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公开(公告)号：CN110718461B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201910625440.9
申请日：2019-07-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: [课题]本公开提供能进行膜质的控制的成膜方法。[解决方案]具备如下工序：妨碍吸附区域的工序，使规定量的妨碍吸附自由基吸附在形成于基板上的吸附位点上，离散地形成妨碍吸附区域；使原料气体吸附的工序，使原料气体吸附在前述吸附位点上的未形成前述妨碍吸附区域的区域；和，使反应产物沉积的工序，使吸附于前述吸附位点上的前述原料气体与由等离子体活化了的反应气体反应，使反应产物沉积。
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公开(公告)号：CN100474528C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200510134334.9
申请日：2005-12-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/314 , C23C16/30 , C23C16/44 , G05B19/04
CPC classification number: H01L21/0214 , H01L21/02332 , H01L21/3144
Abstract: 本发明提供一种在反应室内、在被处理基板上形成氧氮化硅膜的半导体处理用的成膜方法，其包含：在不装载被处理基板的状态下，对反应室内的部件实施预处理的工序；和接着，在反应室内，在被处理基板上形成氧氮化硅膜的工序。预处理将含有氮化气体或氧氮化气体的预处理气体供给到反应室内，同时，将反应室内设定为第一温度和第一压力。
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公开(公告)号：CN108456870B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201810151721.0
申请日：2018-02-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及成膜方法以及成膜装置，目的是能够利用简单的处理以及装置来实现的自下而上性高的氮化膜的嵌入成膜。成膜方法，从底面侧向在基板的表面形成的凹陷图案嵌入氮化膜，该成膜方法包括以下工序：向所述基板的表面和所述凹陷图案的上部供给利用等离子体活化得到的氯气并使该氯气吸附来形成吸附阻碍基团；向包含所述凹陷图案的所述基板的表面供给含有硅和氯或含有金属和氯的原料气体，使所述原料气体吸附于没有形成所述吸附阻碍基团的所述凹陷图案内的下部区域；以及向包含所述凹陷图案的所述基板的表面供给氮化气体，使通过与所述原料气体发生反应而生成的氮化膜的分子层沉积在所述凹陷图案内的下部区域。
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公开(公告)号：CN1294630C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN02805735.X
申请日：2002-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67103 , C23C8/16 , C30B33/02 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , Y10S438/909
Abstract: 半导体处理用的热处理装置的供给系统具有燃烧器(12)、加热器(13)和气体分配部(14)。燃烧器(12)具有配置在处理室(21)外面的燃烧室(59)。燃烧器(12)使氢气和氧气在燃烧室(59)内反应，生成水蒸气，供给处理室(21)。加热器(13)具有配置在处理室(21)外面的加热室(61)。加热器(13)有选择地将不通过燃烧室(59)的气体，在加热室(61)内加热至活性化温度以上，供给处理室(21)。气体分配部(14)有选择地将氢气和氧气供给燃烧室(59)，同时，有选择地将反应性气体和不活性气体供给加热室(61)。
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公开(公告)号：CN119343755A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202380045201.0
申请日：2023-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供一种基板处理方法和基板处理系统，将金属氧化物抗蚀剂膜作为掩模蚀刻基底膜时，改善基底膜上形成的图案的线边缘粗糙度。一种基板处理方法，包括：在具有基底膜的基板上形成金属氧化物抗蚀剂膜的工序，在所述金属氧化物抗蚀剂膜上形成图案的工序，将形成有所述图案的所述金属氧化物抗蚀剂膜改性的工序，将改性的所述金属氧化物抗蚀剂膜作为掩模，蚀刻所述基底膜的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110718461A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910625440.9
申请日：2019-07-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: [课题]本公开提供能进行膜质的控制的成膜方法。[解决方案]具备如下工序：妨碍吸附区域的工序，使规定量的妨碍吸附自由基吸附在形成于基板上的吸附位点上，离散地形成妨碍吸附区域；使原料气体吸附的工序，使原料气体吸附在前述吸附位点上的未形成前述妨碍吸附区域的区域；和，使反应产物沉积的工序，使吸附于前述吸附位点上的前述原料气体与由等离子体活化了的反应气体反应，使反应产物沉积。
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公开(公告)号：CN1315161C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN03806219.4
申请日：2003-04-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67253
Abstract: 成膜方法包括预备阶段(S10)和处理阶段(S20)。在预备阶段(S10)中，根据表示膜厚和处理时间的关系的第一关系式及表示大气压和膜厚的关系的第二关系式，导出用于与大气压相对应来修正处理时间的处理时间修正式(S11～S14)。在处理阶段(S20)中，根据导出了的处理时间修正式及现在的大气压的测定结果，修正处理时间，根据修正了的处理时间，进行成膜(S21～S23)。
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公开(公告)号：CN1790629A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510134334.9
申请日：2005-12-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/314 , C23C16/30 , C23C16/44 , G05B19/04
CPC classification number: H01L21/0214 , H01L21/02332 , H01L21/3144
Abstract: 本发明提供一种在反应室内、在被处理基板上形成氧氮化硅膜的半导体处理用的成膜方法，其包含：在不装载被处理基板的状态下，对反应室内的部件实施预处理的工序；接着，在反应室内，在被处理基板上形成氧氮化硅膜的工序。预处理将含有氮化气体或氧氮化气体的预处理气体供给到反应室内，同时，将反应室内设定为第一温度和第一压力。
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公开(公告)号：CN108456870A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810151721.0
申请日：2018-02-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/45536 , C23C16/02 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/345 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/32366 , H01J37/32458 , H01J37/32513 , H01J37/32651 , H01J37/32715 , H01J37/32752 , H01J37/32899 , C23C16/34 , C23C16/047
Abstract: 本发明涉及成膜方法以及成膜装置，目的是能够利用简单的处理以及装置来实现的自下而上性高的氮化膜的嵌入成膜。成膜方法，从底面侧向在基板的表面形成的凹陷图案嵌入氮化膜，该成膜方法包括以下工序：向所述基板的表面和所述凹陷图案的上部供给利用等离子体活化得到的氯气并使该氯气吸附来形成吸附阻碍基团；向包含所述凹陷图案的所述基板的表面供给含有硅和氯或含有金属和氯的原料气体，使所述原料气体吸附于没有形成所述吸附阻碍基团的所述凹陷图案内的下部区域；以及向包含所述凹陷图案的所述基板的表面供给氮化气体，使通过与所述原料气体发生反应而生成的氮化膜的分子层沉积在所述凹陷图案内的下部区域。
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公开(公告)号：CN1643667A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03806219.4
申请日：2003-04-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67253
Abstract: 成膜方法包括预备阶段(S10)和处理阶段(S20)。在预备阶段(S10)中，根据表示膜厚和处理时间的关系的第一关系式及表示大气压和膜厚的关系的第二关系式，导出用于与大气压相对应来修正处理时间的处理时间修正式(S11～S14)。在处理阶段(S20)中，根据导出了的处理时间修正式及现在的大气压的测定结果，修正处理时间，根据修正了的处理时间，进行成膜(S21～S23)。
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