公开(公告)号：CN101707215B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200910226314.2

申请日：2009-11-18

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 储开慧 ,  许金通 ,  包西昌 ,  李向阳 ,  戴江 ,  陈长清

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本专利公开了一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法，AlN材料结构包括：一衬底；一AlN缓冲层；一本征型AlN层。通过先在本征型AlN上生长欧姆接触电极结构：钒金属层/铝金属层/钒金属层/金金属层，厚度依次为15～25μm/50～100μm/15～25μm/50～100μm；然后进行In离子注入，注入剂量大于1×1014cm-2，能量大于150keV；并进行高温退火激活工艺，制备出AlN材料上的欧姆接触。AlN欧姆接触的实现，有助于解决日盲型材料的欧姆接触问题，提高日盲器件的性能；并解决了制备高性能真空紫外响应器件的瓶颈。

公开(公告)号：CN101707215A

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200910226314.2

申请日：2009-11-18

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 储开慧 ,  许金通 ,  包西昌 ,  李向阳 ,  戴江 ,  陈长清

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法，AlN材料结构包括：一衬底；一AIN缓冲层；一本征型AlN层。通过先在本征型AlN上生长欧姆接触电极结构：钒金属层/铝金属层/钒金属层/金金属层，厚度依次为15～25μm/50～100μm/15～25μm/50～100μm；然后进行In离子注入，注入剂量大于1×1014cm-2，能量大于150keV；并进行高温退火激活工艺，制备出AlN材料上的欧姆接触。AlN欧姆接触的实现，有助于解决日盲型材料的欧姆接触问题，提高日盲器件的性能；并解决了制备高性能真空紫外响应器件的瓶颈。

公开(公告)号：CN201556629U

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200920272392.1

申请日：2009-11-18

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 储开慧 ,  许金通 ,  包西昌 ,  李向阳 ,  戴江 ,  陈长清

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本专利公开了一种AIN晶体上的欧姆接触电极结构，AIN材料结构包括：一衬底；一AIN缓冲层；一本征型AIN层。通过先在本征型AIN上生长欧姆接触电极结构：钒金属层/铝金属层/钒金属层/金金属层，厚度依次为15～25μm/50～100μm/15～25μm/50～100μm；然后进行In离子注入，注入剂量大于1×1014cm-2，能量大于150keV；并进行高温退火激活工艺，制备出AIN材料上的欧姆接触。AIN欧姆接触的实现，有助于解决日盲型材料的欧姆接触问题，提高日盲器件的性能；并解决了制备高性能真空紫外响应器件的瓶颈。真空紫外器件的研制，将能为我国的太空探测提供技术支撑。