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公开(公告)号：CN114556537B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202080070229.6
申请日：2020-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开的接合系统(1)具备接合装置(41)、检查装置(80)以及控制部(70)。接合装置通过将第一基板(W1)与第二基板(W2)接合来形成重合基板(T)。检查装置进行重合基板的检查。控制部控制检查装置。另外，控制部具备测定控制部(71a)、比较部(71c)以及再测定控制部(71e)。测定控制部使检查装置以第一测定点数量进行重合基板的测定。比较部将包括根据测定的结果导出的重合基板中的第一基板与第二基板之间的偏移量的检查结果(72a)与参考(72b)进行比较。再测定控制部基于比较部的比较结果，使检查装置以比第一测定点数量多的第二测定点数量进行重合基板的再测定。
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公开(公告)号：CN113543920B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202080019362.9
申请日：2020-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/677 , B23K20/00
Abstract: 一种接合系统，具备：表面改性装置，其在减压气氛下对第一基板的包括金属层的接合面和第二基板的包括金属层的接合面一边加热一边改性；以及接合装置，其将所述改性后的所述第一基板的所述接合面和所述改性后的所述第二基板的所述接合面相对来进行接合，所述接合系统还具备：大气搬送装置，其在充满常压的大气的大气搬送区域中搬送所述第一基板和所述第二基板；加载互锁装置，其在用于在所述大气搬送区域与表面改性装置之间搬送所述第一基板和所述第二基板的搬送路径的中途形成切换气压的加载互锁室；以及冷却装置，其在将所述改性后的所述第一基板和所述改性后的所述第二基板中的至少一个基板从所述加载互锁室搬出至所述大气搬送区域之前冷却所述至少一个基板。
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公开(公告)号：CN115910895A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210954916.5
申请日：2022-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及剥离方法、剥离装置以及剥离系统。提供一种能够使剥离处理高效化的技术。本公开的一技术方案的剥离方法包含保持的工序和剥离的工序。保持的工序对将第1基板与第2基板接合而成的重合基板进行保持。剥离的工序以重合基板的侧面为起点自重合基板剥离第1基板。另外，剥离的工序包含使含有水的流体与侧面接触的工序。
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公开(公告)号：CN107611060B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201710566289.7
申请日：2017-07-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够谋求基板的处理时间的缩短的接合系统。实施方式的一形态的接合系统具备基板输送装置、表面改性装置、加载互锁室、表面亲水化装置以及接合装置。基板输送装置在常压气氛下输送第1基板以及第2基板。表面改性装置在减压气氛下对第1基板以及第2基板的要接合的表面进行改性。加载互锁室在室内中进行基板输送装置与表面改性装置之间的第1基板以及第2基板的交接，并且能够将室内的气氛在大气气氛与减压气氛之间切换。表面亲水化装置对改性后的第1基板以及第2基板的表面进行亲水化。接合装置利用分子间力对亲水化后的第1基板和第2基板进行接合。
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公开(公告)号：CN114258482A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202080059026.7
申请日：2020-08-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开的检查装置(80)的自我诊断方法包括进行配置的工序、进行照射的工序、接受光的工序以及判定光量的异常的工序。进行配置的工序通过使保持重合基板(T)的外周部并设置有具有使光衰减的衰减构件(720)的诊断部(700)的保持部(400)移动，来将衰减构件配置于向重合基板照射光的照明部(610、620)与拍摄重合基板的摄像部(51、520)之间。进行照射的工序在进行配置的工序之后，从照明部以设定光量照射光。接受光的工序在进行照射的工序之后，使用摄像部接受从照明部照射出并透过了衰减构件的光。判定光量的异常的工序在接受光的工序之后，基于由摄像部接受到的光的受光量来判定从照明部照射出的光的光量的异常。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111989763A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201980026272.X
申请日：2019-04-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开的一个方式的测定方法包括测定位移(A1)的工序、将摄像部(20)配置于能够拍摄测定标记(M1)的位置的工序以及拍摄测定标记(M1)的工序。在测定位移(A1)的工序中，测定将两张基板接合而成的重合基板的、配置有用于测定位置偏离的测定标记(M1)的部位处的靠摄像部(20)侧表面的位移(A1)，所述测定标记(M1)设置于所述重合基板的内部。在拍摄测定标记(M1)的工序中，利用摄像部(20)，以一边将预先基于位移(A1)设定的焦点位置作为基准使焦点位置前后移动一边进行对焦的方式来拍摄测定标记(M1)。
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公开(公告)号：CN110416142A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910554608.1
申请日：2015-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供接合装置、接合系统以及接合方法。接合装置(41)包括：上吸盘(140)，其用于对上晶圆(WU)进行真空吸引而将该上晶圆(WU)吸附保持于下表面；以及下吸盘(141)，其设于上吸盘(140)的下方，用于对下晶圆(WL)进行真空吸引而将该下晶圆(WL)吸附保持于上表面。下吸盘(141)具有用于对下晶圆(WL)进行真空吸引的主体部(190)和设于主体部(190)上且与下晶圆(WL)的背面相接触的多个销(191)。设于主体部(190)的中心部的销(191a)的顶端位置高于设于主体部(190)的外周部的销(191b)的顶端位置。
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公开(公告)号：CN107611060A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710566289.7
申请日：2017-07-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L24/83 , H01L24/75 , H01L2224/7525 , H01L2224/75743 , H01L2224/75753 , H01L2224/83031 , H01L2224/83122 , H01L2224/83896
Abstract: 本发明提供一种能够谋求基板的处理时间的缩短的接合系统。实施方式的一形态的接合系统具备基板输送装置、表面改性装置、加载互锁室、表面亲水化装置以及接合装置。基板输送装置在常压气氛下输送第1基板以及第2基板。表面改性装置在减压气氛下对第1基板以及第2基板的要接合的表面进行改性。加载互锁室在室内中进行基板输送装置与表面改性装置之间的第1基板以及第2基板的交接，并且能够将室内的气氛在大气气氛与减压气氛之间切换。表面亲水化装置对改性后的第1基板以及第2基板的表面进行亲水化。接合装置利用分子间力对亲水化后的第1基板和第2基板进行接合。
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公开(公告)号：CN105374725A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510484914.4
申请日：2015-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供接合装置、接合系统以及接合方法。接合装置(41)包括：上吸盘(140)，其用于对上晶圆(WU)进行真空吸引而将该上晶圆(WU)吸附保持于下表面；以及下吸盘(141)，其设于上吸盘(140)的下方，用于对下晶圆(WL)进行真空吸引而将该下晶圆(WL)吸附保持于上表面。下吸盘(141)具有用于对下晶圆(WL)进行真空吸引的主体部(190)和设于主体部(190)上且与下晶圆(WL)的背面相接触的多个销(191)。设于主体部(190)的中心部的销(191a)的顶端位置高于设于主体部(190)的外周部的销(191b)的顶端位置。
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公开(公告)号：CN119340263A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202410926782.5
申请日：2024-07-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本公开涉及一种接合方法和接合系统，能够抑制接合强度的下降。接合方法包括：准备具有第一面的第一半导体基板和具有第二面的第二半导体基板；使第一半导体基板的第一面和第二半导体基板的第二面亲水化；在进行亲水化之后，将第一半导体基板的第一面与第二半导体基板的第二面进行接合；以及在进行接合之后，通过对第一半导体基板和第二半导体基板进行热处理来提高第一半导体基板与第二半导体基板之间的接合强度，其中，提高接合强度包括：在第一温度范围内对第一半导体基板和第二半导体基板进行热处理；以及在第一温度范围内进行热处理之后，以目标温度对第一半导体基板和第二半导体基板进行热处理，其中，第一温度范围是比目标温度低的温度范围。
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