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公开(公告)号：CN119028852A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410606383.0
申请日：2024-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/603 , H01L21/67
Abstract: 本公开涉及一种接合方法和接合系统，能够简易地估计将基板彼此接合而成的重合基板的接合强度。用于将基板彼此接合的接合方法包括以下工序：在使第一基板的中心部与第二基板的中心部抵接的状态下将所述第一基板与所述第二基板从所述中心部朝向外周部依次接合来形成重合基板；测定从所述中心部朝向外周部的接合中的接合速度；以及基于测定出的所述接合速度，根据接合速度与接合强度之间的关系来估计进行接合所得到的所述重合基板的接合强度。
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公开(公告)号：CN117276127A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311230939.2
申请日：2017-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供基板处理装置。本发明提供一种使附着于使用超临界流体进行处理后的基板的表面的微粒水平降低的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。在将处理容器(301)内的压力从比处理流体的临界压力低的压力(例如常压)升压到比临界压力高的处理压力的升压工序的至少一部分期间，一边使处理流体以被控制后的排出流量从处理容器排出，一边从流体供给源向处理容器供给处理流体，由此进行升压。附着于处理容器内的构件表面的微粒由于从流体供给源向处理容器供给处理流体而上扬。该微粒与处理流体一起从处理容器被排出。
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公开(公告)号：CN110491770A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910402577.8
申请日：2019-05-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及基板处理装置，能够抑制在基板的表面残留微粒。在基于本发明的基板处理方法中，在基板的表面形成保护液的液膜，使用超临界流体使基板干燥，并从基板的表面去除保护液。在使基板干燥之后，去除残留于基板的表面的微粒。
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公开(公告)号：CN116762153A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202280010161.1
申请日：2022-01-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 表面改性装置是通过处理气体的等离子体对基板的要与其它基板接合的接合面进行改性的表面改性装置。表面改性装置具备处理容器、测定部以及控制各部的控制部。处理容器以能够收容基板的方式构成。测定部测定表示处理容器内的水分量的值。控制部基于由测定部测定出的表示处理容器内的水分量的值，来判定在假定为将在处理容器内改性后的基板与其它基板进行了接合的情况下基板与其它基板之间的接合强度是否良好。
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公开(公告)号：CN108155116B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201711248022.X
申请日：2017-12-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供一种基板处理装置的清洗方法和基板处理装置的清洗系统。在使用超临界流体来使晶圆干燥的情况下，抑制大量微粒附着于晶圆。实施方式所涉及的基板处理装置的清洗方法是使由于液体而表面湿润的状态的基板与超临界流体接触来进行使基板干燥的干燥处理的基板处理装置的清洗方法，包括清洗用气体填充工序和排气工序。在清洗用气体填充工序中，将含有异丙醇的清洗用气体填充于基板处理装置的内部。在排气工序中，在清洗用气体填充工序之后，将清洗用气体从基板处理装置的内部排出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108074844A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711142504.7
申请日：2017-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02101 , H01L21/02057 , H01L21/67034 , H01L21/67051 , H01L21/6719
Abstract: 本发明提供一种使附着于使用超临界流体进行处理后的基板的表面的微粒水平降低的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。在将处理容器(301)内的压力从比处理流体的临界压力低的压力(例如常压)升压到比临界压力高的处理压力的升压工序的至少一部分期间，一边使处理流体以被控制后的排出流量从处理容器排出，一边从流体供给源向处理容器供给处理流体，由此进行升压。附着于处理容器内的构件表面的微粒由于从流体供给源向处理容器供给处理流体而上扬。该微粒与处理流体一起从处理容器被排出。
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公开(公告)号：CN109390254B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201810902225.4
申请日：2018-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供能够提高形成在基片的表面上的处理液的液膜的厚度的精度的基片处理方法。在本发明的基片处理方法中，首先，作为液膜形成步骤，使基片(W)以第一转速旋转并且向基片(W)的表面供给处理液，形成覆盖基片(W)的表面的处理液的液膜。在液膜形成步骤之后，作为供给停止步骤，使基片(W)的转速成为第一转速以下的转速，并且停止向基片(W)供给处理液。在供给停止步骤之后，作为液量调整步骤，使基片(W)的转速成为比第一转速大的转速，减少形成液膜的处理液的液量。
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公开(公告)号：CN116724378A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202280010522.2
申请日：2022-01-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本公开的表面改性方法用于通过处理气体的等离子体将基板的与其它基板接合的接合面进行改性，所述表面改性方法包括调整工序和改性工序。在调整工序中，通过向能够收容基板的处理容器内供给加湿后的气体，来调整处理容器内的水分量。在改性工序中，在调整了处理容器内的水分量的状态下，在处理容器内生成处理气体的等离子体，由此将基板的接合面进行改性。
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公开(公告)号：CN108074840A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711067648.0
申请日：2017-11-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67034 , B08B3/08 , H01L21/67017 , H01L21/67051 , H01L21/67173 , H01L21/6719 , H01L21/67248 , H01L21/02101 , H01L21/6704
Abstract: 本发明提供一种使用超临界状态的处理流体来对基板进行处理的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，在该基板处理装置中，使过滤器的过滤性能充分发挥，降低处理后的基板的微粒水平。基板处理装置具备：处理容器(301)；以及供给线(50)，其将送出超临界状态的处理流体的流体供给源(51)和处理容器相连接。在供给线上设置有第一开闭阀(52a)，在该供给线的下游侧设置有第一节流部(55a)，在处理容器内的压力为处理流体的临界压力以下的期间，该第一节流部(55a)使在供给线中流动的超临界状态的处理流体变化为气体状态，在该供给线的更下游侧设置有第一过滤器(57)。
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公开(公告)号：CN108074840B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201711067648.0
申请日：2017-11-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种使用超临界状态的处理流体来对基板进行处理的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，在该基板处理装置中，使过滤器的过滤性能充分发挥，降低处理后的基板的微粒水平。基板处理装置具备：处理容器(301)；以及供给线(50)，其将送出超临界状态的处理流体的流体供给源(51)和处理容器相连接。在供给线上设置有第一开闭阀(52a)，在该供给线的下游侧设置有第一节流部(55a)，在处理容器内的压力为处理流体的临界压力以下的期间，该第一节流部(55a)使在供给线中流动的超临界状态的处理流体变化为气体状态，在该供给线的更下游侧设置有第一过滤器(57)。
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