-
公开(公告)号：CN105652610A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201510867084.3
申请日：2015-12-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/30
Abstract: 本发明提供能确保显影处理的面内均匀性并提高显影处理的生产率的显影处理方法和显影处理装置。在显影处理方法中，在晶圆的中心部形成经纯水稀释后的稀释显影液的积液(时间t1)，之后，将晶圆加速到第1转速而使所述稀释显影液的积液扩散到晶圆的整个面，在该晶圆的表面上形成所述稀释显影液的液膜(时间t2)。之后，在具有与晶圆平行的液体接触面的显影液供给喷嘴与该晶圆之间确保规定间隔的间隙的状态下，自所述显影液供给喷嘴向晶圆的中心部供给显影液而在晶圆与该显影液供给喷嘴的液体接触面之间形成显影液的积液(时间t3)。一边继续自显影液供给喷嘴供给显影液一边使晶圆旋转，并使所述显影液供给喷嘴自晶圆的中心部向晶圆的外周部移动。
-
公开(公告)号：CN107024839A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610851529.3
申请日：2016-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 久保田稔
IPC: G03F7/30
Abstract: 本发明提供提高显影处理后的面内的线宽度的均匀性的显影处理方法和显影处理装置。对晶片(W)上供给显影液，使将规定的图案曝光了的晶片(W)上的抗蚀剂膜(R)显影时，将纯水(P)供给到晶片(W)的中央部而形成纯水积液，接着一边使稀释用的显影液供给喷嘴(158)的下端面(158a)与上述纯水积液接触而从显影液供给喷嘴(158)对纯水积液供给显影液，一边使显影液供给喷嘴(158)在通过晶片(W)的中心的径向上移动而在晶片(W)上形成稀释显影液的积液。之后，使晶片(W)旋转而使稀释显影液的积液在基板整个面上扩散进行预湿，之后从外周部对中心部供给显影液进行显影处理。
-
公开(公告)号：CN105702604B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201510919166.8
申请日：2015-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供涂敷处理方法、计算机存储介质和涂敷处理装置。在基板上涂敷涂敷液时，能够将涂敷液的供给量抑制为少量，并且在基板面内均匀地涂敷涂敷液。在晶片上涂敷涂敷液的方法，向晶片上供给涂敷液的溶剂，在该晶片的外周部环状地形成溶剂的液膜，使晶片以第一转速旋转，同时向晶片的中心部供给涂敷液(时间t1～t2)，使晶片以比第一转速快的第二转速旋转，使涂敷液在基板上扩散(时间t4～t5)。直至涂敷液与溶剂的液膜接触前持续进行溶剂的供给(时间t0～t3)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107024839B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201610851529.3
申请日：2016-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 久保田稔
IPC: G03F7/30
Abstract: 本发明提供提高显影处理后的面内的线宽度的均匀性的显影处理方法和显影处理装置。对晶片(W)上供给显影液，使将规定的图案曝光了的晶片(W)上的抗蚀剂膜(R)显影时，将纯水(P)供给到晶片(W)的中央部而形成纯水积液，接着一边使稀释用的显影液供给喷嘴(158)的下端面(158a)与上述纯水积液接触而从显影液供给喷嘴(158)对纯水积液供给显影液，一边使显影液供给喷嘴(158)在通过晶片(W)的中心的径向上移动而在晶片(W)上形成稀释显影液的积液。之后，使晶片(W)旋转而使稀释显影液的积液在基板整个面上扩散进行预湿，之后从外周部对中心部供给显影液进行显影处理。
-
公开(公告)号：CN108355869A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810076767.0
申请日：2018-01-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: B05B13/0228 , B05B12/00 , B05B12/32 , B05B13/0278 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及基板处理装置、模拟分配方法和计算机可读取记录介质。抑制向喷嘴的排出口的液溅并实现处理单元小型化。液处理单元(U1)具有保持晶片(W)并使其旋转的旋转保持部(20)；构成为从喷嘴(N1)对晶片(W)的表面(Wa)供给处理液(L1)的处理液供给部(40)；包围由旋转保持部(20)保持的晶片W的周围并接收从处理液供给部(40)供给的处理液(L1)的杯体(30)；控制器(10)。杯体(30)具有防止从由旋转保持部(20)保持并旋转的晶片(W)甩出的液体飞散的外周壁(32)。控制器(10)执行从喷嘴(N1)将处理液(L1)模拟分配到外周壁(32)和旋转保持部(20)之间的内侧区域(R)的处理。
-
公开(公告)号：CN108355869B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201810076767.0
申请日：2018-01-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基板处理装置、模拟分配方法和计算机可读取记录介质。抑制向喷嘴的排出口的液溅并实现处理单元小型化。液处理单元(U1)具有保持晶片(W)并使其旋转的旋转保持部(20)；构成为从喷嘴(N1)对晶片(W)的表面(Wa)供给处理液(L1)的处理液供给部(40)；包围由旋转保持部(20)保持的晶片W的周围并接收从处理液供给部(40)供给的处理液(L1)的杯体(30)；控制器(10)。杯体(30)具有防止从由旋转保持部(20)保持并旋转的晶片(W)甩出的液体飞散的外周壁(32)。控制器(10)执行从喷嘴(N1)将处理液(L1)模拟分配到外周壁(32)和旋转保持部(20)之间的内侧区域(R)的处理。
-
公开(公告)号：CN105702604A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510919166.8
申请日：2015-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供涂敷处理方法、计算机存储介质和涂敷处理装置。在基板上涂敷涂敷液时，能够将涂敷液的供给量抑制为少量，并且在基板面内均匀地涂敷涂敷液。在晶片上涂敷涂敷液的方法，向晶片上供给涂敷液的溶剂，在该晶片的外周部环状地形成溶剂的液膜，使晶片以第一转速旋转，同时向晶片的中心部供给涂敷液(时间t1～t2)，使晶片以比第一转速快的第二转速旋转，使涂敷液在基板上扩散(时间t4～t5)。直至涂敷液与溶剂的液膜接触前持续进行溶剂的供给(时间t0～t3)。
-
公开(公告)号：CN104707763A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410770760.0
申请日：2014-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: B05B9/03 , B05B12/081 , B05B15/55 , H01L21/6715
Abstract: 本发明提供一种液体供给装置。在对被处理体给处理液时，够在抑制装置的复杂化的同时迅速地排出该处理液。使贮存有抗蚀剂液的贮存室(23)与排出该抗蚀剂液的喷嘴(21)一体形成为盒(12)，并将盒(12)从待机部(13)搬送到晶片(W)的正上方的位置，从该盒(12)直接排出抗蚀剂液。在排出抗蚀剂液的喷嘴(21)之外，还另行设置有对盒(12)补充抗蚀剂液的补充口(28)。另外，在放置盒(12)的待机部(13)设置有对盒(12)补充抗蚀剂液的结构。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.021 seconds)
