。本发明提供的溅射方法，可以避免产生微小打火现象，避免产生颗粒污染，从而可以保证薄膜性能，提高器件电性能和良率。
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公开(公告)号：CN118522657A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202310180855.6
申请日：2023-02-17
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , C23C14/34 , C23C14/04 , C23C14/50 , C23C14/16 , H01L21/687 , H01L21/677
Abstract: 本申请公开一种半导体工艺腔室，属于半导体工艺技术。该工艺腔室包括：腔体，侧壁设置有传片口；基座，包括用于承载晶圆的开设有多个通孔的第一表面；工艺组件，包括沉积环、隔离环以及遮盖环，以共同配合围绕第一表面设置，进而在腔体的上部形成工艺隔离空间；升降支撑组件，升降连接于腔体的底壁上，其多个第一支撑体的顶端均用于抵接遮盖环的下表面，以通过驱动遮盖环升降，实现工艺隔离空间与传片口的活动连通，其多个第二支撑体的顶端一一对应置于多个通孔中，且其多个第一支撑体的顶端所在的最高平面高于其多个第二支撑体的顶端所在的最高平面。本技术方案可在无基座升降机构下满足工艺腔室的传片和工艺需求，以有效降低腔室的整体高度。
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公开(公告)号：CN113451188B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202110714585.3
申请日：2021-06-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 耿宏伟
IPC: H01L21/677 , C23C14/22
Abstract: 本申请公开了一种反应腔室、半导体工艺设备及半导体工艺方法，涉及半导体工艺领域。一种反应腔室包括：腔室主体；承载机构，设置在所述腔室主体中，用于承载晶圆；第一传输机构，设置在所述腔室主体中，用于在所述承载机构与所述腔室主体内的第一容纳区域之间传输晶圆；第二传输机构，设置在所述腔室主体中，用于在所述承载机构与所述腔室主体内的第二容纳区域之间传输工艺遮挡件。一种半导体工艺设备包括上述反应腔室。一种半导体工艺方法应用于上述半导体工艺设备。本申请能够解决在进行多种薄膜沉积工艺过程中，由于晶圆多次传入或传出腔室，导致机械手长时间被占而影响产能等问题。
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公开(公告)号：CN112017934B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201910470037.3
申请日：2019-05-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种压力控制方法及系统，用于对传输平台中的腔室进行压力控制，该方法包括以下步骤：S1：对所述腔室进行本底抽气，直至所述腔室的压力达到预设本底压力值；S2：向所述腔室充气，在第一设定时间后停止充气；S3：以预定抽气速度对所述腔室进行抽气，直至所述腔室中的压力达到目标压力值为止。通过本发明，降低了传输平台的压力控制成本。
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