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公开(公告)号：CN108796467B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201710303984.4
申请日：2017-05-03
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 王桐
IPC: C23C14/50 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种承载装置、反应腔室及半导体加工设备，其包括可升降的基座，在该基座上竖直设置有沿其轴向对称分布的至少三个主支撑柱，主支撑柱的上端高于基座的上表面，用以承载托盘。并且，承载装置还包括保护组件，该保护组件用于在置于主支撑柱上的所述托盘倾斜时，阻挡该托盘的边缘。本发明提供的承载装置，其不仅可以避免托盘因滑落在基座上而碎裂，而且可以减小机械手与倾斜的托盘发生碰撞的风险。
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公开(公告)号：CN108728795A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710239705.2
申请日：2017-04-13
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明属于半导体制备技术领域，具体涉及一种工艺设备。该工艺设备，包括工艺腔室、基座、支撑机构、抽气口和抽气装置，所述支撑机构设置于所述工艺腔室底部并支撑所述基座，所述抽气口位于所述工艺腔室底壁以使所述抽气装置与所述工艺腔室连通，其中，在所述基座和所述抽气口之间设置有隔离分流板，所述隔离分流板将所述工艺腔室分为相互连通的工艺区和抽气区,且所述连通位置的总面积大于所述抽气口的面积。该工艺设备能减小冷泵偏置抽气对工艺腔室内气体运动的影响，实现沉积薄膜膜厚均匀性，改善工艺稳定性和产品良率。
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公开(公告)号：CN110544645B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201810522206.9
申请日：2018-05-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明公开了一种工艺腔室用匀流件、工艺腔室和半导体处理设备。包括相连通的匀流主体管和插接管，其中，所述插接管的一端与所述匀流主体管连通，另一端用于与所述工艺腔室的进气口连通；所述匀流主体管呈环状结构，所述环状结构的周向上间隔设置有多个匀流出气口，以对经所述进气口进入所述匀流主体管内的工艺气体进行匀流。通过所设置的多个匀流出气口对工艺气体进行匀流后再扩散至工艺腔室内，从而可以使得工艺气体在工艺腔室内均匀分布，进而可以产生密度均匀的等离子体，提高所沉积膜层的厚度的均匀性，降低产品的制作成本。
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公开(公告)号：CN110534403A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201810514237.X
申请日：2018-05-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供了一种在硅衬底上沉积氮化铝薄膜的方法，包括步骤S1、对待处理硅衬底进行预清洗，以去除待处理硅衬底表面的氧化层；步骤S2、将预清洗后的待处理硅衬底进行烘烤；步骤S3、对工艺腔室上的铝靶材进行预清洗，以去除铝靶材表面的氮化铝膜层；步骤S4、向工艺腔室内通入惰性气体，将惰性气体激发为等离子体后轰击预清洗后的铝靶材，以在预清洗后的待处理硅衬底表面沉积铝膜层，其中，惰性气体不与铝靶材发生反应；步骤S5、向工艺腔室内通入惰性气体和氮气，将惰性气体和氮气激发为等离子体后继续轰击铝靶材，以在步骤S4中获得的待处理硅衬底表面沉积氮化铝膜层。本发明还提供一种硅片，所述方法可以在硅衬底上制备高结晶质量的氮化铝膜层。
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公开(公告)号：CN107488832B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201610407585.8
申请日：2016-06-12
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种沉积设备，包括第一腔室、第二腔室以及第三腔室。第一腔室经配置用以载入基板。第二腔室配置用以提供高温环境，以使得基板于第二腔室内进行排气工艺以及溅射工艺。第三腔室设置于第一腔室以及第二腔室之间。第三腔室经配置用以将基板由第一腔室通过第三腔室直接传输至第二腔室。本发明还提供一种物理气相沉积腔室，包括腔室本体、靶材、承载底座以及热源；承载底座设置于腔室本体内，用以承载基板；热源设置于腔室本体内，热源经配置用以将腔室本体加热至高温环境，以对基板进行排气工艺以及溅射工艺。本发明提供的沉积设备以及物理气相沉积腔室，可省去额外的预热/排气腔室并进而达到减少设备体积与成本的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110504207A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201810478891.X
申请日：2018-05-18
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 王桐
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种支撑结构、托盘支撑组件和工艺腔室。支撑结构包括支撑件，其包括承载部和第一限位部，承载部用于承载被限位件；第一限位部位于所述承载部的一侧，所述第一限位部能与所述被限位件的外表面相贴合，以限制所述被限位件在所述承载部上滑动。将被限位件的外表面与第一限位部相贴合，这样，即便支撑结构在受到外界干扰或者产生的震动的情况下，该支撑结构均能够稳固地将被限位件固定在承载部上，防止发生滑移。
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公开(公告)号：CN107305858A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610246302.6
申请日：2016-04-20
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 王桐
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种顶针机构及预清洗腔室，其应用在预清洗腔室中，包括至少三个顶针、安装架、安装法兰、绝缘垫块和绝缘螺钉，其中，安装架位于预清洗腔室内，且通过安装法兰与预清洗腔室底部的腔室壁固定连接；至少三个顶针竖直安装在安装架上，用于支撑晶片。绝缘垫块设置在安装架与安装法兰之间，用以将二者电绝缘。绝缘螺钉用于将绝缘垫块、安装架和安装法兰固定连接。本发明提供的顶针机构，其可以使顶针与安装法兰之间电绝缘，从而可以避免打火现象的发生。
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公开(公告)号：CN107227448B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201710554503.7
申请日：2017-06-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/50
Abstract: 本公开提供一种基座以及物理气相沉积装置。该基座包括：基座本体，具有一支撑面；支撑柱，位于所述基座本体的所述支撑面的中部区域；以及支撑件，位于所述基座本体的围绕所述支撑面的中部区域的周边区域，其中，所述支撑柱被配置为支撑待加工件，所述支撑件被配置为支撑盖环，在所述待加工件被所述支撑柱支撑且所述盖环被所述支撑件支撑时，所述盖环的至少靠近内侧的部分位于所述待加工件的上侧，且所述盖环与所述待加工件彼此分离。该基座或物理沉积装置通过支撑件支撑盖环，从而使得盖环不与待加工件接触，减小了待加工件所受的外部零件的压力。
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公开(公告)号：CN107227448A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710554503.7
申请日：2017-06-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/50
CPC classification number: C23C14/50
Abstract: 本公开提供一种基座以及物理气相沉积装置。该基座包括：基座本体，具有一支撑面；支撑柱，位于所述基座本体的所述支撑面的中部区域；以及支撑件，位于所述基座本体的围绕所述支撑面的中部区域的周边区域，其中，所述支撑柱被配置为支撑待加工件，所述支撑件被配置为支撑盖环，在所述待加工件被所述支撑柱支撑且所述盖环被所述支撑件支撑时，所述盖环的至少靠近内侧的部分位于所述待加工件的上侧，且所述盖环与所述待加工件彼此分离。该基座或物理沉积装置通过支撑件支撑盖环，从而使得盖环不与待加工件接触，减小了待加工件所受的外部零件的压力。
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公开(公告)号：CN110534403B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201810514237.X
申请日：2018-05-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供了一种在硅衬底上沉积氮化铝薄膜的方法，包括步骤S1、对待处理硅衬底进行预清洗，以去除待处理硅衬底表面的氧化层；步骤S2、将预清洗后的待处理硅衬底进行烘烤；步骤S3、对工艺腔室上的铝靶材进行预清洗，以去除铝靶材表面的氮化铝膜层；步骤S4、向工艺腔室内通入惰性气体，将惰性气体激发为等离子体后轰击预清洗后的铝靶材，以在预清洗后的待处理硅衬底表面沉积铝膜层，其中，惰性气体不与铝靶材发生反应；步骤S5、向工艺腔室内通入惰性气体和氮气，将惰性气体和氮气激发为等离子体后继续轰击铝靶材，以在步骤S4中获得的待处理硅衬底表面沉积氮化铝膜层。本发明还提供一种硅片，所述方法可以在硅衬底上制备高结晶质量的氮化铝膜层。
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