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公开(公告)号：CN103247511A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310047993.3
申请日：2013-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/465 , C23C14/35 , C23C14/351 , C23C14/352 , H01J37/32091 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01J37/32688 , H01J37/345 , H01J37/3452 , H01L21/32136
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，其能够防止电荷在栅电极中蓄积，能够可靠地抑制栅氧化膜的绝缘破坏。在被供给高频电力的基座（12）和与该基座（12）相对配置的上部电极（13）之间的处理空间S产生电场E，使用由该电场（E）产生的等离子体对载置于基座（12）的晶片W实施等离子体处理时，通过配置于上部电极（13）的上表面（13a）的多个电磁铁（25）和电磁铁（26）在处理空间S中产生磁场B，使通过电场E产生的等离子体的Ne（电子密度）的分布形态和由磁场B产生的等离子体的（Ne）的分布形态重叠，来调整处理空间S的Ne的分布，使晶片W表面的Vdc（负偏压电位）均匀化。
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公开(公告)号：CN109559968A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811125428.3
申请日：2018-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够使等离子体密度的分布均匀化的等离子体处理装置。一个实施方式的等离子体处理装置在腔室主体的内部空间中具有载置台，该载置台包括下部电极。在载置台的上方设置有上部电极。上部电极经由供电导体而与第一高频电源电连接。下部电极与第二高频电源电连接。在腔室主体的上方，以覆盖上部电极的方式设置有接地导体。供电导体经过由接地导体围成的空间而向上方延伸。在接地导体的上端的靠内部空间的一侧提供外部空间。外部空间在上方与上部电极隔开间隔，并且在该外部空间与上部电极之间隔着接地导体。在该外部空间中配置有电磁体。
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公开(公告)号：CN103943489B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410028242.1
申请日：2014-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32165 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01L21/3081 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供一种对在第1氧化膜与第2氧化膜之间设有有机膜的多层膜进行蚀刻的多层膜的蚀刻方法。在该方法中，对有机膜进行蚀刻的工序（b）中的等离子体生成用的高频电力大于对第1氧化膜进行蚀刻的工序（a）和对第2氧化膜进行蚀刻的工序（c）中的高频电力。工序（a）和工序（c）中的吸引离子用的高频偏压电力大于工序（b）中的高频偏压电力。另外，在工序（a）、工序（b）以及工序（c）中，形成具有这样的强度分布的磁场：沿着相对于被处理体的中心轴线而言的放射方向的水平磁场成分在离开中心轴线的位置处具有峰值；工序（b）中的水平磁场成分的峰值位置比工序（a）和工序（c）中的水平磁场成分的峰值位置靠近中心轴线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103247511B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310047993.3
申请日：2013-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/465 , C23C14/35 , C23C14/351 , C23C14/352 , H01J37/32091 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01J37/32688 , H01J37/345 , H01J37/3452 , H01L21/32136
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，其能够防止电荷在栅电极中蓄积，能够可靠地抑制栅氧化膜的绝缘破坏。在被供给高频电力的基座（12）和与该基座（12）相对配置的上部电极（13）之间的处理空间S产生电场E，使用由该电场（E）产生的等离子体对载置于基座（12）的晶片W实施等离子体处理时，通过配置于上部电极（13）的上表面（13a）的多个电磁铁（25）和电磁铁（26）在处理空间S中产生磁场B，使通过电场E产生的等离子体的Ne（电子密度）的分布形态和由磁场B产生的等离子体的（Ne）的分布形态重叠，来调整处理空间S的Ne的分布，使晶片W表面的Vdc（负偏压电位）均匀化。
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公开(公告)号：CN1596458A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN02823544.4
申请日：2002-11-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/50 , C23C14/34
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32082
Abstract: 本发明提供一个允许降低花费，也允许降低发送功率的损耗的成本低的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)具有一个装置主体(2)和附带设备(3)。附带设备(3)包括一个给处理室(4)供应功率的供电设备(5)和多个干泵(6)和(7)等等。供电设备(5)包括一个匹配单元(9)，一个通过同轴电缆(24)连接到匹配单元(9)的RF放大器(13)，和一个其中具有DC放大器(14)的功率控制器(12)。RF放大器(13)对于DC放大器(14)而言，以一个独立部分形成，并被放置在远离DC放大器(14)且接近匹配单元(9)的位置，且通过普通电缆(25)连接到DC放大器(14)。
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公开(公告)号：CN109559968B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201811125428.3
申请日：2018-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够使等离子体密度的分布均匀化的等离子体处理装置。一个实施方式的等离子体处理装置在腔室主体的内部空间中具有载置台，该载置台包括下部电极。在载置台的上方设置有上部电极。上部电极经由供电导体而与第一高频电源电连接。下部电极与第二高频电源电连接。在腔室主体的上方，以覆盖上部电极的方式设置有接地导体。供电导体经过由接地导体围成的空间而向上方延伸。在接地导体的上端的靠内部空间的一侧提供外部空间。外部空间在上方与上部电极隔开间隔，并且在该外部空间与上部电极之间隔着接地导体。在该外部空间中配置有电磁体。
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公开(公告)号：CN103943489A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410028242.1
申请日：2014-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32165 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01L21/3081 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供一种对在第1氧化膜与第2氧化膜之间设有有机膜的多层膜进行蚀刻的多层膜的蚀刻方法。在该方法中，对有机膜进行蚀刻的工序（b）中的等离子体生成用的高频电力大于对第1氧化膜进行蚀刻的工序（a）和对第2氧化膜进行蚀刻的工序（c）中的高频电力。工序（a）和工序（c）中的吸引离子用的高频偏压电力大于工序（b）中的高频偏压电力。另外，在工序（a）、工序（b）以及工序（c）中，形成具有这样的强度分布的磁场：沿着相对于被处理体的中心轴线而言的放射方向的水平磁场成分在离开中心轴线的位置处具有峰值；工序（b）中的水平磁场成分的峰值位置比工序（a）和工序（c）中的水平磁场成分的峰值位置靠近中心轴线。
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公开(公告)号：CN100347817C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN02823544.4
申请日：2002-11-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/50 , C23C14/34
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32082
Abstract: 本发明提供一个允许降低花费，也允许降低发送功率的损耗的成本低的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)具有一个装置主体(2)和附带设备(3)。附带设备(3)包括一个给处理室(4)供应功率的供电设备(5)和多个干泵(6)和(7)等等。供电设备(5)包括一个匹配单元(9)，一个通过同轴电缆(24)连接到匹配单元(9)的RF放大器(13)，和一个其中具有DC放大器(14)的功率控制器(12)。RF放大器(13)对于DC放大器(14)而言，以一个独立部分形成，并被放置在远离DC放大器(14)且接近匹配单元(9)的位置，且通过普通电缆(25)连接到DC放大器(14)。
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