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公开(公告)号：CN110544645B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201810522206.9
申请日：2018-05-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明公开了一种工艺腔室用匀流件、工艺腔室和半导体处理设备。包括相连通的匀流主体管和插接管，其中，所述插接管的一端与所述匀流主体管连通，另一端用于与所述工艺腔室的进气口连通；所述匀流主体管呈环状结构，所述环状结构的周向上间隔设置有多个匀流出气口，以对经所述进气口进入所述匀流主体管内的工艺气体进行匀流。通过所设置的多个匀流出气口对工艺气体进行匀流后再扩散至工艺腔室内，从而可以使得工艺气体在工艺腔室内均匀分布，进而可以产生密度均匀的等离子体，提高所沉积膜层的厚度的均匀性，降低产品的制作成本。
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公开(公告)号：CN110534403A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201810514237.X
申请日：2018-05-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供了一种在硅衬底上沉积氮化铝薄膜的方法，包括步骤S1、对待处理硅衬底进行预清洗，以去除待处理硅衬底表面的氧化层；步骤S2、将预清洗后的待处理硅衬底进行烘烤；步骤S3、对工艺腔室上的铝靶材进行预清洗，以去除铝靶材表面的氮化铝膜层；步骤S4、向工艺腔室内通入惰性气体，将惰性气体激发为等离子体后轰击预清洗后的铝靶材，以在预清洗后的待处理硅衬底表面沉积铝膜层，其中，惰性气体不与铝靶材发生反应；步骤S5、向工艺腔室内通入惰性气体和氮气，将惰性气体和氮气激发为等离子体后继续轰击铝靶材，以在步骤S4中获得的待处理硅衬底表面沉积氮化铝膜层。本发明还提供一种硅片，所述方法可以在硅衬底上制备高结晶质量的氮化铝膜层。
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公开(公告)号：CN107488832B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201610407585.8
申请日：2016-06-12
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种沉积设备，包括第一腔室、第二腔室以及第三腔室。第一腔室经配置用以载入基板。第二腔室配置用以提供高温环境，以使得基板于第二腔室内进行排气工艺以及溅射工艺。第三腔室设置于第一腔室以及第二腔室之间。第三腔室经配置用以将基板由第一腔室通过第三腔室直接传输至第二腔室。本发明还提供一种物理气相沉积腔室，包括腔室本体、靶材、承载底座以及热源；承载底座设置于腔室本体内，用以承载基板；热源设置于腔室本体内，热源经配置用以将腔室本体加热至高温环境，以对基板进行排气工艺以及溅射工艺。本发明提供的沉积设备以及物理气相沉积腔室，可省去额外的预热/排气腔室并进而达到减少设备体积与成本的效果。
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公开(公告)号：CN109854491A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201711236067.5
申请日：2017-11-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种冷泵再生控制方法、装置及半导体加工设备。冷泵再生控制方法包括以下步骤：步骤S1，至少一个冷泵接收到冷泵再生指令后开始再生；步骤S2，在冷泵再生时，监控所述冷泵的再生状态，若所述冷泵结束排气，则终止所述冷泵的再生；步骤S3，所述冷泵申请干泵的使用权，所述干泵的数量小于或等于所述冷泵的数量；步骤S4，若所述冷泵获得所述干泵的使用权，则再次开始所述冷泵的再生；步骤S5，监控所述冷泵的再生状态，若所述冷泵开始降温，则释放所述干泵的使用权。该冷泵再生控制方法减少了冷泵再生过程中占用干泵的时间，缩短了半导体加工设备的维护时间，从而间接提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN110534403B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201810514237.X
申请日：2018-05-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供了一种在硅衬底上沉积氮化铝薄膜的方法，包括步骤S1、对待处理硅衬底进行预清洗，以去除待处理硅衬底表面的氧化层；步骤S2、将预清洗后的待处理硅衬底进行烘烤；步骤S3、对工艺腔室上的铝靶材进行预清洗，以去除铝靶材表面的氮化铝膜层；步骤S4、向工艺腔室内通入惰性气体，将惰性气体激发为等离子体后轰击预清洗后的铝靶材，以在预清洗后的待处理硅衬底表面沉积铝膜层，其中，惰性气体不与铝靶材发生反应；步骤S5、向工艺腔室内通入惰性气体和氮气，将惰性气体和氮气激发为等离子体后继续轰击铝靶材，以在步骤S4中获得的待处理硅衬底表面沉积氮化铝膜层。本发明还提供一种硅片，所述方法可以在硅衬底上制备高结晶质量的氮化铝膜层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108728795B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201710239705.2
申请日：2017-04-13
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明属于半导体制备技术领域，具体涉及一种工艺设备。该工艺设备，包括工艺腔室、基座、支撑机构、抽气口和抽气装置，所述支撑机构设置于所述工艺腔室底部并支撑所述基座，所述抽气口位于所述工艺腔室底壁以使所述抽气装置与所述工艺腔室连通，其中，在所述基座和所述抽气口之间设置有隔离分流板，所述隔离分流板将所述工艺腔室分为相互连通的工艺区和抽气区,且所述连通位置的总面积大于所述抽气口的面积。该工艺设备能减小冷泵偏置抽气对工艺腔室内气体运动的影响，实现沉积薄膜膜厚均匀性，改善工艺稳定性和产品良率。
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公开(公告)号：CN107195567B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201610142784.0
申请日：2016-03-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供一种冷却腔室及半导体加工设备，其在冷却腔室的腔室壁内设置有第一冷却通道，通过向该第一冷却通道内通入冷却媒介，来冷却腔室壁；并且，在冷却腔室内设置有用于承载托盘的托架，托盘用于承载被加工工件，并且，在冷却腔室的腔室壁的至少部分内表面形成有黑色氧化层。本发明提供的冷却腔室，其可以提高对托盘的冷却效率，从而可以提高设备的产能。
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公开(公告)号：CN106711071B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201510778736.6
申请日：2015-11-13
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种装卸手，其包括承托件、压紧件和手柄，其中，承托件包括用于承载托盘的承载面；压紧件包括用于压住托盘的压紧面；手柄包括第一握持部和第二握持部，二者通过转动副连接，第一握持部与承托件连接，第二握持部与压紧件连接，并且承托件和压紧件位于转动副的一侧，而第一握持部和第二握持部位于转动副的另一侧；通过开合第一握持部和第二握持部，使压紧件与承托件相互分离，或者使压紧件与承托件夹持托盘；在压紧件上设置有弹性组件，用于在压紧件与承托件夹持托盘时，向托盘施加将其压紧在承托件上的弹力。本发明提供的装卸手，其可以夹持不同厚度的托盘，从而可以扩大应用范围，满足设备对不同厚度的托盘进行取放的需求。
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公开(公告)号：CN108728795A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710239705.2
申请日：2017-04-13
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明属于半导体制备技术领域，具体涉及一种工艺设备。该工艺设备，包括工艺腔室、基座、支撑机构、抽气口和抽气装置，所述支撑机构设置于所述工艺腔室底部并支撑所述基座，所述抽气口位于所述工艺腔室底壁以使所述抽气装置与所述工艺腔室连通，其中，在所述基座和所述抽气口之间设置有隔离分流板，所述隔离分流板将所述工艺腔室分为相互连通的工艺区和抽气区,且所述连通位置的总面积大于所述抽气口的面积。该工艺设备能减小冷泵偏置抽气对工艺腔室内气体运动的影响，实现沉积薄膜膜厚均匀性，改善工艺稳定性和产品良率。
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公开(公告)号：CN107723673A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201610664192.5
申请日：2016-08-12
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射方法以及磁控溅射装置。该方法包括：步骤1：将待加工件移入工艺腔室内并放置于基座上；步骤2：将基座移动到加热位置，对待加工件进行加热，当待加工件的温度达到预设温度时进入步骤3；步骤3：检测工艺腔室的真空状态，如果满足磁控溅射工艺要求，则进行步骤4，如果不满足则返回步骤2；步骤4：将基座移动到工艺位置，对待加工件进行磁控溅射。本发明提供的磁控溅射方法，可以对待加工件的温度以及溅射环境的压升率进行检测，以保证达到预定的磁控溅射条件，大大提高了溅射产品的良品率。
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