公开(公告)号：CN1708833A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200380102592.8

申请日：2003-10-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤田武彦 ,  冈田充弘 ,  梅泽好太 ,  长谷部一秀 ,  坂本浩一

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01L21/67253 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明的热处理装置配备：保持多个基板的保持器；搬入所述保持器的反应容器；把处理气体供给所述反应容器的处理气体供给机构；和在所述处理气体供给时，对所述反应容器加热，对基板施以成膜处理的加热机构，使在一批量处理中预定处理的基板枚数数据与所述处理气体的流量参数目标值数据对应的流量参数表数据储存在流量参数表数据存储部内。控制机构根据在一批量处理中预定处理的基板实际枚数，基于在所述流量参数表数据存储部内储存的流量参数表数据，得到所述处理气体流量参数目标值数据，并遵从该目标数据，控制所述处理气体供给机构。所述流量参数目标值数据按照如下方式决定：使在预定处理的基板枚数相互各异的批量处理间成膜速度一致。

公开(公告)号：CN101135046A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710147867.X

申请日：2007-08-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  周保华 ,  梅泽好太 ,  门永健太郎 ,  张皓翔

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C03C17/225 ,  C03C2217/281 ,  C03C2217/282 ,  C03C2217/283 ,  C03C2218/152 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，在能够有选择地供给含有硅烷系气体的第一处理气体、含有氮化气体或氧氮化气体的第二处理气体、含有含硼的气体的第三处理气体和含有碳氢化合物气体的第四处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成绝缘膜。在第一工序中，供给第一处理气体、和第三与第四处理气体中之一的先行气体，另一方面，停止供给第二处理气体、和第三与第四处理气体中的另一种的后行气体。在第二工序中，供给后行气体，另一方面，停止供给第二处理气体和先行气体。在第三工序中，供给第二处理气体，另一方面，停止供给第一处理气体。

公开(公告)号：CN100372076C

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN01822329.X

申请日：2001-12-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菱屋晋吾 ,  古泽纯和 ,  梅泽好太 ,  林輝幸 ,  齐藤美佐子 ,  佐藤昌一

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02046 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109

Abstract: 热处理装置(1)具有：具有升温用加热器(12)的、容放附着有有机物的晶片(10)的反应管(2)；向反应管(2)内供给氧气的第1气体导入管(13)；供给氢气的第2气体导入管(14)。分别通过第1气体导入管(13)和第2气体导入管(14)向反应管(2)内供给氧气和氢气，通过升温用加热器(12)将反应管(2)加热到可使氧气和氢气活化的温度。于是，在反应管(2)内发生燃烧反应，使附着在晶片(10)上的有机物氧化、分解，从而将其除去。

公开(公告)号：CN116313753A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211604228.2

申请日：2022-12-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 梅泽好太 ,  渡部佳优

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种晶硅膜形成方法和晶硅膜形成装置，能够形成粒径更大的晶硅膜。晶硅膜形成方法包括以下工序：在基板上形成第一非晶硅膜；对形成有第一非晶硅膜的基板实施第一退火来形成晶核形成膜，该晶核形成膜形成有硅的晶核；通过蚀刻气体来进行蚀刻；在进行蚀刻的工序之后所残留的晶核上形成第二非晶硅膜；以及对形成第二非晶硅膜之后的基板实施第二退火，来使晶核生长并形成晶硅膜。

公开(公告)号：CN101325160B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200810142874.5

申请日：2008-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野寺伸武 ,  松永正信 ,  长谷部一秀 ,  梅泽好太 ,  周保华

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/34

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用成膜方法和装置。在能够选择性地供给包括硅烷气体的第一处理气体和包括氮化气体的第二处理气体的处理区域内进行多个循环，在被处理基板上形成氮化硅膜。各循环包括：进行第一处理气体的供给，另一方面，维持遮断第二处理气体的供给的第一供给工序；和进行第二处理气体的供给，另一方面，维持遮断第一处理气体的供给第二供给工序。该方法多个重复执行以下循环：第二供给工序包括激励第二处理气体的激励期间的第一循环组和第二供给工序不包括激励第二处理气体的期间的第二循环组。

公开(公告)号：CN102242350A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110126549.1

申请日：2011-05-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 周保华 ,  梅泽好太 ,  渡边要介 ,  长谷川雅之

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/402

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。该成膜方法为，向处理容器内搬入被处理体(半导体晶圆)，使被处理体的温度为350℃以下，向上述处理容器内供给作为Si源气体的氨基硅烷气体和氧化气体，在被处理体表面上形成氧化硅膜时，作为氧化气体，使用由第1氧化气体和第2氧化气体构成的气体，该第1氧化气体由O2气体和O3气体中的至少一种气体构成，该第2氧化气体由H2O气体和H2O2气体中的至少一种气体构成。

公开(公告)号：CN100474528C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200510134334.9

申请日：2005-12-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柴田哲弥 ,  高桥丰 ,  梅泽好太 ,  富田正彦

IPC: H01L21/314 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  G05B19/04

CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/3144

Abstract: 本发明提供一种在反应室内、在被处理基板上形成氧氮化硅膜的半导体处理用的成膜方法，其包含：在不装载被处理基板的状态下，对反应室内的部件实施预处理的工序；和接着，在反应室内，在被处理基板上形成氧氮化硅膜的工序。预处理将含有氮化气体或氧氮化气体的预处理气体供给到反应室内，同时，将反应室内设定为第一温度和第一压力。

公开(公告)号：CN104821348A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201510050339.7

申请日：2015-01-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 梅泽好太 ,  渡边要介

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02645 ,  C30B25/10 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明提供氮化镓系结晶的生长方法和热处理装置。氮化镓系结晶的生长方法包括以下工序：以350℃～700℃的成膜温度在硅基板上进行含有氮化铝或氧化铝的中间层的成膜；在含有氨或氧的气氛中加热所述硅基板和所述中间层，而使所述中间层所含有的氮化铝或氧化铝的结晶核分布在该硅基板上；以及以分布在所述硅基板上的所述结晶核为起点，使氮化镓系结晶在所述硅基板上生长。

公开(公告)号：CN104120405A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410171684.1

申请日：2014-04-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 梅泽好太 ,  渡边要介

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/54 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45523

Abstract: 提供成膜装置的清洁方法以及成膜装置。成膜装置的清洁方法具备：第一工序，对处理室的内部以及收容在处理室的内部的部件进行清洁；第二工序，对处理室的内部以及部件各自的下部进行清洁；以及第三工序，对气体供给路径的内部进行清洁。在上述第一工序中，将压力设定为第一压力带，将温度设定为第一温度带，从气体供给路径供给清洁气体，在上述第二工序中，一边将压力设定为比第一压力带高的第二压力带，并使温度上升至比第一温度带高的第二温度带，一边从气体供给路径供给清洁气体，在上述第三工序中，一边将压力设定为比第二压力带低的第三压力带，并将温度维持在第二温度带，一边从气体供给路径供给清洁气体。

公开(公告)号：CN101256957A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810095113.9

申请日：2008-02-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柴田哲弥 ,  梅泽好太 ,  池内俊之

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的热处理方法，在处理容器的处理区域内以隔开间隔层叠的状态收纳多个被处理基板。被处理基板在表面具有处理对象层。接着，对上述处理区域供给氧化性气体和还原性气体，同时将处理区域进行加热，由此使氧化性气体和上述还原性气体反应而产生氧活性种和羟基活性种，使用上述氧活性种和上述羟基活性种对被处理基板上的上述处理对象层进行氧化。接着，在由臭氧或者氧化性活性种构成的退火气体的氛围中将氧化后的处理对象层进行加热，由此对处理对象层进行退火。