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公开(公告)号：CN102169826B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201110036950.6
申请日：2011-02-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/0035 , H01L21/67178 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，在通过双重图案形成微细的抗蚀图案时，能够降低基板之间以及基板面内的第一次和第二次抗蚀图案的线宽的偏差。该基板处理方法具有第一处理工序和第二处理工序，在该第一处理工序中，通过对形成有第一抗蚀剂膜的基板进行曝光、加热处理、显影处理来形成第一抗蚀图案，在该第二处理工序中，在形成有第一抗蚀图案的基板上形成第二抗蚀剂膜，通过对形成有第二抗蚀剂膜的基板进行曝光、加热处理、显影处理来形成第二抗蚀图案。根据形成于一个基板上的第二抗蚀图案的线宽的测量值来校正第一处理工序的第一处理条件，根据形成于一个基板上的第一抗蚀图案的线宽的测量值来校正第二处理工序的第二处理条件。
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公开(公告)号：CN110313060A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201880012674.X
申请日：2018-01-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/027
Abstract: 一种基板处理系统，其具备热处理装置等作为处理基板的处理装置，在该处理装置设置有用于输送晶圆的输送区域，在该基板处理系统中，具备声波辐射装置，该声波辐射装置辐射声波，防止输送区域内的浮游微粒向基板附着。声波辐射装置设置于例如输送区域的与热处理装置的晶圆的输入输出口相邻的区域、基板输送区域的与相对于盒载置部而言的基板输入输出口相邻的区域。另外，声波反射装置也可以安装于基板输送装置。
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公开(公告)号：CN113296367A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110177111.X
申请日：2021-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供信息处理装置、信息处理方法以及计算机可读记录介质，能够在基板上高精度地形成膜等构造物。信息处理装置的一例具备：预测部，其构成为基于膜厚模型和事前数据来计算基板处理装置对基板进行处理时的预测膜厚，所述膜厚模型表示基板处理装置的状态与通过基板处理装置形成于基板的表面的涂布膜的膜厚的关系，所述事前数据表示通过基板处理装置对基板进行处理前的基板处理装置的状态；以及输出部，在通过基板处理装置对基板进行处理之前，所述输出部基于预测膜厚来输出与基板的处理有关的指示信息。
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公开(公告)号：CN102169826A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110036950.6
申请日：2011-02-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/0035 , H01L21/67178 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，在通过双重图案形成微细的抗蚀图案时，能够降低基板之间以及基板面内的第一次和第二次抗蚀图案的线宽的偏差。该基板处理方法具有第一处理工序和第二处理工序，在该第一处理工序中，通过对形成有第一抗蚀剂膜的基板进行曝光、加热处理、显影处理来形成第一抗蚀图案，在该第二处理工序中，在形成有第一抗蚀图案的基板上形成第二抗蚀剂膜，通过对形成有第二抗蚀剂膜的基板进行曝光、加热处理、显影处理来形成第二抗蚀图案。根据形成于一个基板上的第二抗蚀图案的线宽的测量值来校正第一处理工序的第一处理条件，根据形成于一个基板上的第一抗蚀图案的线宽的测量值来校正第二处理工序的第二处理条件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110313060B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201880012674.X
申请日：2018-01-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/027
Abstract: 一种基板处理系统，其具备热处理装置等作为处理基板的处理装置，在该处理装置设置有用于输送晶圆的输送区域，在该基板处理系统中，具备声波辐射装置，该声波辐射装置辐射声波，防止输送区域内的浮游微粒向基板附着。声波辐射装置设置于例如输送区域的与热处理装置的晶圆的输入输出口相邻的区域、基板输送区域的与相对于盒载置部而言的基板输入输出口相邻的区域。另外，声波反射装置也可以安装于基板输送装置。
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公开(公告)号：CN113808970A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110636866.1
申请日：2021-06-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够使形成在基片上的覆膜的去除宽度的调节变得快速的基片处理装置、基片处理的推断方法和存储介质。基片处理装置包括：周缘去除部，其去除形成在基片的表面上的覆膜的周缘部分；分布获取部，其获取表示基片的周向上的位置与基片中被去除了覆膜的部分的宽度的关系的去除宽度分布；和原因推断部，其基于去除宽度分布，输出表示宽度的误差的原因的原因信息。
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公开(公告)号：CN112068399B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202010484089.9
申请日：2020-06-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种基片检查系统、基片检查方法和存储介质，其中，基片检查系统包括：拍摄部，其设置于基片处理装置中，拍摄在表面形成有膜的颜色信息用基片的表面来获取图像数据；膜厚测量部，其设置于基片处理装置中，测量以与颜色信息用基片相同的条件在表面形成了膜的膜厚测量用基片的膜厚；和模型制作部(107)，其制作膜厚模型，膜厚模型表示了基于图像数据获得的关于因膜的形成而引起的颜色信息用基片的表面的颜色变化的信息、与由膜厚测量部测量出的膜厚测量用基片的膜厚的对应关系。根据本发明，能够更简单地制作用于计算对象基片上所形成的膜的膜厚的模型。
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公开(公告)号：CN113075867A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202011436803.3
申请日：2020-12-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/30
Abstract: 本发明提供基片处理方法和基片处理系统。本发明的基片处理方法包括：对构成基片上的层叠膜的各层生成与该层相关的处理后的基片的拍摄图像的步骤；和对包含基片上的层叠膜的最表层的多个层的每一者，获取表示基于上述拍摄图像推算出的特征量的信息的步骤。本发明能够适当地设定对具有层叠膜的基片的处理条件。
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公开(公告)号：CN112068399A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010484089.9
申请日：2020-06-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种基片检查系统、基片检查方法和存储介质，其中，基片检查系统包括：拍摄部，其设置于基片处理装置中，拍摄在表面形成有膜的颜色信息用基片的表面来获取图像数据；膜厚测量部，其设置于基片处理装置中，测量以与颜色信息用基片相同的条件在表面形成了膜的膜厚测量用基片的膜厚；和模型制作部(107)，其制作膜厚模型，膜厚模型表示了基于图像数据获得的关于因膜的形成而引起的颜色信息用基片的表面的颜色变化的信息、与由膜厚测量部测量出的膜厚测量用基片的膜厚的对应关系。根据本发明，能够更简单地制作用于计算对象基片上所形成的膜的膜厚的模型。
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