公开(公告)号：CN101276734A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810086398.X

申请日：2008-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥秀一 ,  松丸弘树 ,  中尾亘孝 ,  小松贤次

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J37/32431 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67109 ,  H02N13/00 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明提供能够容易调节晶片周缘部温度的等离子体处理装置(1)，在处理室(10)将基板(W)载置于载置台(11)上，使供给处理室内的处理气体等离子体化对基板实施等离子体处理，载置台包括温度调节至规定温度的载置台主体(12)和配置在载置台主体上部的用于吸附基板的静电卡盘(13)，在静电卡盘上面形成有配置在中央的第一传热用气体扩散区域(47)和配置在周缘部的第二传热用气体扩散区域(48)，具有将传热用气体供给第一传热用气体扩散区域的第一传热用气体供给部(51)和将传热用气体供给第二传热用气体扩散区域的第二传热用气体供给部(52)，第二传热用气体扩散区域与第一传热用气体扩散区域的容积比为0.1以下。

公开(公告)号：CN101276734B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200810086398.X

申请日：2008-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥秀一 ,  松丸弘树 ,  中尾亘孝 ,  小松贤次

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J37/32431 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67109 ,  H02N13/00 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明提供能够容易调节晶片周缘部温度的等离子体处理装置(1)，在处理室(10)将基板(W)载置于载置台(11)上，使供给处理室内的处理气体等离子体化对基板实施等离子体处理，载置台包括温度调节至规定温度的载置台主体(12)和配置在载置台主体上部的用于吸附基板的静电卡盘(13)，在静电卡盘上面形成有配置在中央的第一传热用气体扩散区域(47)和配置在周缘部的第二传热用气体扩散区域(48)，具有将传热用气体供给第一传热用气体扩散区域的第一传热用气体供给部(51)和将传热用气体供给第二传热用气体扩散区域的第二传热用气体供给部(52)，第二传热用气体扩散区域与第一传热用气体扩散区域的容积比为0.1以下。