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公开(公告)号：CN102751173A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210067142.0
申请日：2012-03-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67126 , H01L21/6719
Abstract: 本发明提供一种处理装置。该处理装置抑制在利用高压流体对被处理基板进行处理的处理容器中产生颗粒，确保处理容器内的气密性。以围绕处理腔室(2)的输送口(31)的方式设置密封构件(62)，利用盖体(7)封堵输送口(31)，利用锁板(15)限制盖体(7)因处理腔室(2)内的压力而后退，同时在处理腔室(2)内利用高压流体对晶圆(W)进行干燥处理。在干燥处理的期间，由于上述密封构件(62)被处理腔室(2)的内部气氛加压而被向盖体(7)侧按压，因此，能够将上述盖体(7)与处理腔室(2)之间的间隙气密地封堵。另外，由于密封构件(62)不会相对于处理腔室(2)、盖体(7)滑动，因此，能够抑制产生颗粒。
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公开(公告)号：CN107275259B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201710201871.3
申请日：2017-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。防止处理液向干燥处理后的基板转移。在本发明中，具有：使用处理液来对基板进行液处理的液处理部；对由所述液处理部进行了液处理之后的湿润状态的所述基板进行干燥处理的干燥处理部；将处理前的所述基板向所述液处理部输送的第1输送部；从所述液处理部向所述干燥处理部输送湿润状态的所述基板的第2输送部；输送由所述液处理部进行液处理之前的所述基板、并且从所述干燥处理部输送干燥处理后的所述基板的第3输送部，在面对所述第3输送部的一侧配置有所述第1输送部、所述第2输送部以及所述干燥处理部，在面对所述第1输送部和所述第2输送部并与所述第3输送部相反的一侧配置有所述液处理部。
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公开(公告)号：CN108074843A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711136158.1
申请日：2017-11-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/08 , B08B7/0021 , H01L21/02057 , H01L21/02101 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/67748 , H01L21/67034 , H01L21/67017
Abstract: 本发明提供一种能够容易地进行处理容器的维护作业的基板处理装置。基板处理装置(3)具备：容器主体(311)，其收容基板(W)，并且，使用高压的处理流体对基板(W)进行处理；输送口(312)，其用于相对于容器主体(311)内输入和输出基板(W)。在容器主体(311)的、与输送口(312)不同的位置设有开口(321)。开口(321)被第2盖构件(322)封堵。
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公开(公告)号：CN111211069B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN201911157723.1
申请日：2019-11-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法。谋求超临界干燥处理的効率化。本公开的基板处理装置为一种使用超临界状态的处理流体进行使基板干燥的干燥处理的基板处理装置，该基板处理装置具备处理容器和多个保持部。处理容器为进行干燥处理的容器。多个保持部在处理容器的内部分别保持不同的基板。
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公开(公告)号：CN110957239B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN201910899672.3
申请日：2019-09-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种基片处理系统和处理流体供给方法。本发明的一方式的基片处理系统中的处理流体供给装置包括：循环通路；气体供给通路；设置在循环通路中，对气体状态的处理流体进行冷却以生成液体状态的处理流体的冷却部；设置在循环通路中的冷却部的下游侧的泵；与循环通路中的泵的下游侧连接，使液体状态的处理流体从分支部分支的分支通路；设置在分支部的下游侧，对液体状态的处理流体进行加热以生成超临界状态的处理流体的加热部；设置在循环通路中的加热部的下游侧且气体供给通路的上游侧，对超临界状态的处理流体进行减压以生成气体状态的处理流体的调压部。由此，能够在将液体状态的处理流体由泵送出时降低由上述泵产生的脉动的影响。
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公开(公告)号：CN118231291A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410236957.X
申请日：2017-11-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够容易地进行处理容器的维护作业的基板处理装置。基板处理装置(3)具备：容器主体(311)，其收容基板(W)，并且，使用高压的处理流体对基板(W)进行处理；输送口(312)，其用于相对于容器主体(311)内输入和输出基板(W)。在容器主体(311)的、与输送口(312)不同的位置设有开口(321)。开口(321)被第2盖构件(322)封堵。
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公开(公告)号：CN112038258A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010470221.0
申请日：2020-05-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供能够提高使用了超临界状态的处理流体的干燥处理后的晶圆的清洁度的基板处理装置及其控制方法。基板处理装置具有：处理容器，具有能够收纳被液体湿润了表面的状态的基板的处理空间；处理流体供给部，向处理空间中朝向液体供给超临界状态的处理流体；第1排气管线，与第1排气源连接，利用第1排气压使处理空间排气；第2排气管线，与有别于第1排气源的第2排气源连接，在第1排气源和处理空间之间与第1排气管线连接，利用第2排气压经由第1排气管线使处理空间排气；以及控制部，控制第2排气压。超临界状态的处理流体与液体接触而干燥基板。控制部在处理流体供给部停止向处理空间供给处理流体的期间使第2排气压高于第1排气压。
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公开(公告)号：CN107275259A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710201871.3
申请日：2017-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/024 , B08B3/08 , B08B3/10 , H01L21/67161 , H01L21/67745 , H01L21/67023 , H01L21/67034
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。防止处理液向干燥处理后的基板转移。在本发明中，具有：使用处理液来对基板进行液处理的液处理部；对由所述液处理部进行了液处理之后的湿润状态的所述基板进行干燥处理的干燥处理部；将处理前的所述基板向所述液处理部输送的第1输送部；从所述液处理部向所述干燥处理部输送湿润状态的所述基板的第2输送部；输送由所述液处理部进行液处理之前的所述基板、并且从所述干燥处理部输送干燥处理后的所述基板的第3输送部，在面对所述第3输送部的一侧配置有所述第1输送部、所述第2输送部以及所述干燥处理部，在面对所述第1输送部和所述第2输送部并与所述第3输送部相反的一侧配置有所述液处理部。
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公开(公告)号：CN119133012A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411217626.8
申请日：2019-09-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基片处理系统和处理流体供给方法。本发明的一方式的基片处理系统中的处理流体供给装置包括：循环通路；气体供给通路；设置在循环通路中，对气体状态的处理流体进行冷却以生成液体状态的处理流体的冷却部；设置在循环通路中的冷却部的下游侧的泵；与循环通路中的泵的下游侧连接，使液体状态的处理流体从分支部分支的分支通路；设置在分支部的下游侧，对液体状态的处理流体进行加热以生成超临界状态的处理流体的加热部；设置在循环通路中的加热部的下游侧且气体供给通路的上游侧，对超临界状态的处理流体进行减压以生成气体状态的处理流体的调压部。由此，能够在将液体状态的处理流体由泵送出时降低由上述泵产生的脉动的影响。
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