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公开(公告)号：CN108630514A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810240731.1
申请日：2018-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其具有聚焦环，该聚焦环包括：设置在处理室内的载置台所载置的基板的附近的内侧聚焦环；设置在上述内侧聚焦环的外侧，通过移动机构而能够上下移动的中央聚焦环；和设置在上述中央聚焦环的外侧的外侧聚焦环。由此，能够维持对基板的面内整体进行的处理的特性，并控制基板的边缘部的处理特性。
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公开(公告)号：CN109559987B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201811118529.8
申请日：2018-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在执行等离子体处理中使等离子体密度的分布均匀化的等离子体处理方法。一个实施方式的等离子体处理方法在腔室主体的内部空间中收纳有被加工物的状态下执行。等离子体处理方法包括：(i)对被加工物执行第一等离子体处理的步骤；和(ii)对被加工物执行第二等离子体处理的步骤。在执行第二等离子体处理的步骤中设定的第二高频的电功率，大于在执行第一等离子体处理的步骤中设定的第二高频的电功率。在执行第二等离子体处理的步骤中，利用电磁铁形成如下磁场分布：在被加工物的边缘侧之上具有比被加工物的中心之上的水平成分大的水平成分。
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公开(公告)号：CN113628950A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110472722.7
申请日：2021-04-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 高良穣二
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够一边抑制施加到基片整体的等离子体的特性的偏移，一边对边缘环施加直流电压。等离子体处理方法包括：步骤(a)，在腔室的内部生成等离子体；步骤(b)，在生成上述等离子体时，对包围基片周围的边缘环施加直流电压；步骤(c)，在施加上述直流电压时获取上述边缘环的第一电压；步骤(d)，停止施加上述直流电压；步骤(e)，在停止施加上述直流电压时获取上述边缘环的第二电压；和步骤(f)，基于上述第一电压和上述第二电压计算上述直流电压的控制用的参数。
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公开(公告)号：CN109559987A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811118529.8
申请日：2018-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在执行等离子体处理中使等离子体密度的分布均匀化的等离子体处理方法。一个实施方式的等离子体处理方法在腔室主体的内部空间中收纳有被加工物的状态下执行。等离子体处理方法包括：(i)对被加工物执行第一等离子体处理的步骤；和(ii)对被加工物执行第二等离子体处理的步骤。在执行第二等离子体处理的步骤中设定的第二高频的电功率，大于在执行第一等离子体处理的步骤中设定的第二高频的电功率。在执行第二等离子体处理的步骤中，利用电磁铁形成如下磁场分布：在被加工物的边缘侧之上具有比被加工物的中心之上的水平成分大的水平成分。
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公开(公告)号：CN116261737A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202280005913.5
申请日：2022-10-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G06N20/00
Abstract: 缩短直到取得蚀刻质量的检查结果为止的时间。蚀刻处理系统包括：预测部，通过将预测对象的基板的图像数据输入到通过使用学习用数据进行学习而得到的学习完成模型，从而对预测对象的基板的蚀刻质量进行预测，所述学习用数据通过将由布置在基板的输送路径上的摄像装置拍摄的所述基板的图像数据与用于对所述基板的蚀刻质量进行预测的信息相关联而得到。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115938906A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310085511.7
申请日：2018-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其包括执行以下步骤a～步骤e的控制部，将基片放置在基片支承件上的步骤a；在腔室中利用第一RF信号和第二RF信号从第一气体形成第一等离子体的步骤b，在步骤b中，第二RF信号以0以上的第一电功率被供给至下部电极；使基片暴露在第一等离子体中的步骤c；在腔室中利用第一RF信号、第二RF信号和磁场从第二气体形成第二等离子体的步骤d，在步骤d中，第二RF信号以大于第一电功率的第二电功率被供给至下部电极；和使基片暴露在第二等离子体中的步骤e。
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公开(公告)号：CN115148572A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210281422.5
申请日：2022-03-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开涉及一种基板处理装置和基板搬送位置调整方法。基板处理装置具备：工艺模块，其包括载置台和边缘环，载置台设置于腔室的内部且具有第一载置面和第二载置面，边缘环载置于第二载置面；测定部，其测定基板的蚀刻速率；以及控制部，控制部进行控制以在特定的处理条件下将基板搬送到第一载置面的不同的搬送位置，并对每个搬送位置蚀刻基板；控制部针对每个搬送位置从测定部获取基板的端部附近的处于基板的同心圆上的多个地点处的蚀刻速率，基于获取到的每个搬送位置的各蚀刻速率的来生成同心圆的周向的各个近似曲线，控制部基于所生成的每个搬送位置的近似曲线来分别计算表示基板的移动方向的线性式，对计算出的各线性式的交点坐标进行计算。
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公开(公告)号：CN111640640B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202010467116.1
申请日：2018-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/21 , H01J37/305 , H01J37/32 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其具有聚焦环，该聚焦环包括：设置在处理室内的载置台所载置的基板的附近的内侧聚焦环；设置在上述内侧聚焦环的外侧，通过移动机构而能够上下移动的中央聚焦环；和设置在上述中央聚焦环的外侧的外侧聚焦环。由此，能够维持对基板的面内整体进行的处理的特性，并控制基板的边缘部的处理特性。
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公开(公告)号：CN116782480A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310220734.X
申请日：2023-03-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种预测方法和信息处理装置，预测等离子体蚀刻处理的处理结果。预测方法包括计算工序和预测工序。在计算工序中，计算对配置于腔室内的基板实施了等离子体蚀刻处理时的腔室内的磁场的空间分布值与针对基板进行的等离子体蚀刻处理的处理结果之间的相关关系。在预测工序中，基于计算出的相关关系，根据腔室内的磁场的空间分布值来预测针对基板进行的等离子体蚀刻处理的处理结果。
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公开(公告)号：CN115954254A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211221706.1
申请日：2022-10-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供一种控制程序、控制方法以及等离子体处理装置。通过向等离子体生成源供给电源功率并向载置作为处理对象的基板的载置台供给偏压功率来进行等离子体处理的等离子体处理装置的控制程序，所述控制程序用于使计算机执行以下处理：观测所述电源功率或所述偏压功率的峰间电压值，与所述峰间电压值的变动相应地，固定所述电源功率与所述偏压功率的比率，并校正向所述等离子体生成源供给的电源功率和向所述载置台供给的偏压功率，以使得被观测的峰间电压值接近初始设定值。
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