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公开(公告)号：CN100495654C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200480003417.8
申请日：2004-02-03
Applicant: 日本奥特克株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在被处理基板(W)上实施等离子体处理的等离子体处理装置，包括收纳被处理基板的能够减压的处理容器(10)。在处理容器内配置有第一电极(12)。为了使处理气体供给到处理容器内而配置有供给系统(62)。为了生成处理气体的等离子体而配置在处理容器内形成高频电场的电场形成系统(32)。在第一电极(12)的主面上，离散地形成有向着等离子体生成空间一侧突出的多个凸部(70)。
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公开(公告)号：CN101276734B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200810086398.X
申请日：2008-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , H01J37/32431 , H01J2237/2001 , H01L21/67109 , H02N13/00 , Y10T279/23
Abstract: 本发明提供能够容易调节晶片周缘部温度的等离子体处理装置(1)，在处理室(10)将基板(W)载置于载置台(11)上，使供给处理室内的处理气体等离子体化对基板实施等离子体处理，载置台包括温度调节至规定温度的载置台主体(12)和配置在载置台主体上部的用于吸附基板的静电卡盘(13)，在静电卡盘上面形成有配置在中央的第一传热用气体扩散区域(47)和配置在周缘部的第二传热用气体扩散区域(48)，具有将传热用气体供给第一传热用气体扩散区域的第一传热用气体供给部(51)和将传热用气体供给第二传热用气体扩散区域的第二传热用气体供给部(52)，第二传热用气体扩散区域与第一传热用气体扩散区域的容积比为0.1以下。
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公开(公告)号：CN101477944A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810170271.6
申请日：2004-02-03
Applicant: 日本奥特克株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其使用的电极以及电极制造方法，该等离子体处理装置是在被处理基板上实施等离子体处理的等离子体处理装置，包括：收纳所述被处理基板的能够减压的处理容器；设置在所述处理容器内的第一电极；向所述处理容器内供给处理气体的供给系统；和用于生成所述处理气体的等离子体，在所述处理容器内形成高频电场的电场形成系统，其中，所述第一电极具有离散地形成在所述第一电极的主面上并且向着生成所述等离子体的空间一侧突出的多个凸部，在所述第一电极的主面上，在所述凸部之间设置有介电体，在所述第一电极的主面上，所述凸部的密度被设定成从电极中心部向着电极边缘部逐渐增大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1783430A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510127554.9
申请日：2005-12-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/20 , C23C16/50 , C23C14/34 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种电容耦合型的等离子体处理装置(100)，包括可设定为具有真空气氛的处理腔室和将处理气体供给腔室(1)内的处理气体供给部(15)。在腔室(1)内、第一电极(2)和第二电极(18)相对地配置。为了在第一和第二电极间的等离子体生成区域(R1)中形成高频电场，配置将高频电力供给至第一或第二电极的高频电源(10)。高频电场使处理气体变成等离子体。被处理基板(W)在第一和第二电极之间，由支撑部件(2)所支撑，使其被处理面与第二电极(18)相对。在等离子体生成区域(R1)周围的周围区域(R2)中，配置接地的导电性作用面AS，以扩展等离子体，进行调制，使得与等离子体实质上直流地结合。
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公开(公告)号：CN101477944B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200810170271.6
申请日：2004-02-03
Applicant: 日本奥特克株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其使用的电极以及电极制造方法，该等离子体处理装置是在被处理基板上实施等离子体处理的等离子体处理装置，包括：收纳所述被处理基板的能够减压的处理容器；设置在所述处理容器内的第一电极；向所述处理容器内供给处理气体的供给系统；和用于生成所述处理气体的等离子体，在所述处理容器内形成高频电场的电场形成系统，其中，所述第一电极具有离散地形成在所述第一电极的主面上并且向着生成所述等离子体的空间一侧突出的多个凸部，在所述第一电极的主面上，在所述凸部之间设置有介电体，在所述第一电极的主面上，所述凸部的密度被设定成从电极中心部向着电极边缘部逐渐增大。
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公开(公告)号：CN100539000C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510127554.9
申请日：2005-12-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/20 , C23C16/50 , C23C14/34 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种电容耦合型的等离子体处理装置(100)，包括可设定为具有真空气氛的处理腔室和将处理气体供给腔室(1)内的处理气体供给部(15)。在腔室(1)内、第一电极(2)和第二电极(18)相对地配置。为了在第一和第二电极间的等离子体生成区域(R1)中形成高频电场，配置将高频电力供给至第一或第二电极的高频电源(10)。高频电场使处理气体变成等离子体。被处理基板(W)在第一和第二电极之间，由支撑部件(2)所支撑，使其被处理面与第二电极(18)相对。在等离子体生成区域(R1)周围的周围区域(R2)中，配置接地的导电性作用面AS，以扩展等离子体，进行调制，使得与等离子体实质上直流地结合。
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公开(公告)号：CN101276734A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810086398.X
申请日：2008-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , H01J37/32431 , H01J2237/2001 , H01L21/67109 , H02N13/00 , Y10T279/23
Abstract: 本发明提供能够容易调节晶片周缘部温度的等离子体处理装置(1)，在处理室(10)将基板(W)载置于载置台(11)上，使供给处理室内的处理气体等离子体化对基板实施等离子体处理，载置台包括温度调节至规定温度的载置台主体(12)和配置在载置台主体上部的用于吸附基板的静电卡盘(13)，在静电卡盘上面形成有配置在中央的第一传热用气体扩散区域(47)和配置在周缘部的第二传热用气体扩散区域(48)，具有将传热用气体供给第一传热用气体扩散区域的第一传热用气体供给部(51)和将传热用气体供给第二传热用气体扩散区域的第二传热用气体供给部(52)，第二传热用气体扩散区域与第一传热用气体扩散区域的容积比为0.1以下。
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公开(公告)号：CN1745463A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200480003417.8
申请日：2004-02-03
Applicant: 日本奥特克株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在被处理基板(W)上实施等离子体处理的等离子体处理装置，包括收纳被处理基板的能够减压的处理容器(10)。在处理容器内配置有第一电极(12)。为了使处理气体供给到处理容器内而配置有供给系统(62)。为了生成处理气体的等离子体而配置在处理容器内形成高频电场的电场形成系统(32)。在第一电极(12)的主面上，离散地形成有向着等离子体生成空间一侧突出的多个凸部(70)。
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