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公开(公告)号：CN104517874B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201410513762.1
申请日：2014-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: B01D19/0063 , B01D19/0036
Abstract: 本发明提供一种气泡除去方法、气泡除去装置和脱气装置，该气泡除去方法能够通过从过滤器除去微小气泡来改善过滤器的性能，气泡除去方法包括：对来自供给源的处理液进行脱气，制作高脱气液的步骤(高脱气液制作)；将制作的高脱气液以第一处理液流量从泵装置(P1)供给至过滤器装置(F1)的步骤(虚拟流通液体)；将高脱气液以比第一处理液流量大的第二处理液流量从泵装置(P1)供给至过滤器装置(F1)的步骤(初始流通液体)；和保持使高脱气液从泵装置(P1)向过滤器装置(F1)流动规定时间的状态的步骤(流通液体)。
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公开(公告)号：CN102479736A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110396126.1
申请日：2011-11-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67178 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/6719 , H01L21/67259 , H01L21/681 , H01L21/68707
Abstract: 本发明提供基板处理系统及基板处理方法。其抑制涂敷膜的向输送臂的附着并且适当地处理基板。涂敷显影处理系统(1)包括：用于调节晶圆(W)的中心位置的位置调节装置(42)；用于在晶圆上涂敷聚酰亚胺溶液的涂敷处理装置；用于输送晶圆的晶圆输送装置(80)。晶圆输送装置包括：以比晶圆的半径大的曲率半径沿着晶圆的周缘部弯曲的臂部；自臂部向内侧突出并用于保持晶圆的背面的保持部。位置调节装置包括：保持晶圆的背面的中心部的吸盘；对被保持于吸盘的晶圆的中心位置进行检测的位置检测部；使吸盘移动的移动机构；控制部，其根据位置检测部所检测到的检测结果控制移动机构，以使被保持于吸盘的晶圆的中心位置与臂部的中心位置对齐。
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公开(公告)号：CN109482381A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811057063.5
申请日：2018-09-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开涉及供给异物更少的处理液的处理液供给装置以及基板处理系统。抗蚀液供给装置(200)经由配设了用于去除抗蚀液中的异物的过滤器(206)以及用于送出抗蚀液的泵(207)的供给路径(202)，向涂布喷嘴(142)供给抗蚀液。在作为隔管泵的泵(207)以及过滤器(206)的上游侧配有设开闭阀(205)，在泵(207)以及过滤器(206)的下游侧配设有回吸阀(208)。控制部(U)进行使来自泵(207)的抗蚀液的送出停止的控制，以及进行在通过回吸阀(208)的动作使来自涂布喷嘴(142)的抗蚀液的喷出中断之后、将开闭阀(205)关闭以使所述喷出完全停止的控制。
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公开(公告)号：CN104517874A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410513762.1
申请日：2014-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: B01D19/0063 , B01D19/0036
Abstract: 本发明提供一种气泡除去方法、气泡除去装置和脱气装置，该气泡除去方法能够通过从过滤器除去微小气泡来改善过滤器的性能，气泡除去方法包括：对来自供给源的处理液进行脱气，制作高脱气液的步骤(高脱气液制作)；将制作的高脱气液以第一处理液流量从泵装置(P1)供给至过滤器装置(F1)的步骤(虚拟流通液体)；将高脱气液以比第一处理液流量大的第二处理液流量从泵装置(P1)供给至过滤器装置(F1)的步骤(初始流通液体)；和保持使高脱气液从泵装置(P1)向过滤器装置(F1)流动规定时间的状态的步骤(流通液体)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110313060B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201880012674.X
申请日：2018-01-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/027
Abstract: 一种基板处理系统，其具备热处理装置等作为处理基板的处理装置，在该处理装置设置有用于输送晶圆的输送区域，在该基板处理系统中，具备声波辐射装置，该声波辐射装置辐射声波，防止输送区域内的浮游微粒向基板附着。声波辐射装置设置于例如输送区域的与热处理装置的晶圆的输入输出口相邻的区域、基板输送区域的与相对于盒载置部而言的基板输入输出口相邻的区域。另外，声波反射装置也可以安装于基板输送装置。
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公开(公告)号：CN102479736B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201110396126.1
申请日：2011-11-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67178 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/6719 , H01L21/67259 , H01L21/681 , H01L21/68707
Abstract: 本发明提供基板处理系统及基板处理方法。其抑制涂敷膜的向输送臂的附着并且适当地处理基板。涂敷显影处理系统(1)包括：用于调节晶圆(W)的中心位置的位置调节装置(42)；用于在晶圆上涂敷聚酰亚胺溶液的涂敷处理装置；用于输送晶圆的晶圆输送装置(80)。晶圆输送装置包括：以比晶圆的半径大的曲率半径沿着晶圆的周缘部弯曲的臂部；自臂部向内侧突出并用于保持晶圆的背面的保持部。位置调节装置包括：保持晶圆的背面的中心部的吸盘；对被保持于吸盘的晶圆的中心位置进行检测的位置检测部；使吸盘移动的移动机构；控制部，其根据位置检测部所检测到的检测结果控制移动机构，以使被保持于吸盘的晶圆的中心位置与臂部的中心位置对齐。
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公开(公告)号：CN104707763A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410770760.0
申请日：2014-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: B05B9/03 , B05B12/081 , B05B15/55 , H01L21/6715
Abstract: 本发明提供一种液体供给装置。在对被处理体给处理液时，够在抑制装置的复杂化的同时迅速地排出该处理液。使贮存有抗蚀剂液的贮存室(23)与排出该抗蚀剂液的喷嘴(21)一体形成为盒(12)，并将盒(12)从待机部(13)搬送到晶片(W)的正上方的位置，从该盒(12)直接排出抗蚀剂液。在排出抗蚀剂液的喷嘴(21)之外，还另行设置有对盒(12)补充抗蚀剂液的补充口(28)。另外，在放置盒(12)的待机部(13)设置有对盒(12)补充抗蚀剂液的结构。
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公开(公告)号：CN109482381B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201811057063.5
申请日：2018-09-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开涉及供给异物更少的处理液的处理液供给装置以及基板处理系统。抗蚀液供给装置(200)经由配设了用于去除抗蚀液中的异物的过滤器(206)以及用于送出抗蚀液的泵(207)的供给路径(202)，向涂布喷嘴(142)供给抗蚀液。在作为隔管泵的泵(207)以及过滤器(206)的上游侧配有设开闭阀(205)，在泵(207)以及过滤器(206)的下游侧配设有回吸阀(208)。控制部(U)进行使来自泵(207)的抗蚀液的送出停止的控制，以及进行在通过回吸阀(208)的动作使来自涂布喷嘴(142)的抗蚀液的喷出中断之后、将开闭阀(205)关闭以使所述喷出完全停止的控制。
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公开(公告)号：CN110313060A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201880012674.X
申请日：2018-01-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/027
Abstract: 一种基板处理系统，其具备热处理装置等作为处理基板的处理装置，在该处理装置设置有用于输送晶圆的输送区域，在该基板处理系统中，具备声波辐射装置，该声波辐射装置辐射声波，防止输送区域内的浮游微粒向基板附着。声波辐射装置设置于例如输送区域的与热处理装置的晶圆的输入输出口相邻的区域、基板输送区域的与相对于盒载置部而言的基板输入输出口相邻的区域。另外，声波反射装置也可以安装于基板输送装置。
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