-
公开(公告)号：CN109559968B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201811125428.3
申请日：2018-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够使等离子体密度的分布均匀化的等离子体处理装置。一个实施方式的等离子体处理装置在腔室主体的内部空间中具有载置台，该载置台包括下部电极。在载置台的上方设置有上部电极。上部电极经由供电导体而与第一高频电源电连接。下部电极与第二高频电源电连接。在腔室主体的上方，以覆盖上部电极的方式设置有接地导体。供电导体经过由接地导体围成的空间而向上方延伸。在接地导体的上端的靠内部空间的一侧提供外部空间。外部空间在上方与上部电极隔开间隔，并且在该外部空间与上部电极之间隔着接地导体。在该外部空间中配置有电磁体。
-
公开(公告)号：CN101783310A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN201010003196.1
申请日：2010-01-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/67132 , Y10T29/49746 , Y10T428/219 , Y10T428/24777 , Y10T428/24843 , Y10T428/249982 , Y10T428/249985
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘装置的修补方法、该修补方法所使用的修补装置和适用于它们的静电卡盘装置，该静电卡盘的修补方法在静电卡盘装置的粘合剂层的侧面被侵蚀时，能够均匀地修补该侵蚀部分。一种静电卡盘装置的修补方法，其为在金属底座上至少具有粘合剂层和吸附层的静电卡盘装置的修补方法，其特征在于，在被侵蚀的粘合剂层的侧面，卷绕线状的粘合剂后，进行热压处理。本发明还提供一种修补装置(10)，其在该修补方法中使用，具有使静电卡盘装置(20)旋转的旋转台(11)、向粘合剂层(22)供给粘合剂(14)的转轴(12)、和在转轴(12)与粘合剂层(22)之间用于确定粘合剂(14)的位置的定位单元(13)。
-
公开(公告)号：CN109559968A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811125428.3
申请日：2018-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够使等离子体密度的分布均匀化的等离子体处理装置。一个实施方式的等离子体处理装置在腔室主体的内部空间中具有载置台，该载置台包括下部电极。在载置台的上方设置有上部电极。上部电极经由供电导体而与第一高频电源电连接。下部电极与第二高频电源电连接。在腔室主体的上方，以覆盖上部电极的方式设置有接地导体。供电导体经过由接地导体围成的空间而向上方延伸。在接地导体的上端的靠内部空间的一侧提供外部空间。外部空间在上方与上部电极隔开间隔，并且在该外部空间与上部电极之间隔着接地导体。在该外部空间中配置有电磁体。
-
公开(公告)号：CN101783310B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201010003196.1
申请日：2010-01-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/67132 , Y10T29/49746 , Y10T428/219 , Y10T428/24777 , Y10T428/24843 , Y10T428/249982 , Y10T428/249985
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘装置的修补方法、该修补方法所使用的修补装置和适用于它们的静电卡盘装置，该静电卡盘的修补方法在静电卡盘装置的粘合剂层的侧面被侵蚀时，能够均匀地修补该侵蚀部分。一种静电卡盘装置的修补方法，其为在金属底座上至少具有粘合剂层和吸附层的静电卡盘装置的修补方法，其特征在于，在被侵蚀的粘合剂层的侧面，卷绕线状的粘合剂后，进行热压处理。本发明还提供一种修补装置(10)，其在该修补方法中使用，具有使静电卡盘装置(20)旋转的旋转台(11)、向粘合剂层(22)供给粘合剂(14)的转轴(12)、和在转轴(12)与粘合剂层(22)之间用于确定粘合剂(14)的位置的定位单元(13)。
-
公开(公告)号：CN101276734B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200810086398.X
申请日：2008-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , H01J37/32431 , H01J2237/2001 , H01L21/67109 , H02N13/00 , Y10T279/23
Abstract: 本发明提供能够容易调节晶片周缘部温度的等离子体处理装置(1)，在处理室(10)将基板(W)载置于载置台(11)上，使供给处理室内的处理气体等离子体化对基板实施等离子体处理，载置台包括温度调节至规定温度的载置台主体(12)和配置在载置台主体上部的用于吸附基板的静电卡盘(13)，在静电卡盘上面形成有配置在中央的第一传热用气体扩散区域(47)和配置在周缘部的第二传热用气体扩散区域(48)，具有将传热用气体供给第一传热用气体扩散区域的第一传热用气体供给部(51)和将传热用气体供给第二传热用气体扩散区域的第二传热用气体供给部(52)，第二传热用气体扩散区域与第一传热用气体扩散区域的容积比为0.1以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108630514A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810240731.1
申请日：2018-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其具有聚焦环，该聚焦环包括：设置在处理室内的载置台所载置的基板的附近的内侧聚焦环；设置在上述内侧聚焦环的外侧，通过移动机构而能够上下移动的中央聚焦环；和设置在上述中央聚焦环的外侧的外侧聚焦环。由此，能够维持对基板的面内整体进行的处理的特性，并控制基板的边缘部的处理特性。
-
公开(公告)号：CN102751227A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210214785.3
申请日：2010-01-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/67132 , Y10T29/49746 , Y10T428/219 , Y10T428/24777 , Y10T428/24843 , Y10T428/249982 , Y10T428/249985
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘装置，在静电卡盘装置的粘合剂层的侧面被侵蚀时，能够均匀地修补该侵蚀部分。一种静电卡盘装置，其在金属底座上至少具有粘合剂层和吸附层，其特征在于：在上述粘合剂层的侧面卷绕有线状的粘合剂，上述线状的粘合剂为与上述粘合剂层相同的成分。
-
公开(公告)号：CN101276734A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810086398.X
申请日：2008-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , H01J37/32431 , H01J2237/2001 , H01L21/67109 , H02N13/00 , Y10T279/23
Abstract: 本发明提供能够容易调节晶片周缘部温度的等离子体处理装置(1)，在处理室(10)将基板(W)载置于载置台(11)上，使供给处理室内的处理气体等离子体化对基板实施等离子体处理，载置台包括温度调节至规定温度的载置台主体(12)和配置在载置台主体上部的用于吸附基板的静电卡盘(13)，在静电卡盘上面形成有配置在中央的第一传热用气体扩散区域(47)和配置在周缘部的第二传热用气体扩散区域(48)，具有将传热用气体供给第一传热用气体扩散区域的第一传热用气体供给部(51)和将传热用气体供给第二传热用气体扩散区域的第二传热用气体供给部(52)，第二传热用气体扩散区域与第一传热用气体扩散区域的容积比为0.1以下。
-
公开(公告)号：CN111640640B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202010467116.1
申请日：2018-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/21 , H01J37/305 , H01J37/32 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其具有聚焦环，该聚焦环包括：设置在处理室内的载置台所载置的基板的附近的内侧聚焦环；设置在上述内侧聚焦环的外侧，通过移动机构而能够上下移动的中央聚焦环；和设置在上述中央聚焦环的外侧的外侧聚焦环。由此，能够维持对基板的面内整体进行的处理的特性，并控制基板的边缘部的处理特性。
-
公开(公告)号：CN111640640A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010467116.1
申请日：2018-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/21 , H01J37/305 , H01J37/32 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其具有聚焦环，该聚焦环包括：设置在处理室内的载置台所载置的基板的附近的内侧聚焦环；设置在上述内侧聚焦环的外侧，通过移动机构而能够上下移动的中央聚焦环；和设置在上述中央聚焦环的外侧的外侧聚焦环。由此，能够维持对基板的面内整体进行的处理的特性，并控制基板的边缘部的处理特性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.021 seconds)
