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发明公开
基板处理方法和基板处理系统审中-实审

公开(公告)号：CN119343755A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202380045201.0

申请日：2023-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井下田真信 , 高桥丰 , 田村辰也 , 铃木祐介 , 镰田丰弘 , 小山贤一 , 都筑伶子 , 永原诚司 , 村松诚 , 村松谕 , 志村悟

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供一种基板处理方法和基板处理系统，将金属氧化物抗蚀剂膜作为掩模蚀刻基底膜时，改善基底膜上形成的图案的线边缘粗糙度。一种基板处理方法，包括：在具有基底膜的基板上形成金属氧化物抗蚀剂膜的工序，在所述金属氧化物抗蚀剂膜上形成图案的工序，将形成有所述图案的所述金属氧化物抗蚀剂膜改性的工序，将改性的所述金属氧化物抗蚀剂膜作为掩模，蚀刻所述基底膜的工序。

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