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公开(公告)号：CN117276127A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311230939.2
申请日：2017-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供基板处理装置。本发明提供一种使附着于使用超临界流体进行处理后的基板的表面的微粒水平降低的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。在将处理容器(301)内的压力从比处理流体的临界压力低的压力(例如常压)升压到比临界压力高的处理压力的升压工序的至少一部分期间，一边使处理流体以被控制后的排出流量从处理容器排出，一边从流体供给源向处理容器供给处理流体，由此进行升压。附着于处理容器内的构件表面的微粒由于从流体供给源向处理容器供给处理流体而上扬。该微粒与处理流体一起从处理容器被排出。
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公开(公告)号：CN100501931C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200580012831.X
申请日：2005-04-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B3/02 , B08B5/02 , G02F1/13 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , G02F2001/1316 , H01L21/67028 , Y10S134/902
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗装置、计算机程序和存储介质，在对晶片实施使用清洗液喷嘴的清洗处理和使用侧漂洗喷嘴的漂洗处理之后的干燥处理中，使晶片旋转，从而开始从纯水喷嘴向晶片的中心点供给纯水，实质上与此同时，开始从气体喷嘴在晶片的中心部中向离开晶片的中心适当长度的点喷射氮气。然后一边使纯水喷嘴朝向晶片的周缘扫描，一边使气体喷嘴在通过晶片的中心后，在比纯水喷嘴的位置更靠径向内侧的区域朝向晶片的周缘扫描。
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公开(公告)号：CN108022861B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201711066490.5
申请日：2017-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。防止处于图案的凹部内的液体在被置换为超临界状态的处理流体之前蒸发。包括以下工序：升压工序，将表面附着有液体的基板容纳于处理容器后向处理容器供给被加压后的处理流体，来使处理容器内的压力上升至比处理流体的临界压力高的处理压力；流通工序，在处理容器内至少维持使处理流体维持超临界状态的压力，并一边向处理容器供给处理流体一边从处理容器排出处理流体。在升压工序中，停止从第二流体供给部供给所述处理流体，从第一流体供给部向处理容器内供给处理流体，直到至少处理容器内的压力达到处理流体的临界压力为止。在流通工序中，从第二流体供给部向处理容器内供给处理流体。
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公开(公告)号：CN108538751A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810170355.3
申请日：2018-03-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67034 , F26B5/00 , F26B5/005 , F26B21/14 , H01L21/02057 , H01L21/02101 , H01L21/67051 , H01L21/67173
Abstract: 提供一种基板处理装置。在利用超临界状态的处理流体的干燥方法中，抑制形成于晶圆上表面的图案破坏。实施方式所涉及的基板处理装置用于进行干燥处理，该干燥处理为使由于液体而上表面湿润的状态的基板与超临界状态的处理流体接触来使基板干燥的处理，该基板处理装置具备：主体，其在内部形成有能够收纳基板的处理空间；保持部，其在主体的内部保持基板；供给部，其设置于被保持部保持的基板的侧方，向处理空间内供给处理流体；排出部，其从处理空间内排出处理流体；以及流路限制部，其限制在使处理流体从供给部流通到排出部时形成的流路的上游侧处的下端部。而且，流路限制部的上端部配置于比被保持部保持的基板的上表面高的位置。
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公开(公告)号：CN108155116A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711248022.X
申请日：2017-12-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67034 , B08B3/08 , B08B5/00 , B08B9/00 , B08B15/007 , B08B2203/0229 , C11D7/261 , C11D11/0041 , F26B5/005 , B08B5/04 , H01L21/02101
Abstract: 提供一种基板处理装置的清洗方法和基板处理装置的清洗系统。在使用超临界流体来使晶圆干燥的情况下，抑制大量微粒附着于晶圆。实施方式所涉及的基板处理装置的清洗方法是使由于液体而表面湿润的状态的基板与超临界流体接触来进行使基板干燥的干燥处理的基板处理装置的清洗方法，包括清洗用气体填充工序和排气工序。在清洗用气体填充工序中，将含有异丙醇的清洗用气体填充于基板处理装置的内部。在排气工序中，在清洗用气体填充工序之后，将清洗用气体从基板处理装置的内部排出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108074840B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201711067648.0
申请日：2017-11-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种使用超临界状态的处理流体来对基板进行处理的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，在该基板处理装置中，使过滤器的过滤性能充分发挥，降低处理后的基板的微粒水平。基板处理装置具备：处理容器(301)；以及供给线(50)，其将送出超临界状态的处理流体的流体供给源(51)和处理容器相连接。在供给线上设置有第一开闭阀(52a)，在该供给线的下游侧设置有第一节流部(55a)，在处理容器内的压力为处理流体的临界压力以下的期间，该第一节流部(55a)使在供给线中流动的超临界状态的处理流体变化为气体状态，在该供给线的更下游侧设置有第一过滤器(57)。
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公开(公告)号：CN108074844B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201711142504.7
申请日：2017-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种使附着于使用超临界流体进行处理后的基板的表面的微粒水平降低的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。在将处理容器(301)内的压力从比处理流体的临界压力低的压力(例如常压)升压到比临界压力高的处理压力的升压工序的至少一部分期间，一边使处理流体以被控制后的排出流量从处理容器排出，一边从流体供给源向处理容器供给处理流体，由此进行升压。附着于处理容器内的构件表面的微粒由于从流体供给源向处理容器供给处理流体而上扬。该微粒与处理流体一起从处理容器被排出。
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公开(公告)号：CN108538751B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201810170355.3
申请日：2018-03-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供一种基板处理装置。在利用超临界状态的处理流体的干燥方法中，抑制形成于晶圆上表面的图案破坏。实施方式所涉及的基板处理装置用于进行干燥处理，该干燥处理为使由于液体而上表面湿润的状态的基板与超临界状态的处理流体接触来使基板干燥的处理，该基板处理装置具备：主体，其在内部形成有能够收纳基板的处理空间；保持部，其在主体的内部保持基板；供给部，其设置于被保持部保持的基板的侧方，向处理空间内供给处理流体；排出部，其从处理空间内排出处理流体；以及流路限制部，其限制在使处理流体从供给部流通到排出部时形成的流路的上游侧处的下端部。而且，流路限制部的上端部配置于比被保持部保持的基板的上表面高的位置。
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公开(公告)号：CN108022861A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711066490.5
申请日：2017-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67034 , B01J3/008 , B01J3/06 , B08B7/0021 , H01L21/02057 , H01L21/02101 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。防止处于图案的凹部内的液体在被置换为超临界状态的处理流体之前蒸发。包括以下工序：升压工序，将表面附着有液体的基板容纳于处理容器后向处理容器供给被加压后的处理流体，来使处理容器内的压力上升至比处理流体的临界压力高的处理压力；流通工序，在处理容器内至少维持使处理流体维持超临界状态的压力，并一边向处理容器供给处理流体一边从处理容器排出处理流体。在升压工序中，停止从第二流体供给部供给所述处理流体，从第一流体供给部向处理容器内供给处理流体，直到至少处理容器内的压力达到处理流体的临界压力为止。在流通工序中，从第二流体供给部向处理容器内供给处理流体。
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公开(公告)号：CN101253604A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200680022348.4
申请日：2006-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B3/02 , G02F1/13 , G02F1/1333 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/024 , B08B3/04 , H01L21/6708 , Y10S134/902
Abstract: 本发明提出一种衬底(W)，它用处理液如去离子水进行处理。接着，从流体喷嘴(12)向衬底(W)的上表面供给比处理液更易挥发的第一流体以形成液体膜。接下来，当晶片(W)被旋转时，从流体喷嘴(12)向衬底(W)的上表面供给比处理液更易挥发的第二流体。在此供给操作期间，从衬底(W)的旋转中心(Po)朝外径向移动向衬底(W)供给第二流体的供给位置(Sf)。结果，在通过使用第一流体和第二流体干燥衬底(W)后可以防止在衬底(W)上产生颗粒。
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