公开(公告)号：CN109559968B

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201811125428.3

申请日：2018-09-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥秀一 ,  宫馆孝明 ,  高栖纪尚 ,  伊藤悦治 ,  横田聪裕 ,  奥西直彦

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种能够使等离子体密度的分布均匀化的等离子体处理装置。一个实施方式的等离子体处理装置在腔室主体的内部空间中具有载置台，该载置台包括下部电极。在载置台的上方设置有上部电极。上部电极经由供电导体而与第一高频电源电连接。下部电极与第二高频电源电连接。在腔室主体的上方，以覆盖上部电极的方式设置有接地导体。供电导体经过由接地导体围成的空间而向上方延伸。在接地导体的上端的靠内部空间的一侧提供外部空间。外部空间在上方与上部电极隔开间隔，并且在该外部空间与上部电极之间隔着接地导体。在该外部空间中配置有电磁体。

公开(公告)号：CN109559968A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811125428.3

申请日：2018-09-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥秀一 ,  宫馆孝明 ,  高栖纪尚 ,  伊藤悦治 ,  横田聪裕 ,  奥西直彦

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种能够使等离子体密度的分布均匀化的等离子体处理装置。一个实施方式的等离子体处理装置在腔室主体的内部空间中具有载置台，该载置台包括下部电极。在载置台的上方设置有上部电极。上部电极经由供电导体而与第一高频电源电连接。下部电极与第二高频电源电连接。在腔室主体的上方，以覆盖上部电极的方式设置有接地导体。供电导体经过由接地导体围成的空间而向上方延伸。在接地导体的上端的靠内部空间的一侧提供外部空间。外部空间在上方与上部电极隔开间隔，并且在该外部空间与上部电极之间隔着接地导体。在该外部空间中配置有电磁体。

公开(公告)号：CN116895505A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310254236.7

申请日：2023-03-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高栖纪尚 ,  山中进矢 ,  立花佑太 ,  北泽贵

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基片处理装置，其包括具有喷淋板和冷却板的喷淋头，在该基片处理装置中，抑制冷却板的翘曲，防止或减轻喷淋板的破损。基片处理装置包括：等离子体处理腔室；基片支承部，其设置在上述等离子体处理腔室内，能够支承基片；和与上述基片支承部相对的喷淋头，上述喷淋头具有：喷淋板，其形成有释放气体的气体释放口；冷却板，其保持上述喷淋板，形成有供给致冷剂的致冷剂流路和气体供给流路；以及多个气体扩散室，其形成在上述喷淋板与上述冷却板之间，分别与上述气体释放口和气体供给流路连通，上述致冷剂流路在俯视时至少一部分与上述喷淋板和上述冷却板之间的传热面重叠地配置。