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公开(公告)号：CN102162089B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201110039021.0
申请日：2011-02-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/52
CPC classification number: C23C16/402 , C23C16/4408 , C23C16/4554
Abstract: 本发明提供一种成膜方法、成膜装置和成膜装置的使用方法，该成膜方法交替重复多次成膜处理和氧化吹扫处理，该成膜处理在处理容器内使用Si源气体和氧化剂在被处理体的表面形成SiO2膜，该氧化吹扫处理在将上述被处理体自上述处理容器搬出的状态下，不穿插用于除去堆积于上述处理容器内的膜的处理就一边对上述处理容器内进行排气一边对上述堆积的膜实施氧化。
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公开(公告)号：CN101256957B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200810095113.9
申请日：2008-02-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/3105
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的热处理方法，在处理容器的处理区域内以隔开间隔层叠的状态收纳多个被处理基板。被处理基板在表面具有处理对象层。接着，对上述处理区域供给氧化性气体和还原性气体，同时将处理区域进行加热，由此使氧化性气体和上述还原性气体反应而产生氧活性种和羟基活性种，使用上述氧活性种和上述羟基活性种对被处理基板上的上述处理对象层进行氧化。接着，在由臭氧或者氧化性活性种构成的退火气体的氛围中将氧化后的处理对象层进行加热，由此对处理对象层进行退火。
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公开(公告)号：CN101192531A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710196360.3
申请日：2007-11-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/312 , H01L21/3105 , H01L21/762 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/316 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L21/02337 , H01L21/31058 , H01L21/3125 , H01L21/76826 , H01L21/76828
Abstract: 本发明涉及一种处理聚硅氮烷膜的方法，在将收纳表面配设有聚硅氮烷的涂布膜的被处理基板的反应容器的处理区域设定在包含氧、并且具有6.7kPa的第一压力的第一气氛的状态下，进行使上述处理区域从预热温度变化至规定温度的升温。接着，在将上述处理区域设定为包含氧化气体，并且具有比上述第一压力高的第二压力的第二气氛的状态下，进行用于在上述规定温度以上的第一处理温度烧制所述涂布膜、得到含有硅和氧的绝缘膜的第一热处理。
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公开(公告)号：CN101562133B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910130094.3
申请日：2009-04-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/3185 , H01L21/02145 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/28282 , H01L21/31612 , H01L29/792
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，其在能够被有选择地供给硅源气体和金属源气体的处理容器的处理区域内，进行在被处理衬底上形成掺杂有金属的含硅绝缘膜的成膜处理。成膜处理包括：阻断所述金属源气体的供给、并且使所述硅源气体发生化学反应来形成第一绝缘薄层的工序；接着，阻断所述硅源气体的供给、并且使所述金属源气体发生化学反应来形成第一金属薄层的工序；接着，阻断所述金属源气体的供给、并且使所述硅源气体发生化学反应来形成第二绝缘薄层的工序。
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公开(公告)号：CN101092277B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200710112615.3
申请日：2007-06-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67306 , Y10S438/905 , Y10S438/935
Abstract: 本发明提供一种石英制品的烘焙方法。作为半导体制造装置的热处理装置的部件、即石英制品在加工时被铜污染，当运转热处理装置时，抑制对半导体基板产生的铜污染。在半导体基板的热处理中尚未使用石英制品的阶段，将石英制品置于加热气氛中，并且向该石英制品供给烘焙用气体，该烘焙用气体包含氯化氢气体和用于提高该气体的反应性的气体、例如氧气。由此，从石英制品的表面直至30μm深度的铜浓度成为20ppb以下，优选成为3ppb以下。烘焙处理在将石英制品装配为热处理装置前或装配后进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101256957A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810095113.9
申请日：2008-02-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/3105
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的热处理方法，在处理容器的处理区域内以隔开间隔层叠的状态收纳多个被处理基板。被处理基板在表面具有处理对象层。接着，对上述处理区域供给氧化性气体和还原性气体，同时将处理区域进行加热，由此使氧化性气体和上述还原性气体反应而产生氧活性种和羟基活性种，使用上述氧活性种和上述羟基活性种对被处理基板上的上述处理对象层进行氧化。接着，在由臭氧或者氧化性活性种构成的退火气体的氛围中将氧化后的处理对象层进行加热，由此对处理对象层进行退火。
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公开(公告)号：CN1790629A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510134334.9
申请日：2005-12-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/314 , C23C16/30 , C23C16/44 , G05B19/04
CPC classification number: H01L21/0214 , H01L21/02332 , H01L21/3144
Abstract: 本发明提供一种在反应室内、在被处理基板上形成氧氮化硅膜的半导体处理用的成膜方法，其包含：在不装载被处理基板的状态下，对反应室内的部件实施预处理的工序；接着，在反应室内，在被处理基板上形成氧氮化硅膜的工序。预处理将含有氮化气体或氧氮化气体的预处理气体供给到反应室内，同时，将反应室内设定为第一温度和第一压力。
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公开(公告)号：CN101372739B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200810168649.9
申请日：2008-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/20 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4405 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 本发明提供一种从批式热处理装置的石英制构件中除去金属杂质的方法，其包括：在没有收纳作为产品的被处理基板的处理容器内收纳用于使金属杂质附着的多个伪基板的工序；接着，通过向处理容器内供给含有氯的气体和水蒸气，并将处理容器的石英制内表面加热至处理温度，对所述石英制部分实施烘焙处理，使金属杂质从石英制内表面释放并附着在所述伪基板上的工序；和接着，将附着有金属杂质的伪基板从反应容器中搬出的工序。
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公开(公告)号：CN101192531B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200710196360.3
申请日：2007-11-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/312 , H01L21/3105 , H01L21/762 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/316 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L21/02337 , H01L21/31058 , H01L21/3125 , H01L21/76826 , H01L21/76828
Abstract: 本发明涉及一种处理聚硅氮烷膜的方法，在将收纳表面配设有聚硅氮烷的涂布膜的被处理基板的反应容器的处理区域设定在包含氧、并且具有6.7kPa的第一压力的第一气氛的状态下，进行使上述处理区域从预热温度变化至规定温度的升温。接着，在将上述处理区域设定为包含氧化气体，并且具有比上述第一压力高的第二压力的第二气氛的状态下，进行用于在上述规定温度以上的第一处理温度烧制所述涂布膜、得到含有硅和氧的绝缘膜的第一热处理。
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公开(公告)号：CN101562133A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910130094.3
申请日：2009-04-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/3185 , H01L21/02145 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/28282 , H01L21/31612 , H01L29/792
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，其在能够被有选择地供给硅源气体和金属源气体的处理容器的处理区域内，进行在被处理衬底上形成掺杂有金属的含硅绝缘膜的成膜处理。成膜处理包括：阻断所述金属源气体的供给、并且使所述硅源气体发生化学反应来形成第一绝缘薄层的工序；接着，阻断所述硅源气体的供给、并且使所述金属源气体发生化学反应来形成第一金属薄层的工序；接着，阻断所述金属源气体的供给、并且使所述硅源气体发生化学反应来形成第二绝缘薄层的工序。
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