一种涂层形成装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1421281A

    公开(公告)日:2003-06-04

    申请号:CN02154348.8

    申请日:2002-11-26

    CPC classification number: H01L21/6715 B05B13/041 B05C5/0208 B05C11/1013

    Abstract: 一种基片由可沿Y方向自由移动的基片固定部分(23)水平固定,在基片上方设有对着基片的喷嘴部分(5),喷嘴部分(5)可沿对应于基片上涂层液体供给区域的X方向移动。排出口设在喷嘴部分(5)的下端,在排出口内设有将排出口(54)与连接到喷嘴部分上端的涂层液体输送管(61)相连的管道。在所述管道的中游设有直径大于排出口的液池部分,其内部设有由阻塞所述管道的多孔体构成的过滤件(71)。所述过滤件(71)形成压降部分,使涂层液体输送管中产生的脉动在到达排出口之前被吸收。

    基板搬送装置和基板搬送方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119495625A

    公开(公告)日:2025-02-21

    申请号:CN202411099049.7

    申请日:2024-08-12

    Inventor: 武井利亲

    Abstract: 本公开说明一种基板搬送装置和基板搬送方法。基板搬送装置具备搬送臂。搬送臂包括:基部;至少一个臂部,至少一个臂部以从基部延伸的方式连接于基部,并且以包围基板的外周的方式延伸;多个吸附部,多个吸附部设置于至少一个臂部,并且多个吸附部分别包括对基板的背面的周缘部进行吸附的吸引口;以及多个吸引通路,多个吸引通路设置于至少一个臂部。多个吸附部包括:第一吸附部组,其包括第一吸附部和第二吸附部;以及第二吸附部组,其包括第三吸附部和第四吸附部。多个吸引通路包括:第一吸引通路,其与第一吸附部及第二吸附部的吸引口连接;以及第二吸引通路,其与第三吸附部及第四吸附部的吸引口连接。

    一种涂层形成装置
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1275701C

    公开(公告)日:2006-09-20

    申请号:CN02154348.8

    申请日:2002-11-26

    CPC classification number: H01L21/6715 B05B13/041 B05C5/0208 B05C11/1013

    Abstract: 一种基片由可沿Y方向自由移动的基片固定部分(23)水平固定,在基片上方设有对着基片的喷嘴部分(5),喷嘴部分(5)可沿对应于基片上涂层液体供给区域的X方向移动。排出口设在喷嘴部分(5)的下端,在排出口内设有将排出口(54)与连接到喷嘴部分上端的涂层液体输送管(61)相连的管道。在所述管道的中游设有直径大于排出口的液池部分,其内部设有由阻塞所述管道的多孔体构成的过滤件(71)。所述过滤件(71)形成压降部分,使涂层液体输送管中产生的脉动在到达排出口之前被吸收。

    基板处理装置
    5.
    发明公开
    基板处理装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115985807A

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202211221700.4

    申请日:2022-10-08

    Abstract: 本公开涉及一种基板处理装置,能够提高热处理中的基板的吸附性,从而提高热处理的均匀性。热处理单元(U2)具备:热板(20),其用于载置晶圆(W),并且对所载置的晶圆(W)进行加热;多个间隙构件(22),所述多个间隙构件(22)沿着热板(20)的用于载置晶圆(W)的表面(20a)形成,用于支承晶圆(W)并在热板(20)与晶圆(W)之间确保空隙(V);吸引部(70),其将晶圆(W)以朝向热板(20)的方式进行吸引;以及升降销(51),其以贯通热板(20)的方式设置,所述升降销(51)通过进行升降来使载置于热板(20)的晶圆(W)升降,热板(20)的表面(20a)具有随着从外侧去向内侧而向下方倾斜的凹状区域(20d)。

Patent Agency Ranking