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公开(公告)号：CN112017936B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202010412317.1
申请日：2020-05-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的一个方式提供一种等离子体处理装置，其包括：圆筒体状的处理容器；沿着所述处理容器的长度方向相对配置的一对等离子体电极；和向所述一对等离子体电极供给高频电功率的高频电源，在所述等离子体电极中，离被供给所述高频电功率的供电位置较远的位置的电极间距离比所述供电位置的电极间距离长。根据本发明，可提供能够提高沿着处理容器的长度方向的电场强度的均匀性的技术。
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公开(公告)号：CN116544091A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310057808.2
申请日：2023-01-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，在批量式的等离子体处理装置中更精密地对基板进行等离子体处理。所述等离子体处理装置具备：基板保持部，其能够将多张基板在高度方向上分多层地载置；以及处理容器，其收容所述基板保持部，具有对所述基板进行加热的加热部，其中，所述基板保持部具有由电介体形成的多个载置台、以及埋设于多个所述载置台内的第一电极层和第二电极层。
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公开(公告)号：CN102738045A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210093659.7
申请日：2012-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/673 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67303 , H01L21/67309
Abstract: 本发明提供基板保持件、立式热处理装置及立式热处理装置的运转方法。基板保持件以架状保持多张基板，为了对这些基板进行热处理而被搬入到立式热处理炉内，该基板保持件包括能够相互分割地合体的第一保持件部分和第二保持件部分，第一保持件部分和第二保持件部分分别具备：相互上下对置的顶板和底板；支柱，其沿着顶板和底板各自的周缘部而设置有多个，将该顶板与底板相互连结；保持部，其设置在多个支柱各自之中相互对应的位置，用于保持各基板的下表面，第一保持件部分和第二保持件部分各自的保持部以如下方式设定高度位置，即：在第一保持件部分和第二保持件部分相互合体时，使得保持于第一保持件部分的基板和保持于第二保持件部分的基板交替地排列。
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公开(公告)号：CN101494163B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910005625.6
申请日：2009-01-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种处理装置和处理方法，该处理装置对被处理体(W)进行热处理。处理装置具有：能够收容多个被处理体(W)的处理容器(22)；设于处理容器(22)外侧的感应加热用线圈部(104)；对感应加热用线圈部(104)施加高频电力的高频电源(110)；将气体导入处理容器(22)内的气体供给部(90)；在处理容器(22)内保持被处理体(W)的保持部(24)；和通过来自感应加热用线圈部(104)的高频感应加热并加热被处理体(W)的感应发热体(N)。在感应发热体(N)上形成有用于控制在该感应发热体(N)上产生的涡电流的流动的切口状的槽部。
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公开(公告)号：CN1712560B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200510079676.5
申请日：2005-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 松浦广行
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/52
CPC classification number: C23C16/44 , C23C16/36 , C23C16/405 , C23C16/45525 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , H01L21/31637 , H01L21/3185
Abstract: 本发明公开了一种垂直CVD装置，其包括构成来向处理室中供给处理气体的供给系统和构成来控制该装置的操作的控制部件。该供给系统包括连接到第一反应气体管线以供给第一反应气体的多个第一运输孔，和连接到第二反应气体管线以供给第二反应气体的多个第二运输孔。每组第一运输孔和第二运输孔在与目标基板的边缘相邻的位置上在垂直方向上排列，以便完全在间隔地堆叠的目标基板的垂直长度上分布。控制部件控制供给系统，从而交替地供给第一和第二反应气体，由此在目标基板上形成来源于第一和第二反应气体的薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100524641C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200480013598.2
申请日：2004-05-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/3065 , C23C16/505 , C23F4/00 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32357 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本发明的目的在于：在纵型等离子体处理装置中，不降低原子团的利用效率，防止等离子体对被处理体的破坏，并抑制空心阴极放电和等离子体引起的溅射的发生。在处理容器32的侧壁的内表面的一部分上设置有在上下方向延伸的凹部74。从配置在凹部74中的等离子体气体喷嘴62喷出的等离子体气体，在凹部74中的等离子体电极76之间的区域PS中被等离子体化，向着被处理体W从凹部74喷出。
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公开(公告)号：CN101452827A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810182932.7
申请日：2008-12-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 松浦广行
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/4581 , C23C16/46
Abstract: 本发明提供了一种通过使用感应加热方法，能够在不对处理容器自身加热的状态下对被处理体进行加热的处理装置。对于被处理体(W)施加热处理的处理装置(20)包括能够收容多个被处理体(W)的处理容器(22)、缠绕在处理容器(22)的外周的感应加热用线圈部(104)。此外还设置有对感应加热用线圈部(104)施加高频电力的高频电源(110)，以及向处理容器(22)内导入需要的气体的气体供给单元(90)。保持单元(24)对被处理体(22)和由来自感应加热用线圈部(104)的高频感应加热的感应发热体(N)进行保持并相对于处理容器(22)内能够插入或拔出。
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公开(公告)号：CN100397577C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN02805938.7
申请日：2002-11-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/22 , H01L21/324 , C23C16/52 , F16K51/02 , F16K1/52 , G05D16/16
CPC classification number: G05D16/166
Abstract: 本发明涉及一种阀装置和热处理装置，在热处理炉(1)的排气系统(12)的配管(13)上安装的主阀(18)的阀壳(21)上，形成两条旁路(32、33)。各旁路(32、33)由安装在阀壳(21)上的辅助阀(30、31)开闭。其中一个辅助阀(31)具有调节流量的结构。主阀(18)使用设置在主阀上的固定板(54)，由螺栓和螺母固定在热处理装置的箱体(14)上。本发明可以简化排气系统的回绕配管，提高热处理装置的维修操作性。
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公开(公告)号：CN1841676A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610066216.3
申请日：2006-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 松浦广行
IPC: H01L21/318 , C23C16/34 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/45542 , C23C16/345 , C23C16/45546
Abstract: 本发明涉及可以在低温下形成高应力的氮化硅膜的、利用ALD法，形成氮化硅膜的方法。此方法包括：(a)将二氯硅烷供给到反应室内，使得以二氯硅烷为前体的化学种吸附在半导体晶片上的工序；(b)对所述化学种中所含的氯进行氢化，从所述化学种中去除的工序；(c)将氨自由基供给到所述反应室内，利用此氨自由基，对已去除氯的所述化学种进行氮化，将其结果得到的硅氮化物堆积在所述被处理体上的工序，通过按所述工序(a)、(b)、(c)的顺序多次反复进行，在半导体晶片上形成期望厚度的氮化硅膜。
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公开(公告)号：CN112420510A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010794218.4
申请日：2020-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 松浦广行
IPC: H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供热处理方法和热处理装置。本发明的一个方式的热处理方法包括：在基片上形成膜中氢浓度为5×1019atoms/cm3以上的非晶硅膜的步骤；和通过对上述基片照射微波，以对上述非晶硅膜进行加热而从上述非晶硅膜形成多晶硅膜的步骤。本发明能够形成大粒径的多晶硅膜。
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