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公开(公告)号：CN107230654B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201710183981.1
申请日：2017-03-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/66 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 提供一种控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质。本实施方式的控制装置对基板处理装置的动作进行控制，该基板处理装置用于在基板形成基于原子层沉积的膜，该控制装置具有：制程存储部，其用于存储与所述膜的种类相应的成膜条件；模型存储部，其用于存储表示所述成膜条件对所述膜的特性产生的影响的工艺模型；记录存储部，其用于存储成膜时的所述成膜条件的实际测量值；以及控制部，其基于根据所述制程存储部所存储的所述成膜条件形成的所述膜的特性的测定结果、所述模型存储部所存储的所述工艺模型、以及所述记录存储部所存储的所述成膜条件的实际测量值来计算满足设为目标的所述膜的特性的成膜条件。
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公开(公告)号：CN101355022B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200810144211.7
申请日：2008-07-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/314 , C23C16/54 , C23C16/52 , C23C16/22
CPC classification number: C23C16/452 , C23C16/26 , C23C16/345 , C23C16/402 , C23C16/45542 , H01L21/02115 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/3141 , H01L21/3146 , H01L21/31612
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法和装置。该成膜方法在垂直方向以一定间隔将多个被处理体收纳在成膜装置的处理容器内。接着，将处理容器内设定为第一减压状态，并向处理容器内供给包含碳化氢气体的第一成膜气体，通过CVD在被处理体上形成碳膜。接着，在将处理容器内从上述第一减压状态开始维持为减压状态的条件下，将上述处理容器内设定为第二减压状态，并向处理容器内供给包含有机类硅源气体的第二成膜气体，通过CVD在碳膜上形成Si类无机膜。
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公开(公告)号：CN109385626B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201810903937.8
申请日：2018-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/54 , C23C16/34 , C23C16/02 , C23C16/452
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够形成按照基板的表面形状保形的氮化硅膜的氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。一种氮化硅膜的成膜方法，其是在基板的表面上成膜氮化硅膜的氮化硅膜的成膜方法，其具有如下工序：使氯自由基吸附于基板的表面、形成供含有氯的气体保形地吸附于所述基板的表面那样的吸附阻碍区域的工序；使含有硅和氯的原料气体吸附于形成有所述吸附阻碍区域的所述基板的表面的工序；以及向吸附有所述原料气体的所述基板的表面供给被等离子体活性化后的氮化气体而使氮化硅膜堆积的工序。
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公开(公告)号：CN109385626A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810903937.8
申请日：2018-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/54 , C23C16/34 , C23C16/02 , C23C16/452
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够形成按照基板的表面形状保形的氮化硅膜的氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。一种氮化硅膜的成膜方法，其是在基板的表面上成膜氮化硅膜的氮化硅膜的成膜方法，其具有如下工序：使氯自由基吸附于基板的表面、形成供含有氯的气体保形地吸附于所述基板的表面那样的吸附阻碍区域的工序；使含有硅和氯的原料气体吸附于形成有所述吸附阻碍区域的所述基板的表面的工序；以及向吸附有所述原料气体的所述基板的表面供给被等离子体活性化后的氮化气体而使氮化硅膜堆积的工序。
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公开(公告)号：CN107230654A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710183981.1
申请日：2017-03-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/66 , C23C16/455 , C23C16/52
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/345 , C23C16/45525 , C23C16/45544 , C23C16/45553 , C23C16/52 , H01L21/0217 , H01L22/12 , H01L21/67253 , H01L22/20
Abstract: 提供一种控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质。本实施方式的控制装置对基板处理装置的动作进行控制，该基板处理装置用于在基板形成基于原子层沉积的膜，该控制装置具有：制程存储部，其用于存储与所述膜的种类相应的成膜条件；模型存储部，其用于存储表示所述成膜条件对所述膜的特性产生的影响的工艺模型；记录存储部，其用于存储成膜时的所述成膜条件的实际测量值；以及控制部，其基于根据所述制程存储部所存储的所述成膜条件形成的所述膜的特性的测定结果、所述模型存储部所存储的所述工艺模型、以及所述记录存储部所存储的所述成膜条件的实际测量值来计算满足设为目标的所述膜的特性的成膜条件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102534549B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110457396.9
申请日：2011-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/26 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/402
Abstract: 本发明提供一种即使在碳膜上形成氧化物膜也能够抑制碳膜的膜厚减少的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法。其具备在被处理体上形成碳膜的工序(步骤1)；在碳膜上形成被氧化体层的工序(步骤2)；和一边使被氧化体层氧化、一边在被氧化体层上形成氧化物膜的工序(步骤3)。
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公开(公告)号：CN102534549A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110457396.9
申请日：2011-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/26 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/402
Abstract: 本发明提供一种即使在碳膜上形成氧化物膜也能够抑制碳膜的膜厚减少的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法。其具备在被处理体上形成碳膜的工序(步骤1)；在碳膜上形成被氧化体层的工序(步骤2)；和一边使被氧化体层氧化、一边在被氧化体层上形成氧化物膜的工序(步骤3)。
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公开(公告)号：CN1663031A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN03814509.X
申请日：2003-06-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C16/40 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/28194 , C23C16/0272 , C23C16/405 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/02356 , H01L21/28202 , H01L21/31604 , H01L21/31612 , H01L28/56 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其包括：在硅基板上形成含有Si和氧的绝缘膜的工序；利用使用了有机金属原料的化学气相堆积法、在上述绝缘膜上堆积金属氧化物膜的工序，其中：进行上述堆积金属氧化膜的工序，使得上述金属氧化膜在堆积后不久的状态下成为结晶质。
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公开(公告)号：CN110718461A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910625440.9
申请日：2019-07-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: [课题]本公开提供能进行膜质的控制的成膜方法。[解决方案]具备如下工序：妨碍吸附区域的工序，使规定量的妨碍吸附自由基吸附在形成于基板上的吸附位点上，离散地形成妨碍吸附区域；使原料气体吸附的工序，使原料气体吸附在前述吸附位点上的未形成前述妨碍吸附区域的区域；和，使反应产物沉积的工序，使吸附于前述吸附位点上的前述原料气体与由等离子体活化了的反应气体反应，使反应产物沉积。
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公开(公告)号：CN102339731B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201110199995.5
申请日：2011-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成装置。该清洗方法在供给成膜用气体而在被处理体上形成非晶形碳膜之后，除去被附着在装置内部的附着物，包括：加热工序，将上述反应室内和连接于该反应室的排气管内的至少一者加热到规定的温度；除去工序，通过向在上述加热工序中加热后的反应室内和排气管内的至少一者供给含有氧气和氢气的清洁气体而将清洁气体加热到规定的温度，从而使清洁气体所含有的氧气和氢气活化，利用该活化后的氧气和氢气除去被附着在装置内部的附着物。
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