公开(公告)号：CN100485885C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200480027351.6

申请日：2004-12-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 青山真太郎 ,  井下田真信 ,  山崎和良

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67155

Abstract: 本发明提供一种在处理容器内、在规定的处理温度下、在被处理基板表面形成氧化膜的成膜方法，其包括将上述基板升温至上述规定的处理温度的升温工序，上述升温工序包括在上述基板的温度达到450℃的温度之前、将上述基板保持在含氧的气氛中的工序。

公开(公告)号：CN1692477A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200380100584.X

申请日：2003-12-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎和良 ,  青山真太郎 ,  井下田真信 ,  神力博

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3144 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02326

Abstract: 为了将增膜抑制到最小限度地有效地进行氮化非常薄的、膜厚0.4nm或以下的氧化膜、氮氧化膜，由氧自由基形成机构来形成氧自由基，利用形成的氧自由基，氧化硅基板，在硅基板上形成氧化膜，进一步由氮自由基形成机构来形成氮自由基，氮化所述氧化膜表面来形成氮氧化膜。

公开(公告)号：CN100463120C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200480008004.9

申请日：2004-11-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井下田真信 ,  山崎和良 ,  青山真太郎 ,  神力博

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662

Abstract: 本发明涉及一种等离子体点火方法，该方法解决将处理容器的内部抽真空的状态下停止运转的情况下，即使重启运行也会出现不容易点火等离子体的现象的问题。向处理容器(21)中流通含氧气体，一边排放出所述处理容器(21)内部的气体，一边用紫外光照射所述含氧气体。之后，驱动远距离等离子体源(26)，点火等离子体。

公开(公告)号：CN1254854C

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN02805783.X

申请日：2002-12-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井下田真信 ,  青山真太郎 ,  神力博 ,  高桥毅

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28185 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/482 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67017 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 利用高频等离子体形成氮游离基，通过将所述氮游离基提供给包含氧的绝缘膜表面，使所述绝缘膜表面氮化。含有所述氧的绝缘膜具有0.4nm以下的膜厚，在将所述表面氮化后的绝缘膜上形成高介电体膜。所述氮游离基借助按照沿着所述绝缘膜的表面流动的方式而形成的气流而得以提供。

公开(公告)号：CN119343755A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202380045201.0

申请日：2023-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井下田真信 ,  高桥丰 ,  田村辰也 ,  铃木祐介 ,  镰田丰弘 ,  小山贤一 ,  都筑伶子 ,  永原诚司 ,  村松诚 ,  村松谕 ,  志村悟

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供一种基板处理方法和基板处理系统，将金属氧化物抗蚀剂膜作为掩模蚀刻基底膜时，改善基底膜上形成的图案的线边缘粗糙度。一种基板处理方法，包括：在具有基底膜的基板上形成金属氧化物抗蚀剂膜的工序，在所述金属氧化物抗蚀剂膜上形成图案的工序，将形成有所述图案的所述金属氧化物抗蚀剂膜改性的工序，将改性的所述金属氧化物抗蚀剂膜作为掩模，蚀刻所述基底膜的工序。

公开(公告)号：CN100459061C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200380100584.X

申请日：2003-12-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎和良 ,  青山真太郎 ,  井下田真信 ,  神力博

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3144 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02326

Abstract: 为了将增膜抑制到最小限度地有效地进行氮化非常薄的、膜厚0.4nm或以下的氧化膜、氮氧化膜，由氧自由基形成机构来形成氧自由基，利用形成的氧自由基，氧化硅基板，在硅基板上形成氧化膜，进一步由氮自由基形成机构来形成氮自由基，氮化所述氧化膜表面来形成氮氧化膜。

公开(公告)号：CN1254851C

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN02810326.2

申请日：2002-12-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 青山真太郎 ,  井下田真信 ,  神力博 ,  高桥毅

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/316 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/67167 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/302 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67225 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种基板处理方法，其特征在于：包括从硅基板表面去除碳的工序、和平坦化所述去除了碳的硅基板表面的工序。

公开(公告)号：CN101221897A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200810008826.7

申请日：2003-12-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎和良 ,  青山真太郎 ,  井下田真信 ,  神力博

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3144 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02326

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，包括：在处理容器中进行被处理基板的第一处理的第一工序；将所述被处理基板从所述处理容器中搬出的第二工序；进行所述处理容器的氧除去处理的第三工序；将所述被处理基板搬入所述处理容器的第四工序；和进行所述被处理基板的第二处理的第五工序。

公开(公告)号：CN101151718A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200680010882.3

申请日：2006-02-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 井下田真信 ,  考利·瓦吉达 ,  大卫·L·欧梅拉 ,  克里森·希尔 ,  古川俊治

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC classification number: C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662

Abstract: 本发明提供了一种在衬底上制备氧氮化物膜的方法。将所述衬底的表面暴露于氧自由基以在所述衬底上形成氧化物膜，所述氧自由基通过第一处理气体的紫外(UV)辐射诱导解离而形成，所述第一处理气体包含至少一种包含氧的分子组合物。将所述氧化物膜暴露于氮自由基来氮化所述氧化物膜，并形成所述氧氮化物膜，其中所述氮自由基是通过包含至少一种含氮的分子组合物的第二处理气体的等离子体诱导解离而形成的，所述解离使用基于通过具有多个缝隙的平面天线的微波辐射的等离子体。

公开(公告)号：CN100359649C

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN03816208.3

申请日：2003-09-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井下田真信 ,  青山真太郎 ,  神力博

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67017

Abstract: 基板处理装置(100、40)备有由高频等离子体形成氮自由基和氧自由基的自由基形成部(26)、保持被处理基板(W)的处理容器(21)、和与自由基形成部连接并控制包含氮的第一原料气体和包含氧的第二原料气体的混合比，将所要混合比的混合气体供给自由基形成部的气体供给部(30)。通过向被处理基板表面供给混合比受到控制的氮自由基和氧自由基，在被处理基板表面上形成具有所要氮浓度的绝缘膜。