公开(公告)号：CN113169062B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN201980077095.8

申请日：2019-11-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田恭子 ,  土桥和也 ,  中岛常长 ,  关口贤治 ,  锦户修一 ,  中城将人 ,  安武孝洋

IPC: H01L21/304

Abstract: 一种基板清洗方法，包括：在处理容器的内部布置基板的工序；从布置在所述处理容器的内部的气体喷嘴的喷射口喷射气体的工序；使通过来自所述气体喷嘴的气体的喷射而产生的垂直冲击波与所述基板的主表面碰撞的工序；以及通过使所述垂直冲击波与所述基板的所述主表面碰撞，从而将附着在所述基板的所述主表面上的颗粒去除的工序。

公开(公告)号：CN110313060A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201880012674.X

申请日：2018-01-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 羽岛仁志 ,  松冈伸明 ,  中岛常长 ,  安武孝洋 ,  船越秀朗 ,  中村泰之

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/027

Abstract: 一种基板处理系统，其具备热处理装置等作为处理基板的处理装置，在该处理装置设置有用于输送晶圆的输送区域，在该基板处理系统中，具备声波辐射装置，该声波辐射装置辐射声波，防止输送区域内的浮游微粒向基板附着。声波辐射装置设置于例如输送区域的与热处理装置的晶圆的输入输出口相邻的区域、基板输送区域的与相对于盒载置部而言的基板输入输出口相邻的区域。另外，声波反射装置也可以安装于基板输送装置。

公开(公告)号：CN117836909A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202280057369.9

申请日：2022-08-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川渕洋介 ,  安武孝洋 ,  中岛常长

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明的基片处理装置包括：处理容器，其在内部包含能够被减压至比大气压低的压力的处理室；在上述处理室中保持基片的保持部；和喷嘴，其为了对由上述保持部保持的上述基片的第1主面照射气体团簇而喷射气体。上述处理容器具有：相对壁，其包括与上述基片的上述第1主面相对的第1相对面；板，其设置于上述相对壁的上述第1相对面的一部分；和贯通孔，其贯通上述相对壁和上述板。上述板具有与上述基片的上述第1主面相对的第2相对面。上述贯通孔是上述气体的通路，并在上述板的上述第2相对面具有出口。在上述相对壁与上述基片之间形成有第1间隙，在上述板与上述基片之间形成有第2间隙，上述第2间隙比上述第1间隙窄。

公开(公告)号：CN114787714A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202080082981.2

申请日：2020-12-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 饱本正巳 ,  饭田成昭 ,  中岛常长 ,  佐佐木庆介 ,  安武孝洋 ,  松下一也 ,  井手康盛 ,  大关雅人

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明提供一种直线运动机构，其包括：内部移动体，设置在内部可被排气的壳体内，进行直线移动并且使与从上述开口部向该壳体的外部伸出的连接部连接的壳体外部的外部移动体移动；密封带，其在上述直线方向上延伸，以封闭上述开口部的方式设置在壳体内，并且宽度方向上的两端部的一面侧的部位与该开口部的开口边缘部隔开间隔地相对；和变形抑制部，其为了抑制与所述内部移动体连接成随该内部移动体的移动而移动的上述密封带的变形，与该密封带的宽度方向上的两端部的另一面侧的部位相对地设置。

公开(公告)号：CN113169062A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980077095.8

申请日：2019-11-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田恭子 ,  土桥和也 ,  中岛常长 ,  关口贤治 ,  锦户修一 ,  中城将人 ,  安武孝洋

IPC: H01L21/304

Abstract: 一种基板清洗方法，包括：在处理容器的内部布置基板的工序；从布置在所述处理容器的内部的气体喷嘴的喷射口喷射气体的工序；使通过来自所述气体喷嘴的气体的喷射而产生的垂直冲击波与所述基板的主表面碰撞的工序；以及通过使所述垂直冲击波与所述基板的所述主表面碰撞，从而将附着在所述基板的所述主表面上的颗粒去除的工序。

公开(公告)号：CN110313060B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN201880012674.X

申请日：2018-01-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 羽岛仁志 ,  松冈伸明 ,  中岛常长 ,  安武孝洋 ,  船越秀朗 ,  中村泰之

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/027

Abstract: 一种基板处理系统，其具备热处理装置等作为处理基板的处理装置，在该处理装置设置有用于输送晶圆的输送区域，在该基板处理系统中，具备声波辐射装置，该声波辐射装置辐射声波，防止输送区域内的浮游微粒向基板附着。声波辐射装置设置于例如输送区域的与热处理装置的晶圆的输入输出口相邻的区域、基板输送区域的与相对于盒载置部而言的基板输入输出口相邻的区域。另外，声波反射装置也可以安装于基板输送装置。

公开(公告)号：CN115938979A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211062517.4

申请日：2022-09-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 片桐勇志 ,  安武孝洋

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供有利于抑制颗粒对基片的附着的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：处理腔室，其具有处理室和与处理室连接的排气室，能够在减压后的气氛的处理室收纳基片；气体供给部，其对处理室中的基片吹送具有比处理室的气氛高的压力的气体；以及温度调节部，其调节处理室和排气室中的至少任一者的气氛的温度，以使得处理室的气氛具有随着从基片的附近去往排气室而温度逐渐降低的温度分布。