公开(公告)号：CN101276734A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810086398.X

申请日：2008-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥秀一 ,  松丸弘树 ,  中尾亘孝 ,  小松贤次

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J37/32431 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67109 ,  H02N13/00 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明提供能够容易调节晶片周缘部温度的等离子体处理装置(1)，在处理室(10)将基板(W)载置于载置台(11)上，使供给处理室内的处理气体等离子体化对基板实施等离子体处理，载置台包括温度调节至规定温度的载置台主体(12)和配置在载置台主体上部的用于吸附基板的静电卡盘(13)，在静电卡盘上面形成有配置在中央的第一传热用气体扩散区域(47)和配置在周缘部的第二传热用气体扩散区域(48)，具有将传热用气体供给第一传热用气体扩散区域的第一传热用气体供给部(51)和将传热用气体供给第二传热用气体扩散区域的第二传热用气体供给部(52)，第二传热用气体扩散区域与第一传热用气体扩散区域的容积比为0.1以下。

公开(公告)号：CN101276734B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200810086398.X

申请日：2008-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥秀一 ,  松丸弘树 ,  中尾亘孝 ,  小松贤次

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J37/32431 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67109 ,  H02N13/00 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明提供能够容易调节晶片周缘部温度的等离子体处理装置(1)，在处理室(10)将基板(W)载置于载置台(11)上，使供给处理室内的处理气体等离子体化对基板实施等离子体处理，载置台包括温度调节至规定温度的载置台主体(12)和配置在载置台主体上部的用于吸附基板的静电卡盘(13)，在静电卡盘上面形成有配置在中央的第一传热用气体扩散区域(47)和配置在周缘部的第二传热用气体扩散区域(48)，具有将传热用气体供给第一传热用气体扩散区域的第一传热用气体供给部(51)和将传热用气体供给第二传热用气体扩散区域的第二传热用气体供给部(52)，第二传热用气体扩散区域与第一传热用气体扩散区域的容积比为0.1以下。

公开(公告)号：CN117096026A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202310547870.X

申请日：2023-05-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吉井郁弥 ,  小松贤次

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法及等离子体处理装置，该蚀刻方法包括(a)在腔体内的基板支承器上提供基板的工序。基板包括：第1区域，具有氧化硅膜与氮化硅膜交替层叠的多层膜；第2区域，具有单层的氧化硅膜；及掩模，设置于第1区域及第2区域上。蚀刻方法包括：(b)通过由第1处理气体生成的第1等离子体对基板进行蚀刻的工序；及(c)通过由与第1处理气体不同的第2处理气体生成的第2等离子体对基板进行蚀刻的工序。第1处理气体包含含有不饱和键的Cv1Fw1(v1为2以上的整数，w1为1以上的整数)气体。第2处理气体包含含有不饱和键的Cx1Hy1Fz1(x1为2以上的整数，y1及z1为1以上的整数)气体。

公开(公告)号：CN117099189A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202280026699.1

申请日：2022-04-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中川显 ,  小松贤次 ,  上村一真 ,  平山司

IPC: H01L21/3065

Abstract: 一种使用等离子体处理装置进行的基板的蚀刻方法，包括以下工序：工序(A)，向基板支承体提供具有含硅膜的基板；工序(B)，向所述基板支承体周期性地供给20kW以上且50kW以下、占空比(W)为5％以上且50％以下的偏压RF电力；以及工序(C)，通过从包含碳氟化合物气体和含氧气体的处理气体生成的等离子体对所述含硅膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN113284786A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110183119.7

申请日：2021-02-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 渡部诚一 ,  成重和树 ,  林欣禾 ,  徐建峰 ,  黄艺豪 ,  梁振康 ,  吕育骏 ,  叶秋华 ,  赵斌 ,  蔡财进 ,  渡边雄仁 ,  河村浩司 ,  小松贤次 ,  金丽 ,  陈伟德 ,  刘达立

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供能够抑制蚀刻过程中的电弧放电的发生的基片处理方法和基片处理装置。本发明是一种腔室中的基片处理方法，其中，腔室包括：载置基片的载置台；与载置台相对的上部电极；和用于对腔室内供给处理气体的气体供给口，该基片处理方法包含下述a)～d)。a)是对载置台提供基片的工序。b)是对腔室内供给第一处理气体的工序。c)是通过一边对上部电极连续地供给负直流电压，一边连续地供给RF信号，来从第一处理气体生成等离子体的工序。d)是通过一边对上部电极连续地供给负直流电压，一边供给脉冲状的RF信号，来从第一处理气体生成等离子体的工序。c)和d)被交替地反复执行。此外，c)的每1次的期间为30秒以下。