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公开(公告)号：CN116526298A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310551421.2
申请日：2023-05-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种电吸收调制激光器及其制备方法，包括：衬底；有源层，形成在衬底上，有源层的表面分为第一区域、第二区域、第三区域和第四区域；其中，第一区域的有源层构成第一调制器，第二区域的有源层构成第二调制器，第三区域的有源层构成第一激光器，第四区域的有源层构成第二激光器；无源层，形成在衬底上，无源层的表面分为第五区域、第六区域以及第七区域；光栅，设置于无源层上；其中，第五区域的无源层和光栅构成第一前光栅，第六区域的无源层和光栅构成第二前光栅，第七区域的无源层和光栅构成后光栅；其中，第一调制器、第一激光器以及第一前光栅与第二调制器、第二激光器以及第二前光栅通过共用后光栅实现双端发射激光。
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公开(公告)号：CN116526299A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310551819.6
申请日：2023-05-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种电吸收调制激光器及其制备方法，涉及半导体光电子集成器件领域，其包括：衬底；有源层，形成在衬底上，有源层的表面分为依次相邻的第一区域、第二区域和第三区域；相移光栅，形成与有源层的第二区域上；其中，第一区域的有源层构成第一调制器，第二区域的有源层和相移光栅构成激光器，第三区域的有源层构成第二调制器，第一调制器和第二调制器通过共用激光器实现双端发射激光。本公开实施例通过将两个电吸收调制器与激光器集成在一起，两个电吸收调制器共用同一激光器，可以实现从两个断面发射激光，达到速率翻倍，增加带宽的效果，同时降低功耗。
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公开(公告)号：CN116488001A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210051661.1
申请日：2022-01-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种双端面可调谐激光器及其制备方法。本发明提出的双端面可调谐激光器，包括：位于InP衬底上的一个光栅区、两个相位区及两个增益区，光栅区位于InP衬底中段，两个相位区位于光栅区两侧，两个增益区分别位于两个相位区外侧，其中，增益区自下而上依次包括下波导层、多量子阱层、上波导层，多量子阱层包括相互交叠的阱层和垒层，阱层为压应变阱层，垒层为张应变垒层；光栅区及相位区由InGaAsP或InGaAlAs构成，光栅区包括光栅结构；光栅区、相位区、增益区高度相同。本发明通过背靠背的形式，把两个波长可调谐的激光器集成在一起，共用光栅区，双端面出光。本发明减少了一个光栅区，大大降低了集成芯片的功耗，提高了芯片的集成度。
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公开(公告)号：CN118572485A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410759783.5
申请日：2024-06-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于电吸收调制器射频线和直流电压线的封装方法，包括：在热沉上的第一电极上焊接出第一压焊点后，从第一压焊点向热沉上的第三电极拉出第一引线后断线，其中，第一引线的末端悬浮在第三电极的上方；在热沉上的第二电极上焊接出第二压焊点后，从第二压焊点向第三电极拉出第二引线，并将第二引线的末端与第一引线的末端共同压焊在第三电极上，形成第三压焊点；其中，第一电极为S电极，第二电极为并联电阻电极，第三电极为P电极，第一引线形成射频线，第二引线形成直流电压线；或第一电极为并联电阻电极，第二电极为S电极，第三电极为P电极，第一引线形成电吸收调制器的直流电压线，第二引线形成电吸收调制器的射频线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116014561A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310057550.6
申请日：2023-01-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种波长可调谐激光器的制备方法及其制备的激光器，该方法包括：在衬底层上生长增益层；对增益层进行划分，自左向右依次得到第一光栅区、第一增益区、第一相位区、第三光栅区、第二相位区、第二增益区和第二光栅区；刻蚀去除目标区的增益层；利用波导对接生长方法，在目标区生长无源层；在第一光栅区的无源层、第二光栅区的无源层和第三光栅区的无源层制作取样光栅；在无源层的上表面和增益层的上表面均生长包层和电接触层；刻蚀电接触层和包层，得到电隔离沟，并将氦离子注入电隔离沟；在电接触层的上表面制作第一电极，并在衬底层的下表面制作第二电极，得到目标激光器。
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公开(公告)号：CN118508239A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410697675.X
申请日：2024-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种电吸收调制激光器及其制备方法，制备方法包括：在衬底上表面生长有源层，其中，有源层包括第一有源区、第二有源区、第三有源区，第一有源区、第二有源区、第三有源区分别位于第一调制器区、激光器区、第二调制器区内；在第一有源区、第三有源区内注入离子后进行快速热退火，以使第一调制器区、第二调制器区的光的波长比激光器区的光的波长短；在第二有源区上表面制备光栅；在有源层上表面依次生长包层和电接触层后，将包层以及电接触层刻蚀成波导结构；将电接触层隔离成三个子接触区，其中，三个子接触区分别位于第一调制器区、激光器区和第二调制器区内；在三个子接触区上表面制作第一电极，在衬底下表面制作第二电极。
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公开(公告)号：CN116683283A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310627685.1
申请日：2023-05-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种半导体激光器湿法腐蚀方法，涉及半导体光电子集成器件领域，包括：在烧杯中配置腐蚀液；将烧杯放入控温水槽中，以控制腐蚀温度；将超波发生器放入控温水槽中，用于产生超声振动；在预设腐蚀温度下，将待腐蚀的半导体激光器放入烧杯中进行预设时长的腐蚀；将控温水槽安置于磁力搅拌器上；同时开启磁力搅拌器与超波发生器，腐蚀液被搅拌的同时受到超声振动。本公开实施例采用磁力搅拌仪器和超声振动相结合的方法，对半导体激光器进行湿法腐蚀，实现了对半导体激光器材料微结构湿法腐蚀的精确控制，进而减小光发射集成芯片光耦合的损耗。
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公开(公告)号：CN115051239B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202210670789.6
申请日：2022-06-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种可调谐电吸收调制激光器，包括：位于同一衬底、等高且依次贴合的第一调制器区、第一前光栅区、第一增益区、第一相位区、后光栅区、第二相位区、第二增益区、第二前光栅区和第二调制器区，其中，第一增益区和第二增益区，按照预设顺序均包括第一下波导层、第一有源层和第一上波导层，第一下波导层形成于衬底上；第一调制器区和第二调制器区，按照预设顺序均包括第二下波导层、第二有源层和第二上波导层，第二下波导层形成于衬底上；第一前光栅区、第二前光栅区、后光栅区、第一相位区和第二相位区，均包括无源层，无源层形成于衬底上，第一前光栅区、第二前光栅区和后光栅区在无源层上形成有光栅结构，光栅结构包括取样光栅。
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公开(公告)号：CN115051239A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210670789.6
申请日：2022-06-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种可调谐电吸收调制激光器，包括：位于同一衬底、等高且依次贴合的第一调制器区、第一前光栅区、第一增益区、第一相位区、后光栅区、第二相位区、第二增益区、第二前光栅区和第二调制器区，其中，第一增益区和第二增益区，按照预设顺序均包括第一下波导层、第一有源层和第一上波导层，第一下波导层形成于衬底上；第一调制器区和第二调制器区，按照预设顺序均包括第二下波导层、第二有源层和第二上波导层，第二下波导层形成于衬底上；第一前光栅区、第二前光栅区、后光栅区、第一相位区和第二相位区，均包括无源层，无源层形成于衬底上，第一前光栅区、第二前光栅区和后光栅区在无源层上形成有光栅结构，光栅结构包括取样光栅。
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