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公开(公告)号：CN101154569B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN200710140294.8
申请日：2003-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3105 , G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：将被处理体配置在处理容器内，该被处理体具有蚀刻对象部、覆盖该蚀刻对象部的防止反射层、和覆盖该防止反射层、形成有开口图案的ArF光刻胶或F2光刻胶构成的光刻胶层；向所述处理容器中导入处理气体；等离子体化所述处理气体；和使该等离子体作用于所述被处理体，使所述光刻胶层的耐等离子体性提高的同时，通过所述开口图案，蚀刻所述防止反射层。
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公开(公告)号：CN100440449C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN03815028.X
申请日：2003-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/312
Abstract: 一种等离子体处理方法，具有如下工序：准备表面具有有机层的被处理体；和向所述被处理体照射H2的等离子体，使所述有机层的耐等离子体性提高。
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公开(公告)号：CN102770942A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201180010024.X
申请日：2011-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/0206 , H01L21/31133 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供一种基板清洗装置，能够避开微观粗糙度、水印、基板材料损失、器件结构的破坏这些湿式清洗具有的技术课题，并且与极低温喷雾照射方法相比较，能够从基板除去更加多种多样的污染物。在清洗附着有被清洗物的晶片W的基板清洗装置中，包括：将清洗剂分子集合多个而成的团簇喷射到晶片W的团簇喷射装置；吸引通过喷射上述清洗剂分子的团簇而被除去的被清洗物的吸引装置；和使晶片W以及上述团簇喷射装置沿着附着有被清洗物的晶片W的面相对移动的装置。
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公开(公告)号：CN116724378A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202280010522.2
申请日：2022-01-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本公开的表面改性方法用于通过处理气体的等离子体将基板的与其它基板接合的接合面进行改性，所述表面改性方法包括调整工序和改性工序。在调整工序中，通过向能够收容基板的处理容器内供给加湿后的气体，来调整处理容器内的水分量。在改性工序中，在调整了处理容器内的水分量的状态下，在处理容器内生成处理气体的等离子体，由此将基板的接合面进行改性。
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公开(公告)号：CN100541720C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710140293.3
申请日：2003-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3105 , G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：将被处理体配置在处理容器内，该被处理体具有蚀刻对象层和有机掩模层，该有机掩模层覆盖所述蚀刻对象层，形成有开口图案，该处理容器包括带有包含Si的物质的露出部的构成部件；向所述处理容器内导入从H2、N2和He构成的群中选择的至少一种处理气体；和等离子体化所述处理气体，等离子体处理所述有机掩模层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102770942B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201180010024.X
申请日：2011-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/0206 , H01L21/31133 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供一种基板清洗装置，能够避开微观粗糙度、水印、基板材料损失、器件结构的破坏这些湿式清洗具有的技术课题，并且与极低温喷雾照射方法相比较，能够从基板除去更加多种多样的污染物。在清洗附着有被清洗物的晶片W的基板清洗装置中，包括：将清洗剂分子集合多个而成的团簇喷射到晶片W的团簇喷射装置；吸引通过喷射上述清洗剂分子的团簇而被除去的被清洗物的吸引装置；和使晶片W以及上述团簇喷射装置沿着附着有被清洗物的晶片W的面相对移动的装置。
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公开(公告)号：CN102906858A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180013426.5
申请日：2011-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/42
CPC classification number: G03F7/422 , H01L21/31133 , H01L21/6708
Abstract: 提供一种抗蚀剂除去装置，其不氧化抗蚀剂以外的基板材料，与使用溶剂的现有的抗蚀剂除去方法相比能够更有效地除去抗蚀剂。从形成有抗蚀剂的晶片（W）除去抗蚀剂的抗蚀剂除去装置中，具有对晶片（W）喷射多个有机类溶剂分子集合而成的簇的簇喷射单元（3）。
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公开(公告)号：CN101154569A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710140294.8
申请日：2003-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3105 , G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：将被处理体配置在处理容器内，该被处理体具有蚀刻对象部、覆盖该蚀刻对象部的防止反射层、和覆盖该防止反射层、形成有开口图案的ArF光刻胶或F2光刻胶构成的光刻胶层；向所述处理容器中导入处理气体；等离子体化所述处理气体；和使该等离子体作用于所述被处理体，使所述光刻胶层的耐等离子体性提高的同时，通过所述开口图案，蚀刻所述防止反射层。
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公开(公告)号：CN101093796A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710140293.3
申请日：2003-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3105 , G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：将被处理体配置在处理容器内，该被处理体具有蚀刻对象层和有机掩模层，该有机掩模层覆盖所述蚀刻对象层，形成有开口图案，该处理容器包括带有包含Si的物质的露出部的构成部件；向所述处理容器内导入从H2、N2和He构成的群中选择的至少一种处理气体；和等离子体化所述处理气体，等离子体处理所述有机掩模层。
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公开(公告)号：CN1663030A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN03815028.X
申请日：2003-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/312
Abstract: 一种等离子体处理方法，具有如下工序：准备表面具有有机层的被处理体；和向所述被处理体照射H2的等离子体，使所述有机层的耐等离子体性提高。
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