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公开(公告)号：CN111383964B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201911376141.2
申请日：2019-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 石井胜利
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够抑制设置有多孔质部的气体导入管被蚀刻气体蚀刻的气体导入构造、处理装置以及处理方法。本公开的一形态的气体导入构造具有：气体导入管，其插入到处理容器内；和喷出部，其覆盖所述气体导入管的靠所述处理容器侧的端部，将供给到所述气体导入管的气体向所述处理容器内喷出，所述喷出部包括：多孔质部，其由多孔质体形成；和致密部，其设置于比所述多孔质部靠顶端侧的位置，气孔率比所述多孔质部的气孔率小。
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公开(公告)号：CN1294630C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN02805735.X
申请日：2002-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67103 , C23C8/16 , C30B33/02 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , Y10S438/909
Abstract: 半导体处理用的热处理装置的供给系统具有燃烧器(12)、加热器(13)和气体分配部(14)。燃烧器(12)具有配置在处理室(21)外面的燃烧室(59)。燃烧器(12)使氢气和氧气在燃烧室(59)内反应，生成水蒸气，供给处理室(21)。加热器(13)具有配置在处理室(21)外面的加热室(61)。加热器(13)有选择地将不通过燃烧室(59)的气体，在加热室(61)内加热至活性化温度以上，供给处理室(21)。气体分配部(14)有选择地将氢气和氧气供给燃烧室(59)，同时，有选择地将反应性气体和不活性气体供给加热室(61)。
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公开(公告)号：CN101042992A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710089464.4
申请日：2007-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/318 , C23C16/44
Abstract: 本发明涉及半导体处理用的立式等离子体处理装置，其包括一体地附设在处理容器上并由具有绝缘性内面的壳体形成的气密的附属室。附属室横跨与多个被处理基板对应的上下方向的长度而具有等离子体发生区域。在处理区域与等离子体发生区域之间配设具有绝缘性表面的分隔板。分隔板具有横跨与多个被处理基板对应的上下方向的长度而形成的气体流路。处理气体在通过等离子体发生区域时被激发，通过气体流路而被供给处理区域。
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公开(公告)号：CN1454029A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03136779.8
申请日：2003-03-25
Applicant: 东芝陶瓷株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H05B3/44 , H01L21/324
CPC classification number: H05B3/145 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种碳电线发热体密封加热器。其中，将采用碳纤维的碳电线发热体封入石英玻璃管中，其中，所述碳电线发热体的吸附水分量小于2×10－3g/cm3。
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公开(公告)号：CN111383964A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911376141.2
申请日：2019-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 石井胜利
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够抑制设置有多孔质部的气体导入管被蚀刻气体蚀刻的气体导入构造、处理装置以及处理方法。本公开的一形态的气体导入构造具有：气体导入管，其插入到处理容器内；和喷出部，其覆盖所述气体导入管的靠所述处理容器侧的端部，将供给到所述气体导入管的气体向所述处理容器内喷出，所述喷出部包括：多孔质部，其由多孔质体形成；和致密部，其设置于比所述多孔质部靠顶端侧的位置，气孔率比所述多孔质部的气孔率小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109468613A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811000943.9
申请日：2018-08-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明涉及成膜装置以及成膜方法，提供抑制对晶片的损伤，并以低温形成高品质的氮化硅膜的技术。当对在处理容器(1)内载置的晶片W供给Si2H6气体和NH3气体来形成SiN膜时，针对NH3气体，进行在与Si2H6气体反应前照射紫外线的远程紫外线照射，并供给至处理容器1内。因此，能够利用活化的NH3气体和Si2H6气体在较低的加热温度下在晶片W形成高品质的氮化硅膜。而且，由于设为对向处理容器1内导入前的NH3气体照射紫外线的远程紫外线处理，所以能够不对晶片W照射紫外线并抑制晶片W的损伤。
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公开(公告)号：CN101372739B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200810168649.9
申请日：2008-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/20 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4405 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 本发明提供一种从批式热处理装置的石英制构件中除去金属杂质的方法，其包括：在没有收纳作为产品的被处理基板的处理容器内收纳用于使金属杂质附着的多个伪基板的工序；接着，通过向处理容器内供给含有氯的气体和水蒸气，并将处理容器的石英制内表面加热至处理温度，对所述石英制部分实施烘焙处理，使金属杂质从石英制内表面释放并附着在所述伪基板上的工序；和接着，将附着有金属杂质的伪基板从反应容器中搬出的工序。
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公开(公告)号：CN101372739A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810168649.9
申请日：2008-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/20 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4405 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 本发明提供一种从批式热处理装置的石英制构件中除去金属杂质的方法，其包括：在没有收纳作为产品的被处理基板的处理容器内收纳用于使金属杂质附着的多个伪基板的工序；接着，通过向处理容器内供给含有氯的气体和水蒸气，并将处理容器的石英制内表面加热至处理温度，对所述石英制部分实施烘焙处理，使金属杂质从石英制内表面释放并附着在所述伪基板上的工序；和接着，将附着有金属杂质的伪基板从反应容器中搬出的工序。
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公开(公告)号：CN101042992B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200710089464.4
申请日：2007-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/318 , C23C16/44
Abstract: 本发明涉及半导体处理用的立式等离子体处理装置，其包括一体地附设在处理容器上并由具有绝缘性内面的壳体形成的气密的附属室。附属室横跨与多个被处理基板对应的上下方向的长度而具有等离子体发生区域。在处理区域与等离子体发生区域之间配设具有绝缘性表面的分隔板。分隔板具有横跨与多个被处理基板对应的上下方向的长度而形成的气体流路。处理气体在通过等离子体发生区域时被激发，通过气体流路而被供给处理区域。
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公开(公告)号：CN101800162A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010106498.1
申请日：2010-01-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/316 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/45578 , C23C16/46 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种立式热处理装置用的构成构件、立式热处理装置及保温筒。用于通过堆积方式形成由金属氧化物构成的高电介质膜的立式热处理装置包括：反应容器，构成为以使多个被处理基板上下设有间隔地层叠的状态收纳该多个被处理基板；支承构件，用于在反应容器内支承被处理基板；加热器，用于对反应容器内的被处理基板进行加热；排气系统，用于对反应容器内进行排气；以及气体供给系统，用于对反应容器内供给金属源气体和氧化气体，气体供给系统包括配设在反应容器内的气体喷嘴，气体喷嘴由以钛为主要成分的金属构成。
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