公开(公告)号：CN119343755A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202380045201.0

申请日：2023-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井下田真信 ,  高桥丰 ,  田村辰也 ,  铃木祐介 ,  镰田丰弘 ,  小山贤一 ,  都筑伶子 ,  永原诚司 ,  村松诚 ,  村松谕 ,  志村悟

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供一种基板处理方法和基板处理系统，将金属氧化物抗蚀剂膜作为掩模蚀刻基底膜时，改善基底膜上形成的图案的线边缘粗糙度。一种基板处理方法，包括：在具有基底膜的基板上形成金属氧化物抗蚀剂膜的工序，在所述金属氧化物抗蚀剂膜上形成图案的工序，将形成有所述图案的所述金属氧化物抗蚀剂膜改性的工序，将改性的所述金属氧化物抗蚀剂膜作为掩模，蚀刻所述基底膜的工序。

公开(公告)号：CN114616650A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202080072884.5

申请日：2020-10-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小山贤一 ,  山内祥平 ,  土桥和也 ,  清水昭贵

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的课题在于，交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的处理中，适当地缩短处理工序。本发明为一种基板处理方法，其为交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的处理方法，所述基板处理方法使用经等离子体化的包含氟和氧的处理气体，将前述硅锗层的露出面的表层选择性地改性，形成氧化膜。

公开(公告)号：CN102473635A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201180002946.6

申请日：2011-02-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小山贤一 ,  矢部和雄 ,  八重樫英民

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/32139 ,  H01L21/0337 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括：在基板上形成薄膜的工序；在所述薄膜上形成光阻掩模的抗蚀剂掩模形成工序，其中所述光阻掩模形成有椭圆孔图案；通过在所述椭圆孔图案的侧壁形成绝缘膜来缩小所述椭圆孔图案的孔径的缩小工序；以及将形成缩小了所述孔径的椭圆孔图案的所述光阻层和所述绝缘膜作为掩模对所述薄膜进行蚀刻的工序。