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公开(公告)号：CN117276127A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311230939.2
申请日：2017-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供基板处理装置。本发明提供一种使附着于使用超临界流体进行处理后的基板的表面的微粒水平降低的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。在将处理容器(301)内的压力从比处理流体的临界压力低的压力(例如常压)升压到比临界压力高的处理压力的升压工序的至少一部分期间，一边使处理流体以被控制后的排出流量从处理容器排出，一边从流体供给源向处理容器供给处理流体，由此进行升压。附着于处理容器内的构件表面的微粒由于从流体供给源向处理容器供给处理流体而上扬。该微粒与处理流体一起从处理容器被排出。
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公开(公告)号：CN110462792B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201880019119.X
申请日：2018-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 实施方式的基片处理装置(1)包括干燥处理部(17)、排出通路(L2)、获取部(75)和检测部(19C)。干燥处理部(17)使表面被液体润湿了的状态的基片与超临界流体接触，将液体置换为超临界流体来进行基片的干燥处理。排出通路(L2)设置在干燥处理部(17)，用于从干燥处理部(17)排出流体。获取部(75)设置在排出通路(L2)，获取从干燥处理部(17)排出的流体的光学信息。检测部(19C)基于由获取部(75)获取的光学信息来检测干燥处理部(17)内有无液体。
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公开(公告)号：CN108140547A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680057166.4
申请日：2016-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 伊恩·J·布朗 , 华莱士·P·普林茨 , 安东尼奥·路易斯·帕切科·罗通达罗 , 五师源太郎 , 江头佳祐
CPC classification number: H01L21/02057 , C11D7/04 , C11D11/0047 , F26B21/14 , H01L21/324 , H01L21/67028
Abstract: 用于在基底处理系统中清洗和干燥半导体基底的方法和设备，所述基底具有在所述基底上的第一清洗液体，例如水。所述方法包括将液体二氧化碳分配在基底上以置换存在于基底上的任何液体并干燥基底。所述设备包括用于清洗和干燥基底的室。
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公开(公告)号：CN108074840A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711067648.0
申请日：2017-11-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67034 , B08B3/08 , H01L21/67017 , H01L21/67051 , H01L21/67173 , H01L21/6719 , H01L21/67248 , H01L21/02101 , H01L21/6704
Abstract: 本发明提供一种使用超临界状态的处理流体来对基板进行处理的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，在该基板处理装置中，使过滤器的过滤性能充分发挥，降低处理后的基板的微粒水平。基板处理装置具备：处理容器(301)；以及供给线(50)，其将送出超临界状态的处理流体的流体供给源(51)和处理容器相连接。在供给线上设置有第一开闭阀(52a)，在该供给线的下游侧设置有第一节流部(55a)，在处理容器内的压力为处理流体的临界压力以下的期间，该第一节流部(55a)使在供给线中流动的超临界状态的处理流体变化为气体状态，在该供给线的更下游侧设置有第一过滤器(57)。
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公开(公告)号：CN108155116B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201711248022.X
申请日：2017-12-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供一种基板处理装置的清洗方法和基板处理装置的清洗系统。在使用超临界流体来使晶圆干燥的情况下，抑制大量微粒附着于晶圆。实施方式所涉及的基板处理装置的清洗方法是使由于液体而表面湿润的状态的基板与超临界流体接触来进行使基板干燥的干燥处理的基板处理装置的清洗方法，包括清洗用气体填充工序和排气工序。在清洗用气体填充工序中，将含有异丙醇的清洗用气体填充于基板处理装置的内部。在排气工序中，在清洗用气体填充工序之后，将清洗用气体从基板处理装置的内部排出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110462792A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880019119.X
申请日：2018-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 实施方式的基片处理装置(1)包括干燥处理部(17)、排出通路(L2)、获取部(75)和检测部(19C)。干燥处理部(17)使表面被液体润湿了的状态的基片与超临界流体接触，将液体置换为超临界流体来进行基片的干燥处理。排出通路(L2)设置在干燥处理部(17)，用于从干燥处理部(17)排出流体。获取部(75)设置在排出通路(L2)，获取从干燥处理部(17)排出的流体的光学信息。检测部(19C)基于由获取部(75)获取的光学信息来检测干燥处理部(17)内有无液体。
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公开(公告)号：CN105023863B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201510217206.4
申请日：2015-04-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供能够降低因喷嘴内的水解劣化而导致的甲硅烷基化液的废弃量的基板液处理装置和基板液处理方法。通过向喷嘴(43)内的甲硅烷基化液流路(431)供给阻隔流体，从而利用在比位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液靠近喷出口(434)的一侧存在的阻隔流体将位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液与喷出口的外部的气氛阻隔开。
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公开(公告)号：CN108074844A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711142504.7
申请日：2017-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02101 , H01L21/02057 , H01L21/67034 , H01L21/67051 , H01L21/6719
Abstract: 本发明提供一种使附着于使用超临界流体进行处理后的基板的表面的微粒水平降低的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。在将处理容器(301)内的压力从比处理流体的临界压力低的压力(例如常压)升压到比临界压力高的处理压力的升压工序的至少一部分期间，一边使处理流体以被控制后的排出流量从处理容器排出，一边从流体供给源向处理容器供给处理流体，由此进行升压。附着于处理容器内的构件表面的微粒由于从流体供给源向处理容器供给处理流体而上扬。该微粒与处理流体一起从处理容器被排出。
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公开(公告)号：CN108074840B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201711067648.0
申请日：2017-11-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种使用超临界状态的处理流体来对基板进行处理的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，在该基板处理装置中，使过滤器的过滤性能充分发挥，降低处理后的基板的微粒水平。基板处理装置具备：处理容器(301)；以及供给线(50)，其将送出超临界状态的处理流体的流体供给源(51)和处理容器相连接。在供给线上设置有第一开闭阀(52a)，在该供给线的下游侧设置有第一节流部(55a)，在处理容器内的压力为处理流体的临界压力以下的期间，该第一节流部(55a)使在供给线中流动的超临界状态的处理流体变化为气体状态，在该供给线的更下游侧设置有第一过滤器(57)。
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公开(公告)号：CN108074844B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201711142504.7
申请日：2017-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种使附着于使用超临界流体进行处理后的基板的表面的微粒水平降低的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。在将处理容器(301)内的压力从比处理流体的临界压力低的压力(例如常压)升压到比临界压力高的处理压力的升压工序的至少一部分期间，一边使处理流体以被控制后的排出流量从处理容器排出，一边从流体供给源向处理容器供给处理流体，由此进行升压。附着于处理容器内的构件表面的微粒由于从流体供给源向处理容器供给处理流体而上扬。该微粒与处理流体一起从处理容器被排出。
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