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公开(公告)号：CN108149221B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201711277807.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44
Abstract: 本发明提供一种能够缩短清洁时间并进行均匀性高的清洁的清洁方法。一个实施方式的清洁方法包括以下工序：第一清洁工序，在处理室内在使上表面能够载置基板的旋转台在第一清洁位置旋转的状态下，从所述旋转台的基板载置面的上方供给清洁气体；以及第二清洁工序，在使所述旋转台在比所述第一清洁位置靠下方的第二清洁位置旋转的状态下，从所述旋转台的基板载置面的上方供给所述清洁气体。
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公开(公告)号：CN108149221A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711277807.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C14/505 , C23C16/401 , C23C16/45548 , C23C16/458 , C23C16/4584 , C23C22/34
Abstract: 本发明提供一种能够缩短清洁时间并进行均匀性高的清洁的清洁方法。一个实施方式的清洁方法包括以下工序：第一清洁工序，在处理室内在使上表面能够载置基板的旋转台在第一清洁位置旋转的状态下，从所述旋转台的基板载置面的上方供给清洁气体；以及第二清洁工序，在使所述旋转台在比所述第一清洁位置靠下方的第二清洁位置旋转的状态下，从所述旋转台的基板载置面的上方供给所述清洁气体。
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公开(公告)号：CN102787304B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210155103.6
申请日：2012-05-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/50 , C23C16/455 , H01L21/31
Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置。成膜方法包括以下步骤：将基板输入到真空容器内，将基板载置在能旋转地设在真空容器内的旋转台上；使旋转台旋转；吸附步骤，自第1反应气体供给部向基板供给第1反应气体，使第1反应气体吸附于基板；形成步骤，自第2反应气体供给部向基板供给与第1反应气体反应的第2反应气体，使第2反应气体与吸附于基板的第1反应气体反应，在基板上形成反应生成物；向等离子体产生部供给含氢气体，在旋转台的上方生成等离子体，该等离子体产生部在旋转台的周向上与第1反应气体供给部及第2反应气体供给部分开地设置。
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公开(公告)号：CN104451599B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201410466613.4
申请日：2014-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/02271 , C23C16/402 , C23C16/45551 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供一种氧化硅膜的制造方法。在该方法中，将在表面具有金属膜的基板设置在反应容器内，在设置了所述基板之后，利用氢气供给部件开始向所述反应容器内供给氢气。在供给氢气之后，利用氧化气体供给部件开始向所述反应容器内供给氧化气体，并且利用含硅气体供给部件开始向所述反应容器内供给含硅气体。
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公开(公告)号：CN103184430B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210580129.5
申请日：2012-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/45536 , C23C14/00 , C23C16/045 , C23C16/402 , C23C16/45519 , C23C16/45529 , C23C16/45551 , H01L21/02164 , H01L21/0228 , H01L21/30 , H01L21/76224
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，该成膜方法用于在形成有凹部的基板上形成膜，该膜由容易吸附于羟基的第1反应气体和能同该第1反应气体发生反应的第2反应气体这两者的反应生成物构成，该成膜方法包括：控制步骤，对羟基在上述基板的上述凹部的深度方向上的吸附分布进行控制；第1反应气体供给步骤，向吸附有上述羟基的上述基板上供给上述第1反应气体；第2反应气体供给步骤，向吸附有上述第1反应气体的上述基板上供给上述第2反应气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104451599A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410466613.4
申请日：2014-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/02271 , C23C16/402 , C23C16/45551 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供一种氧化硅膜的制造方法。在该方法中，将在表面具有金属膜的基板设置在反应容器内，在设置了所述基板之后，利用氢气供给部件开始向所述反应容器内供给氢气。在供给氢气之后，利用氧化气体供给部件开始向所述反应容器内供给氧化气体，并且利用含硅气体供给部件开始向所述反应容器内供给含硅气体。
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公开(公告)号：CN103184430A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201210580129.5
申请日：2012-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/45536 , C23C14/00 , C23C16/045 , C23C16/402 , C23C16/45519 , C23C16/45529 , C23C16/45551 , H01L21/02164 , H01L21/0228 , H01L21/30 , H01L21/76224
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，该成膜方法用于在形成有凹部的基板上形成膜，该膜由容易吸附于羟基的第1反应气体和能同该第1反应气体发生反应的第2反应气体这两者的反应生成物构成，该成膜方法包括：控制步骤，对羟基在上述基板的上述凹部的深度方向上的吸附分布进行控制；第1反应气体供给步骤，向吸附有上述羟基的上述基板上供给上述第1反应气体；第2反应气体供给步骤，向吸附有上述第1反应气体的上述基板上供给上述第2反应气体。
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公开(公告)号：CN119343755A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202380045201.0
申请日：2023-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供一种基板处理方法和基板处理系统，将金属氧化物抗蚀剂膜作为掩模蚀刻基底膜时，改善基底膜上形成的图案的线边缘粗糙度。一种基板处理方法，包括：在具有基底膜的基板上形成金属氧化物抗蚀剂膜的工序，在所述金属氧化物抗蚀剂膜上形成图案的工序，将形成有所述图案的所述金属氧化物抗蚀剂膜改性的工序，将改性的所述金属氧化物抗蚀剂膜作为掩模，蚀刻所述基底膜的工序。
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公开(公告)号：CN102110572A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010621809.8
申请日：2010-12-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/68764 , C23C16/45519 , C23C16/4554 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/45591 , C23C16/4584 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/32733 , H01J37/32752 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供利用等离子体对基板进行处理的等离子处理装置，其特征在于，包括：真空容器，在其内部利用上述等离子体对上述基板进行处理；旋转台，设于上述真空容器内，形成用于载置基板的至少1个基板载置区域；旋转机构，使该旋转台旋转；气体供给部，向上述基板载置区域供给等离子体产生用的气体；主等离子体产生部，在与上述基板载置区域的通过区域相对的位置的、上述旋转台的中央部侧和外周侧之间呈棒状延伸地设置，用于向上述气体供给能量而使其等离子化；辅助等离子体产生部，在上述真空容器的周向上相对于该主等离子体产生部分开地设置，用于补偿由该主等离子体产生部产生的等离子体的不足的部分；真空排气部件，将上述真空容器内排成真空。
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公开(公告)号：CN102054663A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010534982.4
申请日：2010-11-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/67253 , C23C16/45502 , C23C16/45551 , C23C16/45557 , C23C16/45587 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , Y10T137/8376
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，通过分别调整多个排气通路的排气流量，控制真空容器内的处理气体的气流，使朝向基板的气流保持恒定。能够分别从设有第1阀(65a)的第1排气通路(63a)和设有第2阀(65b)的第2排气通路(63b)对真空容器(1)内的气氛进行真空排气，调整第1阀(65a)的开度，使得真空容器(1)内的压力成为处理压力(P)，并且为了将第1排气通路(63a)的排气流量和第2排气通路(63b)的排气流量成为与制程程序相对应的设定值，将蝶阀(67)的开度(V)设定为记载于表(86)中的值，接着，调整第2阀(65b)的开度使得压差计(68)的测量值成为记载于表(86)中的压差(ΔP)。
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