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公开(公告)号：CN101165855A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710181968.9
申请日：2007-10-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/683 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/00
CPC classification number: H01L21/6831 , H01J37/32495 , H01J37/32559 , H01J2237/2007 , H01L21/67069 , H01L21/68757
Abstract: 一种能减少等离子处理装置的运行成本并提高装置的运行速度的基板平台。下部电极作为基板平台而设置在该装置的腔室内，静电卡盘被结合在下部电极中。在静电卡盘的侧壁上形成作为喷敷层，膜厚度在从1000至2000μm的范围内，元素周期表第IIIB族元素的氧化膜，如氧化钇膜。
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公开(公告)号：CN1557018A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN02818626.5
申请日：2002-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C03C15/02 , C03B29/025 , C03C19/00 , Y02P40/57
Abstract: 本发明提供一种抑制了使用初期的微粒产生和其后的碎屑产生的等离子体处理装置用石英部件的加工方法、等离子体处理装置用石英部件和安装有该石英部件的等离子体处理装置。利用例如粒度为320～400#的磨料进行表面加工，除去在进行金刚石研磨以后在用作屏蔽环和聚焦环等的等离子体处理装置用石英部件151上产生的许多裂纹155。然后，再用小粒径的磨料进行表面加工，在维持能够附着并保持堆积物的凹凸的同时，去除破碎层163。
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公开(公告)号：CN102576673B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201080047610.7
申请日：2010-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/68735 , H01L21/6875
Abstract: 本发明提供试样台和微波等离子体处理装置。试样台通过利用研磨加工使接触面具有平滑性并将接触面设成大致凹形状，能够稳定地保持半导体晶圆，微波等离子体处理装置具有该试样台。对要实施等离子体处理的半导体晶圆(W)进行保持的试样台(2)包括：吸附板，其具有被实施研磨加工的、与半导体晶圆面接触的接触面，并对与该接触面面接触的半导体晶圆进行吸附；支承基板，其具有与该吸附板的非接触面相粘接的凹面，上述凹面的大致中央部的深度同上述凹面的从该中央部远离的远离部位的深度之差大于上述吸附板的与该中央部接触的部位的厚度同上述吸附板的与上述远离部位接触的部位的厚度之差。另外，微波等离子体处理装置具有试样台。
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公开(公告)号：CN101165855B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN200710181968.9
申请日：2007-10-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/683 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/00
CPC classification number: H01L21/6831 , H01J37/32495 , H01J37/32559 , H01J2237/2007 , H01L21/67069 , H01L21/68757
Abstract: 一种能减少等离子处理装置的运行成本并提高装置的运行速度的基板平台。下部电极作为基板平台而设置在该装置的腔室内，静电卡盘被结合在下部电极中。在静电卡盘的侧壁上形成作为喷敷层，膜厚度在从1000至2000μm的范围内，元素周期表第IIIB族元素的氧化膜，如氧化钇膜。
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公开(公告)号：CN100364064C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200410078499.4
申请日：2004-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302
Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102217044B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200980145670.X
申请日：2009-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/31 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/452 , C23C16/4558 , H01J37/32192
Abstract: 等离子体处理装置(11)具备向处理容器(12)内供给等离子体处理用的反应气体的反应气体供给部(13)。反应气体供给部(13)包括：第一反应气体供给部(61)，其被设于电介质板(16)的中央部，朝向保持于保持台(14)上的被处理基板(W)的中央区域向正下方方向供给反应气体；第二反应气体供给部(62)，其被设在保持台(14)的正上方区域，并位于避开保持于保持台(14)上的被处理基板(W)的正上方区域的位置，朝向保持于保持台(14)上的被处理基板(W)的中心侧沿倾斜方向供给反应气体。
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公开(公告)号：CN102217044A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200980145670.X
申请日：2009-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/31 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/452 , C23C16/4558 , H01J37/32192
Abstract: 等离子体处理装置(11)具备向处理容器(12)内供给等离子体处理用的反应气体的反应气体供给部(13)。反应气体供给部(13)包括：第一反应气体供给部(61)，其被设于电介质板(16)的中央部，朝向保持于保持台(14)上的被处理基板(W)的中央区域向正下方方向供给反应气体；第二反应气体供给部(62)，其被设在保持台(14)的正上方区域，并位于避开保持于保持台(14)上的被处理基板(W)的正上方区域的位置，朝向保持于保持台(14)上的被处理基板(W)的中心侧沿倾斜方向供给反应气体。
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公开(公告)号：CN101162689B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200710194607.8
申请日：2004-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/683 , H01J37/32 , H05H1/00 , H05H1/46 , C23F4/00
Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。
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公开(公告)号：CN101162689A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710194607.8
申请日：2004-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/683 , H01J37/32 , H05H1/00 , H05H1/46 , C23F4/00
Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。
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公开(公告)号：CN1293611C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN02818626.5
申请日：2002-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种抑制了使用初期的微粒产生和其后的碎屑产生的等离子体处理装置用石英部件的加工方法、等离子体处理装置用石英部件和安装有该石英部件的等离子体处理装置。利用例如粒度为320～400#的磨料进行表面加工，除去在进行金刚石研磨以后在用作屏蔽环和聚焦环等的等离子体处理装置用石英部件151上产生的许多裂纹155。然后，再用小粒径的磨料进行表面加工，在维持能够附着并保持堆积物的凹凸的同时，去除破碎层163。
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