公开(公告)号：CN104862668B

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201510087374.6

申请日：2015-02-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 立花光博 ,  高畠裕二 ,  本间学

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4586

Abstract: 一种基板处理装置，其一边在真空容器内使载置在旋转台上的圆形的基板公转一边对该基板供给处理气体并进行处理，其中，该基板处理装置包括：凹部，其为了收纳上述基板而形成于上述旋转台的一面侧；加热部，其为了将上述基板加热到600℃以上并进行处理而对上述旋转台进行加热；以及3个支承销，其在上述凹部的底面上分别位于正三角形的顶点，并分别对与基板的中心分开了该基板的半径的2/3的部位进行支承，该支承销是为了以使上述基板自该凹部的底面浮起的状态支承上述基板而设置的。

公开(公告)号：CN108754453A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810355413.X

申请日：2015-11-27

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 山本哲夫 ,  丰田一行 ,  松井俊

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/505 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211

Abstract: 本发明提供一种使用等离子体形成高品质的膜的衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。在具有内置有用于载置衬底的衬底载置台的处理室、和使供给到处理室内的气体成为等离子体状态的等离子体生成部的衬底处理装置中，等离子体生成部具有以包围成为供给到处理室内的气体的流路的等离子体生成室的方式配置的等离子体产生导体，等离子体产生导体具有沿着等离子体生成室内的气体的主流方向延伸的多个主导体部、和将主导体部彼此电连接的连接导体部。

公开(公告)号：CN104831255B

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201510071141.7

申请日：2015-02-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  佐藤润 ,  村田昌弘 ,  大下健太郎 ,  菅野智子 ,  三浦繁博

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括以下工序：向基板供给处理气体的工序；向所述基板供给分离气体的工序；在第1等离子体产生部件与所述旋转台之间的距离为第1距离的状态下向所述基板供给第1等离子体处理用气体的工序；在第2等离子体产生部件与所述旋转台之间的距离为比所述第1距离小的第2距离的状态下向所述基板供给第2等离子体处理用气体的工序；以及向所述基板供给所述分离气体的工序。

公开(公告)号：CN108315718A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201810025484.3

申请日：2018-01-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  大泉行雄 ,  本间学 ,  小林健

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458

CPC classification number: C23C16/45551 ,  B05C11/1031 ,  C23C14/042 ,  C23C14/228 ,  C23C14/26 ,  C23C14/505 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/52 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明涉及基板处理装置。在一边使载置于旋转台的一面侧的作为基板的晶圆公转一边进行成膜处理时，沿晶圆的周向实施均匀的处理。设为利用旋转台(2)使在旋转台的一面侧载置晶圆的载置台(3)公转。另外，在载置台的自转轴(32)设有从动齿轮(4)，且沿该从动齿轮的公转轨道的整周设有与该从动齿轮构成磁齿轮机构的驱动齿轮(5)。利用自转用旋转机构(53)使驱动齿轮旋转，产生驱动齿轮的角速度与从动齿轮的基于公转的角速度的速度差，从而使载置台自转，因此，能在晶圆(W)的周向上使成膜处理的均匀性提高。另外，能利用驱动齿轮的角速度与从动齿轮的角速度之差容易地调整从动齿轮的自转速度。

公开(公告)号：CN108028164A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680052156.1

申请日：2016-09-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·约德伏斯基 ,  J·C·福斯特 ,  K·贝拉 ,  S·坎德沃尔 ,  M·斯里拉姆 ,  田中启一 ,  K·竹下 ,  N·坂本 ,  T·柳川

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01J37/32623 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32752

Abstract: 一种等离子体源组件，包括壳体；与壳体电连通的阻隔板，与壳体电连通的阻隔板，该阻隔板具有限定场域的内周边缘、外周边缘、第一侧和第二侧，细长槽在所述场域内并且延伸穿过所述阻隔板，细长槽具有长度与宽度；以及在壳体内的RF热电极，RF热电极具有正面和背面，内周端和外周端，RF热电极的正面与阻隔板隔开以限定间隙。

公开(公告)号：CN104637769B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201410635709.9

申请日：2014-11-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  菊地宏之 ,  米泽雅人 ,  佐藤润 ,  三浦繁博

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02211 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/505 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置包括：真空容器，其具有顶板；旋转台，其以能够旋转的方式设于所述真空容器内；第1处理气体供给部件，其用于供给要吸附于与所述旋转台对置的基板的表面的第1处理气体；等离子体处理用气体供给部件，其设于在所述旋转台的周向上与所述第1处理气体供给部件分开的位置，用于向所述基板的表面供给等离子体处理用气体；分离气体供给部件，其用于供给使所述第1处理气体和所述等离子体处理用气体分离的分离气体；等离子体产生部件，其用于使所述等离子体处理用气体等离子体化；以及升降机构，其用于使所述等离子体产生部件和所述旋转台中的至少一者升降。

公开(公告)号：CN105473762B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201480028863.8

申请日：2014-03-18

Applicant: ASM国际股份有限公司

Inventor： E·H·A·格兰尼曼 ,  P·塔克

IPC: C23C16/455 ,  B65G51/03 ,  C23C16/54 ,  H01L21/677

CPC classification number: C23C16/45544 ,  B65G51/03 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67784

Abstract: 一种基片加工设备(100)，其包含具有下隧道壁(122)、上隧道壁(142)和两个侧向隧道壁(128)的加工隧道(102)，所述隧道壁构造成用来限定出加工隧道空间(104)，所述加工隧道空间在纵向运输方向(T)上延伸，并适合容纳至少一个平行于上下隧道壁(122,142)取向的基本上平坦的基片(180)，所述加工隧道分成包含下隧道壁的下隧道体(120)和包含上隧道壁的上隧道体(140)，所述隧道体(120,140)可沿着至少一个纵向延伸的接合部(160)以可分离的方式彼此接合，使得它们可在闭合形态与开放形态之间相互移动，其中在闭合形态中，隧道壁(122,128,42)限定出加工隧道空间(104)，而开放形态能够提供通向加工隧道内部的侧向维护通道。

公开(公告)号：CN103866297B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201310686986.8

申请日：2013-12-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山涌纯 ,  舆水地盐 ,  山泽阳平 ,  立花光博 ,  加藤寿 ,  小林健 ,  三浦繁博 ,  木村隆文

IPC: C23C16/513

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32752 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供成膜装置、基板处理装置及成膜方法。成膜装置包括：旋转台；成膜区域，于其中在基板上依次层叠分子层或原子层而形成薄膜；等离子体处理部，在等离子体产生区域中利用等离子体对分子层或原子层进行改性处理，等离子体产生区域在旋转台的旋转方向上与成膜区域分开地设置；下侧偏压电极和上侧偏压电极，为了将等离子体中的离子引入基板的表面，该下侧偏压电极设于旋转台上的基板的高度位置的下方侧，该上侧偏压电极配置在与高度位置相同的位置或配置于该高度位置的上方侧；高频电源部，与下侧偏压电极和上侧偏压电极中的至少一方相连接，使下侧偏压电极和上侧偏压电极隔着等离子体产生区域进行电容耦合而在基板上形成偏压电位；排气机构。

公开(公告)号：CN104584193B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201380044496.6

申请日：2013-08-23

Applicant: 周星工程股份有限公司

Inventor： 韩政勋 ,  金荣勋 ,  黃喆周

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/50 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 公开了一种用于加工基板的装置和方法，其能实现在基板上均匀地沉积薄膜，并且便于控制所沉积的薄膜的质量，其中，所述装置包括：加工腔室；腔室盖；基板支撑器，用于支撑至少一个基板；源气分配器，用于将源气分配到源气分配区域；反应气分配器，用于将反应气分配到反应气分配区域；以及吹扫气分配器，用于将吹扫气分配到在源气分配区域与反应气分配区域之间形成的吹扫气分配区域，其中，所述吹扫气分配器与所述基板之间的距离小于所述基板与所述源气分配器和所述反应气分配器的每一个之间的距离。

公开(公告)号：CN103459665B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201280015471.9

申请日：2012-03-28

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 加纳满 ,  佐佐木康裕

IPC: C23C16/54

CPC classification number: C23C16/545 ,  B65H20/16 ,  B65H23/025 ,  C23C16/45551

Abstract: 本发明的卷绕成膜装置（1）具备：导入第一前驱体气体的第一真空室（21）；导入第二前驱体气体的第二真空室（22）；导入用于排出第一前驱体和第二前驱体的吹扫气体的第三真空室（23）；以及搬运设备（41a（41b）），该搬运设备将可卷绕的基材（15）搬运到第一真空室（21）、第二真空室22）和第三真空室（23）中，并且具有保持基材15）的宽度方向的两端部的保持部。