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公开(公告)号：CN112614770A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011544996.4
申请日：2018-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够向开口的深部供给离子。基板处理方法包括以下工序：从位于基板处理装置的腔室主体内的电子束发生器向该基板处理装置的腔室主体内的内部空间供给具有第一能量的电子，以使电子附着于被供给到所述内部空间的处理气体中的分子来生成负离子；以及向支承台的电极施加正极性的偏压，以将所述负离子向基板吸引，所述支承台在所述内部空间中支承被载置在该支承台上的所述基板。
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公开(公告)号：CN103247511A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310047993.3
申请日：2013-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/465 , C23C14/35 , C23C14/351 , C23C14/352 , H01J37/32091 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01J37/32688 , H01J37/345 , H01J37/3452 , H01L21/32136
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，其能够防止电荷在栅电极中蓄积，能够可靠地抑制栅氧化膜的绝缘破坏。在被供给高频电力的基座（12）和与该基座（12）相对配置的上部电极（13）之间的处理空间S产生电场E，使用由该电场（E）产生的等离子体对载置于基座（12）的晶片W实施等离子体处理时，通过配置于上部电极（13）的上表面（13a）的多个电磁铁（25）和电磁铁（26）在处理空间S中产生磁场B，使通过电场E产生的等离子体的Ne（电子密度）的分布形态和由磁场B产生的等离子体的（Ne）的分布形态重叠，来调整处理空间S的Ne的分布，使晶片W表面的Vdc（负偏压电位）均匀化。
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公开(公告)号：CN109767967B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201811317768.6
申请日：2018-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够向开口的深部供给离子。在一个实施方式的基板处理方法中使用基板处理装置。基板处理装置具有腔室主体、支承台以及电子束发生器。在腔室主体中提供内部空间。支承台构成为支承被载置在该支承台上的基板。支承台具有电极。在支承台上载置有基板的状态下执行基板处理方法。在基板处理方法中，从电子束发生器向内部空间供给具有第一能量的电子，以使电子附着于被供给到内部空间的处理气体中的分子来生成负离子。向支承台的电极施加正极性的偏压，以将负离子向基板吸引。
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公开(公告)号：CN103943489B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410028242.1
申请日：2014-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32165 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01L21/3081 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供一种对在第1氧化膜与第2氧化膜之间设有有机膜的多层膜进行蚀刻的多层膜的蚀刻方法。在该方法中，对有机膜进行蚀刻的工序（b）中的等离子体生成用的高频电力大于对第1氧化膜进行蚀刻的工序（a）和对第2氧化膜进行蚀刻的工序（c）中的高频电力。工序（a）和工序（c）中的吸引离子用的高频偏压电力大于工序（b）中的高频偏压电力。另外，在工序（a）、工序（b）以及工序（c）中，形成具有这样的强度分布的磁场：沿着相对于被处理体的中心轴线而言的放射方向的水平磁场成分在离开中心轴线的位置处具有峰值；工序（b）中的水平磁场成分的峰值位置比工序（a）和工序（c）中的水平磁场成分的峰值位置靠近中心轴线。
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公开(公告)号：CN103247511B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310047993.3
申请日：2013-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/465 , C23C14/35 , C23C14/351 , C23C14/352 , H01J37/32091 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01J37/32688 , H01J37/345 , H01J37/3452 , H01L21/32136
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，其能够防止电荷在栅电极中蓄积，能够可靠地抑制栅氧化膜的绝缘破坏。在被供给高频电力的基座（12）和与该基座（12）相对配置的上部电极（13）之间的处理空间S产生电场E，使用由该电场（E）产生的等离子体对载置于基座（12）的晶片W实施等离子体处理时，通过配置于上部电极（13）的上表面（13a）的多个电磁铁（25）和电磁铁（26）在处理空间S中产生磁场B，使通过电场E产生的等离子体的Ne（电子密度）的分布形态和由磁场B产生的等离子体的（Ne）的分布形态重叠，来调整处理空间S的Ne的分布，使晶片W表面的Vdc（负偏压电位）均匀化。
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公开(公告)号：CN119547187A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202380052649.5
申请日：2023-07-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、等离子体生成部、电磁铁单元和电源。基片支承部设置在腔室内。基片支承部包括第一区域和包围第一区域的第二区域，能够在第一区域上载置基片，能够在第二区域上载置边缘环。等离子体生成部构成为能够在腔室内生成等离子体。电磁铁单元包括至少一个电磁铁。电磁铁单元构成为能够形成在边缘环上的环状空间中局域化的磁场。电源与电磁铁单元的至少一个电磁铁电连接，构成为能够调节磁场强度。
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公开(公告)号：CN109559987B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201811118529.8
申请日：2018-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在执行等离子体处理中使等离子体密度的分布均匀化的等离子体处理方法。一个实施方式的等离子体处理方法在腔室主体的内部空间中收纳有被加工物的状态下执行。等离子体处理方法包括：(i)对被加工物执行第一等离子体处理的步骤；和(ii)对被加工物执行第二等离子体处理的步骤。在执行第二等离子体处理的步骤中设定的第二高频的电功率，大于在执行第一等离子体处理的步骤中设定的第二高频的电功率。在执行第二等离子体处理的步骤中，利用电磁铁形成如下磁场分布：在被加工物的边缘侧之上具有比被加工物的中心之上的水平成分大的水平成分。
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公开(公告)号：CN109767967A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811317768.6
申请日：2018-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够向开口的深部供给离子。在一个实施方式的基板处理方法中使用基板处理装置。基板处理装置具有腔室主体、支承台以及电子束发生器。在腔室主体中提供内部空间。支承台构成为支承被载置在该支承台上的基板。支承台具有电极。在支承台上载置有基板的状态下执行基板处理方法。在基板处理方法中，从电子束发生器向内部空间供给具有第一能量的电子，以使电子附着于被供给到内部空间的处理气体中的分子来生成负离子。向支承台的电极施加正极性的偏压，以将负离子向基板吸引。
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公开(公告)号：CN105097403A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510225056.1
申请日：2015-05-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32669 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01J37/32339 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01J37/3266
Abstract: 本发明提供一种能够有效地消除径向上的中心成为等离子体密度分布中的特异点那样的、不期望的不均匀性并能够以较大的控制范围对等离子体密度分布自如地进行控制的等离子体处理装置。该电容耦合型等离子体处理装置在上部电极之上包括主磁体单元和辅助磁体单元。主磁体单元具有主磁轭和多个主电磁线圈。在辅助磁体单元中，在主磁体单元的比最内周的主电磁线圈靠半径方向内侧的位置，将多个棒型电磁体在转圈方向上以恒定间隔配置在自中心轴线偏离规定距离的位置。使直流的激励电流以恒定的电流值在第1组的棒型电磁体的辅助电磁线圈中沿正向流动，使直流的激励电流以相同的电流值在第2组的棒型电磁体的辅助电磁线圈中沿逆向流动。
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公开(公告)号：CN116941018A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202280015232.7
申请日：2022-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 所公开的等离子体处理装置包括：腔室、等离子体生成部、多个环状电磁体单元、电源、至少一个光学传感器及控制部。多个环状电磁体单元相对于通过腔室内部空间的轴线设置成同轴状。至少一个光学传感器检测腔室10内的沿径向的等离子体的发光强度分布。控制部控制电源以根据等离子体的发光强度分布来调整分别供给到多个环状电磁体单元的电流。
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