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公开(公告)号：CN118231286A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311669163.4
申请日：2023-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 五师源太郎
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供在进行具有微小图案的基片的干燥的情况下，有利于抑制微小图案的毁坏的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：干燥装置，其进行使用超临界处理流体使基片干燥的干燥处理，其中，基片具有形成有微小图案的处理面；和表面改性装置，其进行使基片的处理面疏水化的表面改性处理，表面改性装置在干燥处理后进行表面改性处理。
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公开(公告)号：CN110491770B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201910402577.8
申请日：2019-05-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及基板处理装置，能够抑制在基板的表面残留微粒。在基于本发明的基板处理方法中，在基板的表面形成保护液的液膜，使用超临界流体使基板干燥，并从基板的表面去除保护液。在使基板干燥之后，去除残留于基板的表面的微粒。
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公开(公告)号：CN117716476A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202280052438.7
申请日：2022-07-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 五师源太郎
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种基板处理方法，是使基板与超临界状态的处理流体接触来对该基板进行处理的基板处理装置的基板处理方法，基板处理装置具备：处理容器(31)，其具有能够收容基板的处理空间；主供给线路(50)，其用于向处理空间供给处理流体；排出线路(52)，其具有第一开闭阀，该排出线路(52)用于从处理空间排出处理流体；以及旁通线路(53)，其从主供给线路(50)的分支点处分支出来，在排出线路(52)中的比第一开闭阀靠下游侧的合流点处合流，基板处理方法包括升压工序和保持工序。在升压工序中，在基板收容于处理空间的状态下，从主供给线路(50)向处理空间供给处理流体，由此将处理空间的压力升压至给定的处理压力(P1)。在保持工序中，在升压工序之后，在将第一开闭阀关闭的状态下使处理流体向旁通线路(53)流通，并且将处理空间的压力保持在处理压力(P1)。
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公开(公告)号：CN108022861B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201711066490.5
申请日：2017-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。防止处于图案的凹部内的液体在被置换为超临界状态的处理流体之前蒸发。包括以下工序：升压工序，将表面附着有液体的基板容纳于处理容器后向处理容器供给被加压后的处理流体，来使处理容器内的压力上升至比处理流体的临界压力高的处理压力；流通工序，在处理容器内至少维持使处理流体维持超临界状态的压力，并一边向处理容器供给处理流体一边从处理容器排出处理流体。在升压工序中，停止从第二流体供给部供给所述处理流体，从第一流体供给部向处理容器内供给处理流体，直到至少处理容器内的压力达到处理流体的临界压力为止。在流通工序中，从第二流体供给部向处理容器内供给处理流体。
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公开(公告)号：CN108538751A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810170355.3
申请日：2018-03-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67034 , F26B5/00 , F26B5/005 , F26B21/14 , H01L21/02057 , H01L21/02101 , H01L21/67051 , H01L21/67173
Abstract: 提供一种基板处理装置。在利用超临界状态的处理流体的干燥方法中，抑制形成于晶圆上表面的图案破坏。实施方式所涉及的基板处理装置用于进行干燥处理，该干燥处理为使由于液体而上表面湿润的状态的基板与超临界状态的处理流体接触来使基板干燥的处理，该基板处理装置具备：主体，其在内部形成有能够收纳基板的处理空间；保持部，其在主体的内部保持基板；供给部，其设置于被保持部保持的基板的侧方，向处理空间内供给处理流体；排出部，其从处理空间内排出处理流体；以及流路限制部，其限制在使处理流体从供给部流通到排出部时形成的流路的上游侧处的下端部。而且，流路限制部的上端部配置于比被保持部保持的基板的上表面高的位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108155116A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711248022.X
申请日：2017-12-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67034 , B08B3/08 , B08B5/00 , B08B9/00 , B08B15/007 , B08B2203/0229 , C11D7/261 , C11D11/0041 , F26B5/005 , B08B5/04 , H01L21/02101
Abstract: 提供一种基板处理装置的清洗方法和基板处理装置的清洗系统。在使用超临界流体来使晶圆干燥的情况下，抑制大量微粒附着于晶圆。实施方式所涉及的基板处理装置的清洗方法是使由于液体而表面湿润的状态的基板与超临界流体接触来进行使基板干燥的干燥处理的基板处理装置的清洗方法，包括清洗用气体填充工序和排气工序。在清洗用气体填充工序中，将含有异丙醇的清洗用气体填充于基板处理装置的内部。在排气工序中，在清洗用气体填充工序之后，将清洗用气体从基板处理装置的内部排出。
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公开(公告)号：CN108074840B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201711067648.0
申请日：2017-11-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种使用超临界状态的处理流体来对基板进行处理的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，在该基板处理装置中，使过滤器的过滤性能充分发挥，降低处理后的基板的微粒水平。基板处理装置具备：处理容器(301)；以及供给线(50)，其将送出超临界状态的处理流体的流体供给源(51)和处理容器相连接。在供给线上设置有第一开闭阀(52a)，在该供给线的下游侧设置有第一节流部(55a)，在处理容器内的压力为处理流体的临界压力以下的期间，该第一节流部(55a)使在供给线中流动的超临界状态的处理流体变化为气体状态，在该供给线的更下游侧设置有第一过滤器(57)。
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公开(公告)号：CN108074844B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201711142504.7
申请日：2017-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种使附着于使用超临界流体进行处理后的基板的表面的微粒水平降低的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。在将处理容器(301)内的压力从比处理流体的临界压力低的压力(例如常压)升压到比临界压力高的处理压力的升压工序的至少一部分期间，一边使处理流体以被控制后的排出流量从处理容器排出，一边从流体供给源向处理容器供给处理流体，由此进行升压。附着于处理容器内的构件表面的微粒由于从流体供给源向处理容器供给处理流体而上扬。该微粒与处理流体一起从处理容器被排出。
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公开(公告)号：CN108538751B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201810170355.3
申请日：2018-03-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供一种基板处理装置。在利用超临界状态的处理流体的干燥方法中，抑制形成于晶圆上表面的图案破坏。实施方式所涉及的基板处理装置用于进行干燥处理，该干燥处理为使由于液体而上表面湿润的状态的基板与超临界状态的处理流体接触来使基板干燥的处理，该基板处理装置具备：主体，其在内部形成有能够收纳基板的处理空间；保持部，其在主体的内部保持基板；供给部，其设置于被保持部保持的基板的侧方，向处理空间内供给处理流体；排出部，其从处理空间内排出处理流体；以及流路限制部，其限制在使处理流体从供给部流通到排出部时形成的流路的上游侧处的下端部。而且，流路限制部的上端部配置于比被保持部保持的基板的上表面高的位置。
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公开(公告)号：CN109390254A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810902225.4
申请日：2018-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02101 , B08B3/041 , B08B3/08 , B08B3/10 , H01L21/67028 , H01L21/67034 , H01L21/67051 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/67748 , H01L21/68764 , H01L21/67017
Abstract: 本发明提供能够提高形成在基片的表面上的处理液的液膜的厚度的精度的基片处理方法。在本发明的基片处理方法中，首先，作为液膜形成步骤，使基片(W)以第一转速旋转并且向基片(W)的表面供给处理液，形成覆盖基片(W)的表面的处理液的液膜。在液膜形成步骤之后，作为供给停止步骤，使基片(W)的转速成为第一转速以下的转速，并且停止向基片(W)供给处理液。在供给停止步骤之后，作为液量调整步骤，使基片(W)的转速成为比第一转速大的转速，减少形成液膜的处理液的液量。
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