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公开(公告)号：CN107492478B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201610407507.8
申请日：2016-06-12
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02
Abstract: 本发明揭示一种半导体设备的成膜方法及半导体设备的氮化铝成膜方法。半导体设备的成膜方法包括依序进行多次溅射流程，各溅射流程包括步骤：将基板载入腔室内并放置于承载底座上；将遮蔽盘移至靶材与基板之间；在腔室内通入惰性气体以对靶材进行表面修饰工艺；进行预溅射，以对靶材的表面进行预处理；将遮蔽盘从靶材与基板之间移开，并利用靶材对基板进行主溅射，在基板上形成薄膜；将基板移出腔室；并且，对第N批次基板进行的溅射流程的表面修饰工艺与对第N+1批次基板进行的溅射流程的表面修饰工艺具有不同的工艺参数，且N为大于0之正整数。本发明的半导体设备的成膜方法及半导体设备的氮化铝成膜方法，能够改善成膜质量，提升成膜厚度均匀性。
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公开(公告)号：CN108728795A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710239705.2
申请日：2017-04-13
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明属于半导体制备技术领域，具体涉及一种工艺设备。该工艺设备，包括工艺腔室、基座、支撑机构、抽气口和抽气装置，所述支撑机构设置于所述工艺腔室底部并支撑所述基座，所述抽气口位于所述工艺腔室底壁以使所述抽气装置与所述工艺腔室连通，其中，在所述基座和所述抽气口之间设置有隔离分流板，所述隔离分流板将所述工艺腔室分为相互连通的工艺区和抽气区,且所述连通位置的总面积大于所述抽气口的面积。该工艺设备能减小冷泵偏置抽气对工艺腔室内气体运动的影响，实现沉积薄膜膜厚均匀性，改善工艺稳定性和产品良率。
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公开(公告)号：CN107723673A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201610664192.5
申请日：2016-08-12
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射方法以及磁控溅射装置。该方法包括：步骤1：将待加工件移入工艺腔室内并放置于基座上；步骤2：将基座移动到加热位置，对待加工件进行加热，当待加工件的温度达到预设温度时进入步骤3；步骤3：检测工艺腔室的真空状态，如果满足磁控溅射工艺要求，则进行步骤4，如果不满足则返回步骤2；步骤4：将基座移动到工艺位置，对待加工件进行磁控溅射。本发明提供的磁控溅射方法，可以对待加工件的温度以及溅射环境的压升率进行检测，以保证达到预定的磁控溅射条件，大大提高了溅射产品的良品率。
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公开(公告)号：CN107488828A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201610409464.7
申请日：2016-06-12
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明揭示一种形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法，利用于主溅射进行之前先进行两次具有不同工艺参数的预溅射，以此达到稳定靶材状况的效果。本发明的形成薄膜的方法可在基板上形成氮化铝薄膜，而此氮化铝薄膜可用于电子装置中位于基板与氮化镓层之间的缓冲层，以此改善氮化铝以及氮化镓层的成膜质量并达到提升电子装置效能的目的。
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公开(公告)号：CN107227448B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201710554503.7
申请日：2017-06-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/50
Abstract: 本公开提供一种基座以及物理气相沉积装置。该基座包括：基座本体，具有一支撑面；支撑柱，位于所述基座本体的所述支撑面的中部区域；以及支撑件，位于所述基座本体的围绕所述支撑面的中部区域的周边区域，其中，所述支撑柱被配置为支撑待加工件，所述支撑件被配置为支撑盖环，在所述待加工件被所述支撑柱支撑且所述盖环被所述支撑件支撑时，所述盖环的至少靠近内侧的部分位于所述待加工件的上侧，且所述盖环与所述待加工件彼此分离。该基座或物理沉积装置通过支撑件支撑盖环，从而使得盖环不与待加工件接触，减小了待加工件所受的外部零件的压力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107492490B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201610407581.X
申请日：2016-06-12
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/318 , C23C16/34
Abstract: 本发明揭示一种半导体设备的成膜方法、半导体设备的氮化铝成膜方法以及电子装置。本发明的半导体设备的成膜方法，包括进行溅射流程，该溅射流程包括下列步骤：将基板载入腔室内，并放置于腔室内的承载底座上；在基板加载至腔室的状况下，对腔室进行加热工艺，将腔室内的温度加热至高于或等于预定温度；利用设置于腔室内的靶材对基板进行主溅射，以在基板上形成薄膜；将基板载出该腔室。本发明的半导体设备的成膜方法、半导体设备的氮化铝成膜方法以及电子装置能够提升薄膜的质量，且具有制作流程简单、制作成本低等特点，能够避免基板在其它的加热腔室加热之后在传递至溅射腔室的过程中产生微粒落在基板上的问题，并达到提升电子装置效能的目的。
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公开(公告)号：CN106711063B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201510797181.X
申请日：2015-11-18
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种冷却腔室及半导体加工设备，其包括承载装置、透视窗、反射镜和红外测温器，其中，透视窗设置在冷却腔室的腔室壁上，被加工工件辐射出的红外光线经由透视窗照射至反射镜上；反射镜设置在冷却腔室的外侧，用以将照射至反射镜上的红外光线反射至红外测温器；红外测温器用于接收由反射镜反射而来的红外光线，并根据红外光线的强度进行计算，而获得被加工工件的温度。本发明提供的冷却腔室，其可以避免因冷却速度过快或过慢而造成的晶片破裂或者薄膜质量恶化或者设备产能低下的问题。
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公开(公告)号：CN107608408A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201610541548.6
申请日：2016-07-11
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供温度控制方法、装置及半导体加工设备。温度控制方法包括以下步骤：获取当前时刻的实时温度值；获得偏差量化因子、偏差变化率量化因子，计算偏差、偏差变化率；根据偏差和偏差量化因子获得偏差的量化值，以及根据偏差变化率和偏差变化率量化因子获得偏差变化率的量化值；将偏差的量化值和偏差变化率的量化值分别模糊化获得偏差的模糊值和偏差变化率的模糊值；根据偏差的模糊值和偏差变化率的模糊值获得控制量的模糊值；将控制量的模糊值清晰化获得控制量的实际值。该温度控制方法不仅可以提高加热精度和升温速度，实线快速准确控温，而且温控的稳定性好、重复性高。
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公开(公告)号：CN107227448A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710554503.7
申请日：2017-06-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/50
CPC classification number: C23C14/50
Abstract: 本公开提供一种基座以及物理气相沉积装置。该基座包括：基座本体，具有一支撑面；支撑柱，位于所述基座本体的所述支撑面的中部区域；以及支撑件，位于所述基座本体的围绕所述支撑面的中部区域的周边区域，其中，所述支撑柱被配置为支撑待加工件，所述支撑件被配置为支撑盖环，在所述待加工件被所述支撑柱支撑且所述盖环被所述支撑件支撑时，所述盖环的至少靠近内侧的部分位于所述待加工件的上侧，且所述盖环与所述待加工件彼此分离。该基座或物理沉积装置通过支撑件支撑盖环，从而使得盖环不与待加工件接触，减小了待加工件所受的外部零件的压力。
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公开(公告)号：CN110544645A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201810522206.9
申请日：2018-05-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明公开了一种工艺腔室用匀流件、工艺腔室和半导体处理设备。包括相连通的匀流主体管和插接管，其中，所述插接管的一端与所述匀流主体管连通，另一端用于与所述工艺腔室的进气口连通；所述匀流主体管呈环状结构，所述环状结构的周向上间隔设置有多个匀流出气口，以对经所述进气口进入所述匀流主体管内的工艺气体进行匀流。通过所设置的多个匀流出气口对工艺气体进行匀流后再扩散至工艺腔室内，从而可以使得工艺气体在工艺腔室内均匀分布，进而可以产生密度均匀的等离子体，提高所沉积膜层的厚度的均匀性，降低产品的制作成本。
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